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媒体爆料:三星和SK海力士正在升级中国工厂,以生产更先进的芯片
据路透社援引知情人士的媒体爆料,三星电子和SK海力士正推进在华工厂的技术升级,目标是生产更先进制程的芯片,该消息为知情人士披露的升级计划。其中,三星正在推进其中国工厂的技术升级,以期实现286层NAND闪存芯片的生产,这一层数代表当前NAND存储技术的前沿水平,若落地将标志三星在华产能的显著技术跃升;SK海力士同样被指正在对其中国生产设施实施升级,升级方向与三星相近,旨在提升中国工厂的芯片技术规格。SK海力士在中国无锡拥有DRAM芯片工厂,并持有原英特尔大连NAND工厂的部分资产。同时,中国本土制造商长江存储也在技术层面取得新进展,路透社报道称其追赶步伐未因外部压力明显放缓,进展将进一步加剧全球NAND市场竞争。原文未说明两家公司升级计划的具体时间表。
NAND闪存DRAM
中国工厂升级286层NAND无锡DRAM工厂大连NAND工厂技术升级
来源:华尔街见闻 · 2026/10/21 · 查看原始来源
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