企业与供应链情报页
NuAxi 汇总提及长江存储的公开快讯：产品发布、产能与价格信号、供应链变化，持续更新。
据Counterpoint Research，主打NAND Flash的长江存储(YMTC)自2025年10月起在其Fab 2以每月约5,000片晶圆的规模生产运行速度为7,500 MT/s的16 Gb LPDDR5X DRAM。该公司目前正筹备在其Fab 3开始量产速度达9,600 MT/s的LPDDR5X存储器，采用垂直沟道晶体管(VCT) 4F²单元结构技术。量产尚处于筹备阶段，属于计划中事项。
文章列出十大中国半导体公司：SMIC为中国最大代工厂，2025年营收约93亿美元；CXMT为国内领先DRAM厂商，营收突破80亿美元；华为海思为顶尖芯片设计公司（麒麟、昇腾AI等）；长电科技为中国最大封测厂；北方华创为领先设备商；华虹集团为专注特色/成熟制程的代工厂；长江存储为主要国产3D NAND厂商；韦尔股份为主要图像传感器及模拟/设计企业；通富微电为第二梯队大型封测企业；寒武纪或海光信息分别为领先AI加速器或x86兼容服务器CPU厂商。原文未说明原因，亦无价格变动、产能变化或政策事件。
据路透社报道，随着AI需求从DRAM延伸至NAND，且中国厂商YMTC竞争加剧，三星与SK海力士正计划升级其中国NAND工厂：三星计划将西安工厂从约200层升级至286层V9 NAND（内部项目代号“Monami”）；SK海力士大连厂已获准生产最高240层NAND，据报正计划从现有192层技术升级至240层或以上，并可能寻求美国批准用于300层以上技术的研发。TrendForce估计，中国约占三星NAND总产出的30–35%，占SK海力士的40–45%。但美国出口管制仍是主要障碍：两家公司须每年申请许可证才能在中国工厂安装美国产设备，且华盛顿在2025年表示不会批准当地的技术升级或产能扩张；两公司向路透社确认升级正在与华盛顿密切协调下进行，但拒绝披露详细生产计划。竞争方面，YMTC的NAND产品以160层和232层为主，已限量生产294层芯片并计划突破300层。此外据首尔经济日报，三星已将约60%的V-NAND产能转向V9（286层），向NVIDIA加大出货，并开始V10 NAND的量产与供货，下一代V11（目标约500层）研发正在加速；据Bloter，SK海力士正加快转向321层NAND，该技术在2026年第二季度已成为其最大NAND生产板块，预计到年底其国内约一半NAND产能将转向321层产品。
ASML 2026年第三季度财报显示，对中国的系统销售发货量激增至23%，较上一季度的14%有所增长，成为其系统销售的最强领域之一。中国半导体制造商正急于囤积更多工具。台湾是最大的买家（32%），其次是韩国（31%）。美国正施压荷兰政府完全停止向中国出口工具。CXMT和YMTC已获得足够的DUV光刻工具以支持其未来三年的增长计划。
德国法院向美光下达禁令，因其侵犯YMTC的3D NAND专利。美光正在上诉。
NAND Flash供应，短期供应受限。
长江存储计划2026年底试产DRAM，月产能2.5万片；长鑫存储拟2028-2029年量产NAND。受AI算力需求驱动，两家公司打破原有分工，争夺全品类市场份额。
双方产能扩张将加剧市场竞争，长期可能对现有存储价格构成下行压力。
Acer董事长陈俊圣预计2026年第四季PC价格将上涨5%至20%。尽管DDR4、DDR5及CPU供应已趋稳定，但内存与SSD成本仍高，且新组件降价需时。
PC平均售价（ASP）有望在2027年中见顶。
长鑫存储正积极筹备进军NAND闪存制造领域，计划从单一DRAM供应商转型为全品类存储芯片巨头。此举旨在利用其在先进制程方面的经验，与长江存储形成互补，并挑战三星、SK海力士等国际巨头的垄断地位。
长期供应格局重构，潜在增加NAND市场供给压力。
CXMT计划在北京建立NAND研发线，并已与客户讨论。受存储短缺影响，CXMT在7月对64GB DDR5服务器模块的报价高于三星。
短缺赋予国内厂商定价权，但TrendForce预计NAND供应紧张明年下半年缓解。
报道称中国DRAM龙头CXMT计划在第二座北京工厂建设3D NAND研发线，目标客户为AI及超算领域。该项目尚处于早期阶段，距离投产至少需2-3年。
长期看将加剧NAND Flash市场竞争，但短期内对现货价格影响有限。
Kioxia正推动NAND闪存替代DRAM以应对竞争压力。作为唯一不生产DRAM的头部厂商，其面临美光和YMTC的双重挤压。
该策略对DRAM与NAND市场格局的潜在影响。
中信证券等机构入股长江存储旗下宏茂微电子，注册资本约24.7亿人民币。宏茂微电子主营半导体封装测试业务，此次变更显示战略资本注入。
战略投资利好长期产能规划，但短期现货价格无直接驱动。
YMTC计划通过IPO筹集50亿美元以升级设施，目标在2027年成为全球最大NAND制造商。该公司Q2出货量同比增长22%，超越三星和SK海力士。
产能扩张计划将增加供应，对NAND Flash价格构成下行压力。
YMTC计划A股上市募资扩产，并已超越Kioxia成为全球第三大NAND供应商。此举旨在对标三星、SK海力士等国际巨头。
扩产计划将增加市场供应，压制NAND Flash价格。
企业级SSD在2026年Q2消耗全球48% NAND供应，较2025年26%近乎翻倍。AI推理工作负载需求激增，数据中心急需大容量高性能存储。
供需失衡加剧，NAND价格面临上行压力。
YMTC Q2 NAND出货量份额升至14%，超越美光与铠侠位列全球第三。AI算力从训练转向推理推动企业SSD需求激增，行业营收创纪录地增长五倍，供需紧张推高价格。
供需失衡与AI需求爆发推动NAND价格创历史新高，YMTC正加速向eSSD转型以巩固份额。
YMTC跻身全球NAND前三，份额达14%；Q2 NAND合约价暴涨约75%。AI服务器需求激增吞噬48%产能，三星削减NAND产能转投高毛利DRAM。
NAND厂商受益于价格暴涨与产能紧缺。
长江存储否认美国专利商标局裁定其19项3D NAND权利要求无效，称相关报道严重误导。公司同时指出，其于2023年11月对美光发起的专利侵权诉讼仍在审理中。
专利诉讼及市场传闻引发股价波动，短期情绪面承压。
长江存储发布声明，否认美国专利商标局裁定其核心3D NAND专利全部19项权利要求无效。此前网传“长存相关概念股全线暴跌”系基于误导信息，且长存对美光发起的27项专利诉讼仍在审理中。
该声明澄清了误导性传闻，消除了市场恐慌，对相关概念股情绪有短期提振作用。
存储芯片营收暴涨5倍，利润增长10倍，主要源于价格上涨而非出货量增加。文章指出客户愿意为每比特数据支付3-5倍的高价，且HBM与DDR5利润率持平，NAND价格同步飙升。
尽管市场存在周期性波动，但供需强劲支撑价格维持高位，预计短期内难以大幅回落。