据报道，随着YMTC竞争升温，三星与SK海力士计划将中国NAND升级推进至200层以上

据路透社报道，随着AI需求从DRAM延伸至NAND，且中国厂商YMTC竞争加剧，三星与SK海力士正计划升级其中国NAND工厂：三星计划将西安工厂从约200层升级至286层V9 NAND（内部项目代号“Monami”）；SK海力士大连厂已获准生产最高240层NAND，据报正计划从现有192层技术升级至240层或以上，并可能寻求美国批准用于300层以上技术的研发。TrendForce估计，中国约占三星NAND总产出的30–35%，占SK海力士的40–45%。但美国出口管制仍是主要障碍：两家公司须每年申请许可证才能在中国工厂安装美国产设备，且华盛顿在2025年表示不会批准当地的技术升级或产能扩张；两公司向路透社确认升级正在与华盛顿密切协调下进行，但拒绝披露详细生产计划。竞争方面，YMTC的NAND产品以160层和232层为主，已限量生产294层芯片并计划突破300层。此外据首尔经济日报，三星已将约60%的V-NAND产能转向V9（286层），向NVIDIA加大出货，并开始V10 NAND的量产与供货，下一代V11（目标约500层）研发正在加速；据Bloter，SK海力士正加快转向321层NAND，该技术在2026年第二季度已成为其最大NAND生产板块，预计到年底其国内约一半NAND产能将转向321层产品。

来源：TrendForce · 2026/10/20 · 查看原始来源