GMS发布MOSA兼容Thunderbolt™启用的Expansion™模块
General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
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General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
10月19日，北京铭芯启睿科技有限公司宣布完成超4亿元A轮融资，由博原资本领投，博世创投、米哈游、兆易创新等跟投，小米战投等老股东持续加注；相关报道未披露本轮估值及股权稀释比例。本轮资金将用于RRAM（阻变存储器）产业化、商业化及新产品LPU（语言处理单元）研发。同日披露前Graphcore总裁兼大中华区总经理卢涛加入公司，出任CEO兼联合创始人，并启动第一代LPU研发，面向大模型推理场景；卢涛表示第一代LPU不采用RRAM，将使用更成熟的存储介质，目标为支持数万亿参数完整模型、实现每用户每秒1000 Token，该指标为研发目标，尚无实测性能支撑；LPU目前处于研发阶段，未披露流片、验证或交付时间表。此前10月14日，公司发布首代1Gb RRAM芯片泰山一号流片信息，基于1TnR技术路线（1T4R结构，一个选择晶体管对应四个阻变存储单元），搭配28纳米CMOS工艺，披露存储密度30Mb/mm²、访问延时小于20纳秒，并集成片上硬件纠错电路；泰山一号已完成流片、正在推进验证，尚未披露量产进展。公司三条产品线中的嵌入式RRAM IP已进入客户场景并计划扩大规模，但未披露客户名称、订单金额或出货量；混合存算产品未披露具体芯片型号、流片进度或商业化节点。
加州大学伯克利分校、三星电子和英特尔的研究人员发表了题为“Nanoelectromechanically Gated Gain Cell eDRAM”的研究论文。论文摘要节选指出，存储墙以及静态随机存取存储器（SRAM）缩放放缓重新引发了对增益单元嵌入式动态随机存取存储器（gain-cell eDRAM）的兴趣；增益单元虽可提供高密度和能效，但其保留时间（retention）有限。该文属于研究发布，为背景信息，原文未提及价格、产能或商业化安排。
台达电子（Delta Electronics）董事长Ping Cheng于2026年10月15日在2026天下领袖论坛（2026 Global Views Leaders Forum）上表示，世界正在进入电气化时代，AI数据中心与电动车推动电力需求超出可用供给（原文将此作为AI电力缺口的明确原因）。台达计划将其业务重点从电力消费扩展到涵盖发电、输电、配电、储能与用电的一体化微电网架构，并以固体氧化物燃料电池（SOFC）与固态变压器（SST）作为其关键产品。该事项属于公司业务方向扩张计划，原文未说明具体投资金额或时间表。
这是一篇关于FPGA原型验证的技术性文章，未涉及价格、产能或供需变化。文中引用2024年Wilson Research Group功能验证趋势报告的三次调研数据：2016至2024年间，'design error'作为ASIC功能缺陷根因的占比从75%降至60%，'changes in specification'从59%降至43%；而'incorrect or incomplete specification'从56%升至58%再到59%，基本持平且略有恶化（各数字为受访者勾选比例，允许多选，不合计100%）。文章主张FPGA原型验证可在规格定义阶段验证'是否在做正确的芯片'，并介绍S2C的Prodigy平台与PlayerPro工具链：100+块Prototype Ready子卡与参考设计、50+个Prototype Ready IP模块；Prodigy Logic System S8-100基于AMD Versal Premium VP1902，单核心模块约1亿ASIC门，两模块约2亿门，四模块约4亿门，2,212个XPIO（最高56Gbps）。公司层面：S2C深耕ASIC与SoC验证超过20年，拥有300多名员工、服务700多家客户、设7个全球分支机构，自2020年以来服务全球前25大半导体公司中的12家；S2C估计其总拥有成本比传统EDA供应商低30–50%。
西门子支持Skeleton在美国进行AI电力制造扩张，该扩张为计划性质，原文未说明投资金额或时间表。同时，Skeleton的超级电容器达到UL认证的3,500 A峰值电流，面向AI数据中心应用。原文未说明原因。
10月15日世界储能大会上，工业和信息化部副部长熊继军提出进一步完善产能预警机制，加快从规模扩张向质量效益为导向转变。同日海辰储能宣布累计出货突破200GWh（2025年8月突破100GWh），公司称四小时及以上长时储能订单已接满至2027年底，重庆、山东基地均有相应订单支撑；重庆基地1175Ah第二代产品产线正在爬坡、期待今年底实现满产，对应下一代八小时储能产品的1300Ah产线已开始建设（属计划/在建状态）。中国汽车动力电池产业创新联盟10月15日数据显示，9月我国储能电池销量为73.5GWh，同比增长104.4%，快于同期动力电池35%的增速。亿纬锂能累计储能出货去年12月达150GWh，628Ah电芯已规模化量产，搭载该电芯的Mr.Giant系统定位于四小时及以上应用。海辰储能管理层称单纯依靠扩产规模的降本红利会逐步收窄，增量将更多来自四小时及以上储能和数据中心等新场景，客户采购正从电芯向系统延伸，海外走向交流侧及整站交付。上述扩张与新产品方案均为计划或在建事项，原文未说明其对价格的影响。
SK hynix 披露其于 10 月 14 日在新闻室发布的研究，开发出使用铁电三维 NAND（3D FeNAND）的模拟计算内存（A-CiM）技术，能够在 NAND 闪存内直接执行人工智能计算。该技术通过调整编程脉冲数量区分电流状态，在非电路层通过引入气隙降低字线电阻，在页面层采用页面内流水线（IPP）优化数据放置和计算序列。仿真表明，基于 3D FeNAND 的 A-CiM 相比传统非易失性内存可实现最高 20 倍的吞吐量提升和 5,000 倍的能效提升。
据2026年10月15日报道，半导体专家@bubbleboi近日利用Meta旗下的Muse AI智能体，成功设计出一款基于RISC-V架构的加密专用SoC，整个设计过程的计算成本仅约2000美元（快科技注：约1.42万元人民币），消耗约1亿个Token完成了从逻辑门布局到布线的全部工作，并通过OpenROAD软件完成布局布线，生成了可发往代工厂流片的GDSII版图文件。该芯片包含约61590个逻辑单元，运行频率为100MHz，运行时功耗仅20mW，拥有4.5纳秒的松弛时间余量；方案通过了设计规则检查且未发现电气故障，并通过150万个Berkeley TestFloat测试向量验证，完全符合RISC-V架构的浮点运算规则。目前该专家正在寻找多项目晶圆（MPW）的共享流片机会，以期将版图文件转化为真实硅片，尚未实际流片。
超级电容器制造商Skeleton Technologies完成了一轮由Siemens牵头的新投资，公司估值超过10亿美元。据Skeleton新闻稿，本轮融资为“九位数”金额，即至少1亿美元，但具体金额未披露。资金将主要用于在美国建设制造能力，包括自有的电芯生产，面向AI数据中心的电源系统。公司计划在硅谷投资超过2亿美元以扩大运营和研发，并与超大规模云厂商直接合作；美国扩建包括本土电芯制造计划，使Skeleton拥有从电芯到完整系统的美国全价值链。公司称其基于Curved Graphene材料的超级电容器电芯结合电力电子与控制系统，可平抑GPU集群毫秒级功率切换带来的负载波动，据称可实现最高40%的节能并带来两位数的GPU性能提升。Siemens曾于2023年支持Skeleton的扩建，Siemens Digital Industries设计并自动化了Skeleton位于德国莱比锡的SuperFactory；双方将共同为AI数据中心开发和商业化产品。Skeleton尚未披露融资规模、Siemens所持股份比例，以及美国电芯生产将在何地何时启动。
Siemens宣布与高功率储能系统专业厂商Skeleton Technologies达成战略投资及独家全球合作协议，计划将Skeleton的超容（supercapacitor）技术整合进其电气基础设施产品中，以帮助运营商应对AI工作负载日益严苛的功率需求；Siemens借此扩展其AI数据中心基础设施产品组合。原文仅披露协议安排，未说明投资金额、时间表或该合作已实际实施。
10月15日，在2026世界储能大会上，宁德时代董事长曾毓群表示，储能正从新能源的配套设施逐步成为电力系统不可或缺的新型基础设施，并称即使在中国也曾发生因AIDC（智算中心）负荷激增险些造成电网波动甚至瘫痪的情况。据SNE Research数据，今年上半年全球锂离子储能电池出货量达461.3GWh，同比增长71%；中国以外市场占比达56%，首次超过一半。曾毓群提出储能行业需强化整站级解决能力、底层创新和体系化场景化实证三项能力；宁德时代通过高功率电芯与智能控制系统配合实现毫秒级精准响应，并推动钠电池与锂电池协同互补。此外，今年5月由厦门市政府与宁德时代共建的实证储能科技研究院启动，计划总投资约30亿元，研究院已面向全行业开放，已对全球32个项目进行体系化实证，涉及电池容量超过16GWh。
SK hynix于2026年10月14日在Newsroom系列文章[Inside the Research]第2部分介绍其发表于2025 IEEE国际电子器件会议(IEDM)的研究论文《Co-Optimizing Cell, Non-Cell, and Page Schemes for Energy Efficient Analog Computing in 3D FeNAND》,作者为Won-Tae Koo与Jihun Kim。研究提出基于3D FeNAND的模拟存内计算(A-CiM)架构,通过对单元(cell)、非单元(互连/字线)和页(page)三类方案进行协同优化,在相同芯片面积约束下,相比传统3D阵列实现约10至20倍的吞吐量提升和约4,000至5,000倍的能效提升;文中亦说明这些数字反映了3D FeNAND相较被广泛研究的2D非易失性存储阵列的高密度优势。各项优化包括:字线采用低电阻金属使吞吐量最高提升16%、能效最高提升3%;引入空气间隙使字线间寄生电容降低约60%,吞吐量提升1.2倍、能效提升2倍;字线电阻与电容联合优化后吞吐量最高提升1.4倍、能效最高提升2.2倍;页内流水线(IPP)使能效翻倍、吞吐量提升9倍;将16KB页拆分为4个4KB子页使能效提升1.2倍、吞吐量提升1.7倍。研究团队还在300mm晶圆规模上演示了低电流区每单元四电平操作及稳定数据保持。文章称该研究展示NAND从存储介质向计算介质扩展的潜力,未涉及价格、出货、产能或市场状况。
CXMT总裁曹坤宇宣布，公司首款4F² DRAM产品将是服务器DDR5 RDIMM，预计年底前推出；该宣布在Integrated Chips and Chiplets Conference上周六发表，文章发表于2026年10月13日。该内存采用垂直晶体管将电池占地面积在纸上减少约三分之一，但尚未公布速度或容量。CXMT预计将销售一种仅在三星和SK海力士研究论文中出现的存储单元。原文未说明原因。
据一财全球报道，CXMT总裁曹勘宇在10月10日的集成电路与Chiplet大会上介绍了该公司的4F² DRAM架构，并计划在年底前推出基于该技术的下一代DDR5 RDIMM（属计划，尚未证实量产）。据MyDrivers解释，业界目前采用6F²设计（每个存储单元占最小特征尺寸平方的六倍），4F²将其缩减至四倍，有望在相同面积内将存储密度提升30%–50%；CXMT方案的核心是垂直环绕栅极（VSG）晶体管，可改善静电控制并降低漏电流和短沟道效应。曹勘宇称CXMT已拥有超过300个与4F²架构相关的已公开专利族。另据TrendForce，CXMT在2026年第二季度全球DRAM营收排名第四，市场份额从前一季度的7.6%升至9.5%，落后于三星（39.4%）、SK海力士（24.9%）和美光（23.3%）。同期，三星在ISSCC 2026上展示了结合4F²单元与晶圆级混合键合的16Gb原型，但据报优先推进混合键合商用化，该技术预计2028年前不会上市，4F²整合尚无明确时间表；Wccftech报道称三星考虑在其B1b工艺（据报更名为D0a）中采用4F²，SK海力士也在推进垂直栅极（VG）4F² DRAM。据Money Today，CXMT即将推出的产品可能仅部分采用4F²技术，实现大量产仍是另一道门槛。
台积电举办2026开放创新平台（OIP）生态论坛，提出人工智能正在重塑半导体设计，认为更快的芯片需要在逻辑、存储、封装、互连、供电和设计方法等整个系统层面取得进展。台积电称OIP平台拥有28家可信合作伙伴、超过10万个经硅验证且量产验证的IP产品，以及超过3000名工程师。其5.5倍掩模版尺寸的CoWoS封装已量产，并描述了在3DFabric Alliance支持下走向超过14倍掩模版封装的路径。连接方面，采用COUPE技术的200-gigabit-per-second微环调制器已量产，报告误码率低于10⁻⁸，并规划400-gigabit-per-second调制、多波长和光纤阵列集成，目标是在2030年达到每毫米每秒4太比特。台积电称超过70%的OIP论坛论文使用AI解决方案或涉及AI用例，并介绍六家初创企业；其提议的AI Design Kit（ADK）将设计赋能模式转向代理式AI框架。原文明确说明图表所示为公司展望与预估，其预测应视为推断。
查尔姆斯大学技术学院主导的一项研究表明，能够绕过弱电池单元的电池可使电动汽车在路上行驶更久，并降低电池全生命周期的总成本；在最优条件下寿命提高超过20%。在研究者模型中，最先进的方案（每个电池单元可单独控制）可在部分高压车辆（如电动卡车和长续航电动车）中将寿命延长超过20%，但实际中更可能以电池组为单位控制，故该数字为理论上限。研究者还建模了一块典型80 kWh汽车电池、年行驶里程12,000公里：传统电池组按现行行业惯例假定10年后更换，而可重构电池组约在11年后达到同一节点，约晚14个月，且因老化更少而具有更高的残值。额外电子元件使该技术前期成本更高，但研究者称在许多现实条件下更长的使用寿命和更高残值可抵消该额外成本；潜力最大的是具有大量串联单元的高压长续航车辆。该方案还可能影响电池制造，降低对电池特性精确匹配的需求，并使更多电池组获得二次利用（如固定式储能）。
台积电LC Lu在OIP论坛提出AI芯片设计路线图，聚焦纳米片晶体管与先进封装。为解决AI训练与推理的功耗瓶颈，路线图强调逻辑与内存集成及光互连技术。
长期技术演进利好先进封装与HBM产业链，但短期无具体供需数据。
德国法院向美光下达禁令，因其侵犯YMTC的3D NAND专利。美光正在上诉。
NAND Flash供应，短期供应受限。
DapuStor发布J5060企业级SSD，通过牺牲6%至20%的QLC容量换取更快的随机写入性能。该产品旨在解决QLC写入慢的问题，但目前缺乏定价及上市时间。
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| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |