CXMT加速推进4F² DRAM，计划年底推出服务器DDR5 RDIMM

据一财全球报道，CXMT总裁曹勘宇在10月10日的集成电路与Chiplet大会上介绍了该公司的4F² DRAM架构，并计划在年底前推出基于该技术的下一代DDR5 RDIMM（属计划，尚未证实量产）。据MyDrivers解释，业界目前采用6F²设计（每个存储单元占最小特征尺寸平方的六倍），4F²将其缩减至四倍，有望在相同面积内将存储密度提升30%–50%；CXMT方案的核心是垂直环绕栅极（VSG）晶体管，可改善静电控制并降低漏电流和短沟道效应。曹勘宇称CXMT已拥有超过300个与4F²架构相关的已公开专利族。另据TrendForce，CXMT在2026年第二季度全球DRAM营收排名第四，市场份额从前一季度的7.6%升至9.5%，落后于三星（39.4%）、SK海力士（24.9%）和美光（23.3%）。同期，三星在ISSCC 2026上展示了结合4F²单元与晶圆级混合键合的16Gb原型，但据报优先推进混合键合商用化，该技术预计2028年前不会上市，4F²整合尚无明确时间表；Wccftech报道称三星考虑在其B1b工艺（据报更名为D0a）中采用4F²，SK海力士也在推进垂直栅极（VG）4F² DRAM。据Money Today，CXMT即将推出的产品可能仅部分采用4F²技术，实现大量产仍是另一道门槛。

来源：TrendForce · 2026/10/11 · 查看原始来源