美国能源部于周五（文章发布日期为2026年10月24日）宣布将氦列入关键材料清单，理由是该元素对美国国内制造业和半导体生产至关重要，且越来越容易受到供应链中断的影响；能源部表示在许多关键应用中这种惰性气体没有可行的替代品。已列入清单的其他元素包括钴、镁和锂。能源部称，尽管美国拥有'可观'的富氦天然气储量，但全球需求增长快于产量增长，使美国制造商面临供应风险，且精炼能力有限和审批周期漫长制约美国国内供应扩大。据美国地质调查局数据，美国是全球最大氦生产国，去年产量约占全球43%，卡塔尔和阿联酋也是主要供应国。氦主要用于半导体制造中冷却和保护制造芯片所需的硅晶圆。该清单依据《2020年能源法》设立。
根据Wccftech及其他硬件媒体援引、由香港硬件媒体HKEPC分享的最新视频资料，中国出现了将英伟达GeForce RTX 5090游戏显卡大规模改造为AI加速卡的生产线，工厂正拆解零售版RTX 5090，把GPU核心和显存芯片转移到专门设计的服务器电路板上，并配备适合数据中心使用的散热系统。画面显示改装车间内堆放大量零售版显卡，涉及PNY、技嘉、华硕等厂商产品以及英伟达自家Founders Edition公版，改装包括将GPU核心和显存拆下焊接到重新设计的定制PCB（通常为更紧凑的双槽设计、涡轮式散热器），并经功能测试和稳定性验证。RTX 5090采用英伟达Blackwell架构，搭载GB202 GPU核心并配备32GB GDDR7显存；最新视频展示的产品仍采用原本的32GB显存配置，近期流传的扩展至64GB甚至96GB的说法尚无可靠公开证据证明已实现稳定运行。原文说明改装背景包括：游戏显卡的多风扇散热设计不适合多GPU服务器密集安装，且美国对华出口管制限制了部分高性能计算芯片进入中国市场，使消费级RTX 5090的改造成为获取计算资源的可能替代途径；但视频未提供实际产量、采购规模和市场占有率，也无法确定采购渠道及交易是否合法。供应方面，近期有报道称RTX 5090在部分市场极为难买、零售价明显高于官方建议售价；英伟达高管杰夫·费舍尔在10月中旬曾表示RTX 5090并未停产、将继续供货，但供应链产能确实受到限制。若大量RTX 5090流向AI计算，可能进一步加剧玩家购买旗舰显卡的困难，但对全球零售供应的影响目前无法量化。
以芯片为抵押物的结构性融资正成为AI扩张的核心资金引擎，这一新兴资产类别规模或突破万亿美元。该市场的标志性首单是2023年黑石向CoreWeave提供的23亿美元私募信贷。目前博通正与华尔街机构磋商为Anthropic安排600亿美元芯片融资（尚在磋商中），SpaceX据报正寻求为英伟达芯片融资400亿美元，英伟达本身亦宣布与六大贷款机构达成5000亿美元合作框架。摩根大通分析师预计2030年前芯片支出总额或超3万亿美元，其中大部分将依赖举债融资。结构上，交易通过SPV隔离风险，以客户合同现金流偿债，债务期限与芯片五至六年折旧周期匹配；博通和英伟达为相关债务提供兜底承诺，使SPV优先级债券得以挂钩芯片厂商投资级评级。Apollo与黑石近期联合完成为Anthropic提供支持的350亿美元'Big Sky'交易，为博通、Apollo与黑石联合搭建的'AI XPV'平台首单落地，其中博通兜底的两只优先级债券获投资级评级、最大一档利率5.75%，45亿美元次级档定价8.5%；美国银行策略师估算该平台若实现20吉瓦融资容量，至2029年中期或需2350亿美元有背书债务。今年8月，英伟达集结Apollo、黑石、贝莱德、Brookfield、KKR及高盛为AI基础设施提供融资，并承诺兜底其中最高25%份额。CoreWeave今年率先完成芯片支持的银团杠杆贷款，交易价格接近面值，并于3月以Meta合同为支撑完成85亿美元债务融资，借款利率降至约6%。风险方面，CoreWeave企业层面垃圾级债券近期大幅下挫，部分跌至面值80美分，收益率攀升至约15%，折射市场对AI商业回报的疑虑；私募性质导致流动性存疑、交叉敞口高度集中；此外德克萨斯州地方反对势力已促成新项目暂停令，甲骨文在新墨西哥州项目受监管阻碍被迫推迟付款，OpenAI与Anthropic也在就安全问题讨论放缓部署节奏。市场参与者认为该范式的长期潜力仍有赖于AI商业化进程真正兑现市场预期。
Delta在Energy Taiwan 2026（10月14日至16日，台北南港展览馆1馆4楼，摊位M0319a）展出面向AI工厂、高性能计算（HPC）数据中心和智能制造的微电网解决方案。其基于固态变压器（SST）的预制化直流电源系统采用容器化架构，集成SST、DC/DC转换器和控制设备，减少功率转换级数，SST能效最高达98.5%；据Delta称，该方案可将AI数据中心的电网到芯片能效提升4–5%。系统可配置高倍率电池以应对AI负载快速变化，提供毫秒级电力支撑，其模块化预制设计最多可缩短50%的部署时间，架构支持未来随算力需求增长的容量扩展。Delta还展出可用于分布式发电的固体氧化物燃料电池（SOFC）技术，热回收后系统总效率最高可达85%；Delta计划在2026年底前开始SOFC方案的试产。展会还包括由Delta ESG咨询办公室开发、基于ISO 50001能源管理方法的EnergiQ数字能源管理平台，以及来自台湾工业技术研究院、台湾经济研究院和Delta智慧能源与微电网团队的专家演讲。
美光在本周的一次活动中宣布，其下一代3D NAND（G11）计划于2027年下半年进入量产，据称将带来三大优势：存储密度翻倍（约达G9的2倍，3D TLC从21 Gb/mm²提升至42 Gb/mm²）、I/O性能较公司现款NAND提升最高50%（接口速度从3,600 MT/s提升至5,400 MT/s）、每bit数据传输能耗降低超过25%。G11将采用晶圆级键合（wafer-on-wafer bonding）技术，将NAND阵列（新3D NAND节点）与外围电路及I/O（逻辑工艺）分别制造后键合在一起，并过渡到超过400层的NAND；美光未披露G11的具体有效字线层数与堆叠数。美光高管Scott DeBoer称G11是世界上最先进的NAND，将于明年下半年开始爬坡。美光还计划在2027年披露更多G11技术细节，并在G11之后开发高迁移率新材料、更致密的单元架构等以延续XYZ方向扩展；G11之后的世代的具体架构细节、密度目标或量产时间表尚未披露。以上为厂商公布的计划与预期，量产尚未实现。
SK海力士于2026年10月23日早间宣布,决定放弃其美国企业级SSD子公司Solidigm的潜在首次公开募股(IPO)计划,理由是股市环境不利及半导体股价走势不佳;同时确认计划在美国为Solidigm新建一座晶圆厂,以应对企业级SSD日益增长的需求。SK海力士称尽管IPO本可为美国新厂提供融资,但子公司扩张仍是优先事项;公司已终止对pre-IPO融资和IPO的评估,并将继续评估其他融资机制。原文说明,新厂产能、投资规模及建设时间表尚未披露。Solidigm专注于基于浮栅3D QLC NAND的大容量数据中心SSD,其现有产能仅勉强满足预计需求。
XP Power推出UCH750系列750W对流冷却AC-DC电源，面向需要低噪音、高效率与可靠性能的医疗及工业设备。该系列采用底盘安装、无风扇设计，降低声学噪音并消除易磨损机械部件，适用于医疗影像、患者监护、诊断仪器、治疗设备及家用医疗器件等噪音敏感应用，亦覆盖医院设备、工厂自动化、半导体制造、测试测量系统与电信基础设施。转换效率最高达96%，单机尺寸203.2 × 127.0 × 40.0 mm。系列支持BF（人体浮动）应用部分分类，提供2 × MOPP输入输出隔离，在264 VAC、60 Hz条件下最大患者漏电流为100 µA；报告符合IEC 60601-1，并已获UL和TÜV安全认证，另有IEC 62368-1安全认证，满足EN 55032 Class B传导与辐射发射限值；提供Class I与Class II版本。五个型号在90–264 VAC通用输入下提供12 V、24 V、36 V、48 V、54 V标称DC输出，100 VAC输入且环境温度最高+50°C时可输出全功率750 W；具备远程开关控制、5 VDC/2 A待机输出及过载、短路、过压、过温保护。产品通过Avnet Abacus、DigiKey、element14、Farnell、Mouser、RS、TME、授权区域分销商及XP Power直销供应，附带三年保修。此为产品发布信息，不构成产能或价格变化的确认事实。
在SEMICON West 2026期间，Soitec首席产品官René Jonker接受采访，介绍这家1992年从CEA-Leti分拆、以Smart Cut工艺为核心的衬底公司。公司现运营五个主要技术平台：RF-SOI（用于几乎每部5G手机和Wi-Fi模块中的RF开关和低噪声放大器）、FD-SOI（用于汽车雷达、IoT微控制器和边缘设备，可在不缩小工艺节点的情况下降低功耗30%至50%）、Power-SOI（用于高压汽车和工业电路）、POI（面向5G和6G声学RF滤波器），以及十年前开发、当前承载公司的Photonics-SOI平台。Jonker称Photonics-SOI被视为'新的黄金'，AI集群互联需求使流量转向光纤，该平台以'非常可观的增速'驱动Soitec业务，并支撑正在进入AI数据中心的共封装光学。文中提及，在巴黎泛欧交易所上市的Soitec，2026年1月投入100美元的投资者到10月初持有超过600美元。Jonker表示直接竞争主要来自GlobalWafers（其'曾经或现在能接触Soitec的IP'），技术层面竞争包括FD-SOI客户可选TSMC FinFET，以及硅与铟磷化物在光波导上的权衡。SmartSiC（降低EV逆变器SiC功率器件成本）与面向6G功率放大器和航空航天的RF-GaN仍在开发中，FD-SOI正向更小几何尺寸推进。
据韩国媒体ZDNet Korea援引的业内消息，三星电子已开始为其位于美国得克萨斯州泰勒市的泰勒一厂采购额外设备，计划进一步扩大2纳米制程芯片的生产能力，此次订购的设备预计可新增每月约6000片晶圆的生产能力。三星此前已启动相关设备采购和安装工作，目标是建立每月约1万片晶圆的生产能力；若将试产线和此前规划的产能一并计算，泰勒一厂有望逐步达到每月处理2万片晶圆的设计上限。如果后续设备安装和产线建设按计划推进，泰勒一厂2纳米制程月产能有望在2027年下半年达到2万片晶圆。原文明确指出，2027年下半年达到月产2万片晶圆目前仍属于预期目标，而不是已经实现的结果，设备到位后仍需完成工艺调试、良率提升和客户验证。三星于2021年宣布在当地建设先进制程工厂，最初公布的投资额为170亿美元。新增设备的安装和调试是实现这一目标的重要环节，原文未说明此次扩产的具体原因。三星计划在泰勒一厂采用2纳米级先进制程生产逻辑芯片，其2纳米制程采用GAAFET（公司称为MBCFET）。特斯拉是三星先进芯片制造业务的重要客户之一，但公开报道并未披露此次新增设备对应的具体客户订单及各客户所占产能比例。三星还计划继续扩建泰勒工厂园区，泰勒二厂计划于2026年底启动建设，并以2030年开始运营为目标。
Lexar于2026年10月23日发布Professional SILVER GO microSDXC UHS-I存储卡，面向运动相机、无人机、掌机和内容创作者，提供64GB、128GB、256GB和512GB四种容量，采用V30视频速度等级，Lexar称可支持最高4K 60帧视频录制。官方标称读速最高250MB/s（需搭配另售的RW360读卡器实现，实际速度受设备和使用条件影响）；写速因容量而异：256GB和512GB版本最高180MB/s，64GB和128GB版本最高135MB/s，V30等级代表持续写入速度至少为30MB/s。Lexar称已针对DJI、Insta360、GoPro等相机与无人机以及Nintendo Switch和Steam Deck等掌机进行兼容性测试，并注明仅兼容初代Nintendo Switch，不兼容Switch 2。耐用性方面具备IPX7防水（1米水深浸泡30分钟）、可承受最高1.5米跌落和1500G冲击，工作温度为零下25至85摄氏度，存储温度为零下40至85摄氏度，附带Lexar Recovery Tool并提供有限终身保修（在德国及不承认终身保修的地区为购买后10年）。该卡已在美国亚马逊开售，建议零售价分别为64GB版34.99美元、128GB版54.99美元、256GB版84.99美元、512GB版144.99美元。
一篇2023年10月23日发布的分析文章（注：原文刊载日期为2026年10月23日）指出，出口管制使ASML最先进的EUV光刻机无法进入中国，中国芯片业转而依赖DUV光刻并通过多重曝光生产先进芯片，但代价是更大裸片、更多缺陷、更低良率、更长制造时间和更高成本。Fractilia联合创始人兼CTO Chris Mack称，业内惯常认为193nm浸没式工具三次曝光成本约等于EUV一次曝光，一旦达到四层掩模，EUV就更划算。2023年华为Mate 60 Pro拆解发现其Kirin 9000S由SMIC以无EUV的第二代7nm级工艺制造；对华为Kirin 9030的分析显示SMIC将其基于DUV的工艺进一步逼近5nm级密度，但仍落后于TSMC和三星的领先工艺。摩根士丹利6月报告估计，中国DRAM厂商CXMT每片晶圆产出的比特数仅为西方竞争对手约三分之一，其中旧工艺节点仅占差距约三分之一，光刻设备获取被视作中国存储发展的“硬天花板”。美光1-alpha代芯片在无EUV下开发，被视为DUV可拉伸的例证；其更新的1-gamma DRAM工艺采用EUV，美光称较前代1-beta每片晶圆比特密度提升超过30%。摩根士丹利假设CXMT无EUV将停留在1-alpha工艺，但靠新建产能将其全球DRAM比特供应份额从2026年的14%提升至2028年的16%，并预计中国AI芯片自给率从2025年的42%升至2030年的70%。Mack认为无EUV的3nm或2nm节点在经济上不可行。
据《科创板日报》10月23日报道，长鑫科技表示，从中长期看AI对数据吞吐的需求仍在迅速增长，DRAM作为战略性基础设施的地位将会更加强化，公司对全球和中国DRAM产业的中长期前景保持坚定信心。长鑫科技10月16日发布2026年前三季度（2026年1月～2026年9月）业绩预告（为预告，非实际业绩）：营业总收入2650亿元～2700亿元，同比预增725.96%~741.54%；归母净利润1310亿元～1325亿元，同比扭亏为盈。公司此前在公告中表示，2025年下半年以来AI算力需求快速增长，全球DRAM行业景气度大幅提升，产品供不应求、价格大幅上涨，公司稳步推进产能建设，单位晶圆产出和产能利用率持续提高。背景方面：长鑫科技于2025年10月宣布量产LPDDR5X产品，芯片形态覆盖12GB、16GB、24GB等多个容量点，LPCAMM模组容量为16GB和32GB；今年9月，长鑫存储官宣自主研发的LPDDR6芯片已实现量产商用，首发搭载于小米18 Fold折叠旗舰手机。
本文为技术综述（背景类），讨论FinFET结构与垂直GaN在高功率电子（工业、电动车、AI数据中心）功率应用中的角色，未涉及价格或供需变化。要点：FinFET自逻辑转向功率路径，GlobalFoundries等代工厂提供FinFET工艺；Empower Semiconductor（现属Analog Devices）基于超快FinFET功率晶体管开发FinFast平台；Claros（现属Navitas）宣布将在三星美国14nm FinFET工艺上制造其集成稳压器（IVR）。据Empower，其Crescendo IVR瞬态响应较传统方案快约20倍；通过并联最多50个IVR（每个约60A）可向负载供应超过3,000A，电压跌落降低2倍，公司称可使典型AI工作负载的xPU功耗额外降低15%。2026年5月，Analog Devices宣布以15亿美元现金收购Empower Semiconductor的最终协议，交易于2026年7月完成。垂直GaN方面：2024年Power Integrations收购Odyssey Semiconductor资产以开发650V与1,200V垂直导通GaN FET；onsemi推出专有GaN-on-GaN垂直架构（vGaN），称能耗降低近50%，该技术在位于纽约Syracuse的晶圆厂（2024年底从NexGen Power Systems收购）生产；2025年10月，MIT衍生公司Vertical Semiconductor筹集由Playground Global领投的1,100万美元种子轮，基于8英寸晶圆展示100V至1.2kV垂直GaN工艺，并希望年底前推出 fully integrated 产品。原文未说明价格影响或市场供需原因。
据IT之家10月23日消息，机械革命极光产品线在极光X之外又上架一款极光16 Pro游戏本，搭载英特尔酷睿i7-13645HX处理器、RTX 4050独立显卡（6GB显存、支持140W满功耗释放）、16GB内存、512GB固态硬盘，京东显示定价8799元，首发价暂未公布，10月30日开售。该机采用16英寸电竞屏（2560×1600分辨率、180Hz刷新率、92%屏占比、500nits典型亮度、100% sRGB色域）、航空级铝镁合金机身，券后价8499元（领300元券）。此为新品上架信息，非价格变动或产能事件。
西数在日前的财报会议上公布了HDD硬盘路线图：目前40TB的ePMR硬盘预计在12月份的季度中占近线硬盘出货量的30%，明年3月份的季度中将提升到50%。更高容量依赖HAMR技术：第一代HAMR产品已与2家大客户合作，预计明年Q1季度完成认证，上半年开始出货；第二代HAMR硬盘计划于明年下半年启动认证，采用11碟片封装、单碟5TB容量，总容量达到55TB；HAMR硬盘预计可做到14碟片封装、容量达70TB，但西数未说明上市年份。价格方面，上季度中每TB的价格上涨了28%，涨幅高于前一季度的18%增速。西数预测其7大客户的订单能见度已到2030到2031年，即未来5年内订单饱满、降价不可能。此前由于对AI泡沫破灭的担忧，HDD硬盘厂商股价曾大跌。
德文特发布的综合调查研究称，全球板对板浮动连接器市场整体保持稳健增长态势，2026年市场规模达到13.00亿美元，预计到2033年将增长至24.32亿美元，2026—2033年年均复合增长率（CAGR）为9.36%。报告称中国在全球市场中的重要性持续提升，但2026年中国市场规模及占比的具体数值在文中留空（为 亿美元、占 %），预计到2033年将达到（空缺）亿美元、全球占比提升至（空缺）%。报告将板对板浮动连接器按产品类型细分为XY±0.5mm、XY±0.4mm、XY±0.85mm、XY±1.0mm、其他，下游应用划分为工业和仪表、汽车、消费电子、医疗器械、半导体设备/机器、工厂自动化，并覆盖中国、美国、德国、日本、法国、英国、意大利、韩国、东南亚、印度、拉丁美洲和中东及非洲共12个关键国家和区域。报告列出的主要领先厂商包括IRISO Electronics、Hirose Electric、Amphenol、JAE、Molex、Kyocera、Samtec、KEL Corporation、Yamaichi、Greenconn Technology、深圳锦凌电子、DDK、深台帏翔、CSCONN Corporation等；三个梯队的市场占比数值在文中同样留空（2025年第一梯队合计市场占比约为 %，第二梯队合计占比约 %）。2033年规模及CAGR为报告预测而非已实现结果；原文未说明原因（本条为市场规模报告，未涉及具体价格涨跌、产能变动或事件原因）。
SK海力士于2026年10月23日（周五）表示，将终止对Solidigm潜在pre-IPO及IPO方案的审查，Solidigm将不会在美国股市上市。SK海力士此前曾探索包括潜在IPO在内的多种融资选项，以为其在美国新建晶圆厂筹资、满足不断增长的AI存储器需求，该Solidigm美国厂成本预计为150亿至300亿美元。公司称，虽然IPO本可缓解投资负担并扩大产能以回馈股东，但鉴于市场状况及股价走势，审查已停止；金融市场波动加剧，导致半导体股出现更广泛的回调。据报道，高盛和摩根士丹利曾被定为牵头承销商，但此事已落空。IPO搁置的一个促成因素是SK海力士韩国股东担忧IPO会稀释其持股、使其价值降低。Solidigm的SSD所用NAND目前在中国大连厂生产，为192层3D NAND；据报道SK海力士已获准在大连二厂安装240层NAND设备，而第二座厂的设备安装受旨在防止中国获得最新半导体制造技术的美国技术出口限制约束。SK海力士强调对Solidigm增长的投资需求不变，将继续探索提升股东价值的替代方案。Solidigm IPO的构想于9月被报道，本拟仿效母公司SK海力士自身于7月通过美国存托股份在纳斯达克上市的做法。
容百科技计划投资约36.03亿元在襄阳建设年产20万吨钠电正极材料一体化项目，预计2026年11月开工，建设周期12个月。项目已获董事会通过，尚需股东会审议及发改委备案、环评安评能评等前置审批。公司现有NFPP钠电正极产能1.8万吨/年，已与客户签署6.4亿元预付款协议。
快科技10月23日消息，根据Trendforce最新DRAM市场报告预测，2027年面向PC市场的内存供应将出现收缩，消费端DRAM不仅更贵，也更难买到。报告指出2026年的内存涨价主要由需求端驱动，AI数据中心凭借资金大量采购闪存和DRAM，三星、美光和SK海力士的产品价高者得，虽然三大厂产能拉满，但价格仍在飙升。Trendforce分析指出，2027年可能供应端也恶化，2029年新一波晶圆厂建成投产前产能增幅有限；分析师明确预测PC市场DRAM供应量将下降。DDR市场内部竞争加剧，所有厂商的AI工作站产品线使用与消费级显卡相同的GDDR芯片，用量却是三倍，且随AI模型规模增长继续扩大；NVIDIA DGX/RTX Spark和AMD Strix Halo的内存容量相当于八台普通消费笔记本，消耗同样的LPDDR。Trendforce此前预测内存年底涨幅15%至20%，但高价对需求的抑制效应可能成为回旋镖，2026年延迟的购买需求将在2027或2028年集中释放，届时供应不足以承接。以上供应收缩与需求释放均为预测，尚未成为已实现事实。
快科技10月23日消息，Intel CTO Pushkar Ranade在美国博客节目Dwarkesh Patel的采访中表示，从技术层面看Intel已经赶超台积电，但在性能、功耗、面积和密度等方面可能还差几个百分点，到这个阶段没必要吹毛求疵。他同时承认在芯片产能上追赶台积电还是一个缓慢而渐进的长期过程，急不来。此外，前不久Intel高管曾首次明确其下一代工艺14A与台积电A14工艺的差距在5%以内，但该表态含糊，未说明是Intel领先还是台积电领先5%。文章还指出，14A能否获得更多大客户订单，关键不在那5%的技术指标，而在于产能、良率控制、按时交付能力和代工价格竞争力。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |