据DIGITIMES独家专访，蔡司半导体制造光学（SMO）总裁Christoph Hensche表示High-NA EUV已准备好进入量产，订单已排至2027年。报道指出，AI芯片需求激增延长了蔡司（EUV光刻光学关键供应商）的订单能见度，2026年和2027年的需求已经明确，蔡司及其他部分制造商未来数年的产能已被全部订满。
据SPIE Digital Library的技术分析，常规极紫外（EUV）光刻使用13.5纳米波长、通过反射光学系统配合定制光掩模，虽能以高产能打印极小特征，但每个新设计都需要昂贵的掩模组。无掩模EUV光刻提出不将图形存储在物理掩模上，而是使用可编程阵列或其他快速可寻址光学元件，将数字图形直接写入晶圆，从而避开电子束光刻串行逐点写入的速度瓶颈，缩短设计迭代周期并降低小批量生产的固定成本。文章指出该技术并非对EUV扫描仪或电子束工具的简单替代：EUV辐射被大多数材料强吸收，系统需在真空和专用反射光学下运行；可编程图形发生器需在EUV曝光下保持纳米级定位精度、控制热量与污染并避免缺陷；光刻胶在极小尺寸下的随机变异以及海量图形文件的实时处理也是挑战。首批成功应用可能是有选择性的，如快速原型、小批量先进器件、研究、掩模修复或特定关键层，而非全面取代大规模量产光刻。此内容为技术背景分析，不涉及具体厂商、产量、价格或订单数据。
中国初创公司Langdao Silex展示开发出首款国产极紫外光刻(EUV)激光光源,逐步为中国的完整供应链自主铺路。该系统名为FlintNano LPP-OXXO,据报道EUV输出功率超过15 W,所用零部件约90%为国产或自主开发。该系统采用激光等离子体(LPP)技术,即用高功率激光产生等离子体并产生先进芯片制造所需的EUV辐射,与ASML使用的工艺类似。据Langdao Silex公布的规格,FlintNano系统采用1,000 W驱动激光器,重复频率介于1至20 kHz之间;转换效率超过2%,公司声称设备可连续运行超过100小时。据称原型机适合用于晶圆曝光测试,但仍需进一步调试。背景方面,在美国政府施压荷兰政府停止销售这些先进工具后,EUV光刻设备被禁止在中国销售;ASML从未向中国交付过任何一台EUV扫描仪,荷兰政府在美国压力下于2019年实施出口封锁,尚无任何一套系统部署,但ASML继续向中国客户出货DUV系统。更重要的是,开发光源只是构建完整EUV扫描仪的一部分,此类系统还需要极其精密的反射光学器件、复杂的晶圆定位机构以及众多子系统的复杂集成。
据Tom's Hardware 2026年10月16日报道，中国初创公司Langdao Silex（2024年由清华大学气体放电等离子体实验室校友创立）在中国上海第26届中国国际工业博览会上展示了一台EUV光源原型，输出功率超过15W、90%零部件国产、并具备一定运行时间，但现场未点亮运行。其FlintNano LPP-OXXO系统采用激光等离子体(LPP)技术，配备1000W驱动激光器（工作频率1kHz–20kHz），转换效率超过2%，亮度达100 W/(mm²·sr)，可连续运行超过100小时，等离子体稳定性3% RMS、EUV输出功率稳定性5%；不过其输出仍不足以支撑高量产芯片生产，且公司未说明15W是在等离子体处还是中间焦点处测量。据TrendForce援引多方消息，该公司还需三到五年才能将该技术商业化。此外，其正在开发的高功率FlintMicro-LPP EUV光源已完成原理验证，但输出功率、转换效率和运行寿命均未披露。光源仅是EUV光刻机的一部分，完整EUV扫描仪还需收集/照明光学系统、多层膜反射镜、工件台/掩模台等进展。
三星据报道将于今年11月在得克萨斯州泰勒为其第二座芯片厂（Taylor Fab 2）动工，量产目标定在2030年。DigiTimes援引韩国The Guru报道称，Fab 2面积约为270万平方英尺。三星似乎也已在10月15日厂址附近的一场活动上确认了该时间安排，三星Austin Semiconductor的Jonathan Taylor表示建设应于下月初启动，且Fab 2将比Fab One大1.5倍。Fab 2将采用的工艺尚未公布。作为背景，第一座泰勒厂（Fab 1）已大幅超出其原定的2024年目标，目前正进行分阶段认证，已安装设备开始运行；Fab 1采用EUV光刻用于三星2nm工艺，计划2026年底投入运营、2027年量产；其最知名客户为特斯拉，双方签署了至2033年、金额165亿美元的AI6芯片协议，三星还将在得州为特斯拉以2nm工艺生产AI5；两座厂之间订单如何分配尚不明确。三星计划在得州中部投资超过370亿美元，并获得最高47.45亿美元的CHIPS法案资金支持。鉴于Fab 1耗时之久，原文指出2030年量产目标将在很大程度上取决于需求。
本文为Semiconductor Engineering发布的芯片行业每周回顾，罗列本周多项行业动态标题，包括：晶圆厂扩建加速；中国在存储和EUV方面取得进展；Teradyne的测试交易；SEMICON West和OCP亮点；3D SiP；TSMC和ASML的信号；300mm晶圆厂支出；光学和3D计算初创公司获得新融资；量子硬件进展。原文仅为标题式汇总，未给出具体数字、日期、价格、产能变化幅度、交易条款或事件状态等细节，也未说明原因。
台积电董事长兼CEO魏哲家在第三财季（2026年7月～2026年9月）财报电话会上宣布已量产5倍光罩尺寸先进封装，良率“非常优秀”，并称目前除台积电外尚无其他企业能做到这一规模，客户对量产结果十分满意。台积电正在开发9倍光罩尺寸封装，并朝14倍光罩尺寸推进。TechNews援引Anue今年8月报道：台积电5.5倍光罩尺寸CoWoS已进入高量产阶段，多家AI客户产品良率稳定超过98%，部分甚至达到99%；公司计划到2029年将CoWoS扩展至14倍以上光罩尺寸。面对英特尔EMIB等竞争方案，魏哲家未直接点名，但表示若客户在竞争对手处无法获得足够的先进封装产能，台积电将做好准备，其首要任务是确保客户产品顺利上市并提供最佳技术与足够产能。
中国半导体技术初创公司朗道硅芯(Langdao Silex (Shanghai) Technology)公开展出一款极紫外(EUV)光源原型,宣称国产化率达90%,样机输出功率为15W。原文未说明原因。该公司称此举标志着中国在发展国产光刻技术方面的进展,但该系统距离量产仍有三至五年,输出功率和长期稳定性是主要工程挑战。该事件为原型亮相,尚不代表量产或商用。
台积电3Q26财报后，外资券商发布解读：台积电将2026年营收增长展望上调至44%（同比），并预计4Q26再创单季纪录，同时维持2026年资本支出指引在600亿–640亿美元，但示意未来三年支出显著提高；文中指出，在半导体设备价格上涨背景下，台积电承认"设备通胀是真实的"，为资本支出进一步增加埋下伏笔。券商据此上调资本支出预测：UBS最乐观，预计2027年支出同比增长约45%至900亿美元，2028年再增至1,050亿美元；Morgan Stanley根据对设备供应商的初步查核，预计2027年EUV机台订单可能翻倍、2028年再增25–30%，并将2027/2028年资本支出估计分别上调至830亿和920亿美元；Goldman Sachs与BofA Securities均预计2027年支出达850亿美元。以上均为计划/预测，尚非已实现支出。产能方面：台积电计划加速2nm量产并扩建3nm产能（后者规划四座晶圆厂）；2nm营收占比从上季3%升至3Q26的8%，管理层预计2027年产能"将增加超过一倍"。毛利率承压：4Q毛利率指引65–67%，较3Q的66.4%上行空间有限（券商评估归因于2nm爬坡拖累盈利）；Citi、UBS与Goldman Sachs均预测2026年毛利率66.6%，2027年升至66.7–68.9%，2028年达67.1–68.9%。定价方面：Daiwa预测台积电以8英寸约当晶圆计的平均售价从2026年的3,513美元升至2027年的4,034美元、2028年的4,231美元；UBS模型更乐观，预计2026/2027/2028年分别为3,691/4,417/5,177美元。先进封装：Aletheia预计台积电尖端晶圆营收2026–2028年翻倍、先进封装营收同期增至四倍；Goldman Sachs预测CoWoS产能2026年达127.5万片晶圆（约每月10.6万片），2027年同比激增114%至273万片（每月22.75万片），2028年再增27%至348万片（接近每月29万片）。
台积电于10月15日公布第三季度业绩：营收约463.6亿美元（1.49万亿元新台币），同比增长50.9%、环比增长17.6%；净利润约235.9亿美元（7631亿元新台币），同比增长68.7%、环比增长8.0%，连续第六季创盈利纪录，均超市场预期，公司称业绩超预期主要得益于全球对人工智能芯片持续强劲的需求。2纳米制程首次规模量产贡献8%的晶圆销售额，高性能计算平台营收占比升至68%，北美客户贡献79%；毛利率降至66.4%、略低于预期，公司称受2纳米初期量产摊薄影响。前瞻方面（属指引而非已实现结果）：公司预计第四季度销售额523亿至543亿美元，超出市场预估503.5亿美元约6%，毛利率65%至67%；全年营收增速预期由略高于40%上调至约44%，资本支出维持600亿至640亿美元。管理层称需求仍远超供给，AI智能体的CPU需求正在增长，预计第四季度需求持续强劲，并正评估得州扩产。
三星奥斯汀半导体（SAS）在2025年报告称，其奥斯汀和泰勒两座园区向得克萨斯中部经济注入了总计109亿美元，支持了28,746个岗位并支付了20亿美元的工资。该园区为当地税收贡献了2.182亿美元，向奥斯汀园区供应商支付了19亿美元，向泰勒园区供应商支付了740万美元，慈善捐赠近400万美元，劳动力发展投资590万美元。公司计划在2026年利用极紫外（EUV）技术在泰勒建立晶圆厂以生产2纳米芯片，预计年底前投入运营，并计划在未来几年在该地区投资超过370亿美元。
据ZDNet援引业内消息，三星考虑为OLED Galaxy智能手机所用显示驱动IC（DDI）增加GlobalFoundries作为第二家代工伙伴，可能结束UMC的独家代工地位；GlobalFoundries代工的DDI最早或于2027年底出现在Galaxy智能手机中，部分中低端Galaxy A系列机型或率先采用，三星据报正在评估GlobalFoundries的22nm或28nm节点，其在新加坡和德国拥有兼容制造设施。背景原因：自2025年下半年以来成熟制程需求超过供给，UMC无法承接额外订单；据ZDNet，三星在7月发布Galaxy Z Fold8后因需求超预期要求加快DDI生产，但UMC因22nm DDI产能已达上限而无法满足，三星因此将9月Galaxy Z Fold8零部件计划产量削减10%，将延后产量移至10月。另据Economic Daily News，机构投资者预计UMC 12英寸产能利用率到2026年底达93%，受三星System LSI与联咏22/28nm DDI订单及55/65nm Apple Mac相关芯片需求支撑；TrendForce称部分产能受限的12英寸成熟制程节点2026年第二至第三季度出现5–10%涨价迹象，2027年预计更大范围涨价。以上均为报道/评估或预期，非已确定事项。
根据10月15日发布的信息，台积电在其3Q26财报电话会（10/15）上表示，在5X掩模版（reticle）尺寸的先进封装上没有其他厂商处于量产状态；同时C.C.魏（C.C. Wei）暗示，如果英特尔的EMIB-T不及预期，台积电将会介入——此为条件性表述，并非已确定的计划或已发生的事件。电话会中涉及CoWoS、英特尔EMIB-T和GlobalFoundries的相关问答，具体发言内容在帖子中未完整展开。
西门子宣布与英伟达(NVIDIA)在计算光刻领域的合作取得重大进展:通过将NVIDIA cuLitho(CUDA-X GPU加速计算光刻库)集成到Calibre制造软件中,为全芯片光学邻近校正(OPC)工作负载提供最高12倍的加速,并为关键光刻仿真工作负载提供至少10倍的加速;经核实工程数据支持的仿真加速范围为至少10倍至17倍。该合作使制造商能够使用逆向光刻技术(ILT)等最先进的计算光刻方法,对高数值孔径极紫外(High-NA EUV)光刻的掩膜版进行实用的全芯片优化,以应对AI计算与存储器件领先级图形化在运行时间和复杂度方面的关键挑战。西门子称这有助于减少仿真运行时间、更早发现光刻热点、在流片前提升工艺裕度,并支持新AI芯片的部署。原文未说明此次合作对具体价格或供需的影响。
ASML表示，其目前规划的2027年和2028年产能将无法完全满足客户需求，因此正在研究将2028年产能提升至超出此前宣布的增幅。ASML已计划在2027年将低NA EUV和DUV浸没式光刻产能较2026年水平提高30%；据公司Q2报告，当时正在研究2028年进一步增加30%，而ASML现在希望超越这一2028年目标。原因方面，原文说明客户不断上调短期和中期需求预测，主要驱动因素是客户对AI相关投资规模及其持续时间的预期，部分客户还询问了2029年甚至2030年的订单。截至2026年10月15日发布的第三季度业绩：总净销售额达创纪录的117亿欧元，高于上季度的93亿欧元；其中装机基础管理（服务与现场升级）收入33亿欧元，超出指引；毛利率从上季度的54.0%升至57.5%；净利润50亿欧元，高于上季度的29亿欧元；本季度售出113台新光刻系统（上季度为86台）及8台二手系统。公司预计第四季度总净销售额在142亿至152亿欧元之间，毛利率约57%；全年销售额预计在440亿至450亿欧元之间，毛利率约56%。产能扩张目前处于计划/研究阶段，尚非已实施事实。
根据TrendForce转发的消息（10月15日），在台积电3Q26财报电话会（10/15）上，C.C. Wei表示台积电将于2030年开始使用High NA EUV，并称较竞争对手更晚采用该技术并无劣势。这是计划中的技术采用安排，属于规划而非已实施事项；原文未说明原因。
ASML于2026年10月14日发布2026年第三季度财报，称AI热潮带来的空前支出与投资并未放缓，客户已在排队为其先进芯片制造设备下单2029年和2030年的产出；CEO Christophe Fouquet表示，尽管公司在7月宣布了2027年提升产能30%、2028年再提升30%的计划，公司将难以满足需求。公司还确认将从2027年起提价，全部效果将在2028年显现。Q3 2026财报显示净利润为49.6亿欧元，净销售额为117亿欧元；公司预计第四季度销售额为142亿至152亿欧元（159亿至170亿美元），并将全年销售预期从至少430亿欧元上调至440亿–450亿欧元。周三ASML股价上涨2%，今年迄今累计上涨近70%，市值达5860亿欧元，成为欧洲市值最大的公司。此外，据Reuters报道，据报道Terafab将于2027年中期从ASML收到其首台EUV芯片制造工具；CFO Roger Dassen称仍在评估该（Terafab）机会的确切规模。
荷兰Prodrive Technologies在10月13日于旧金山Moscone Center举行的SEMICON West 2026上表示，计划在2026年底至2027年初之间在韩国开设办事处，以加强对包括Hanwha Semitech在内的当地客户的支持并通过销售活动扩大业务。该公司称目前正在招聘当地员工为开设办事处做准备，并表示预计在"今年年底左右或明年初"开设，正在考虑将Dongtan和Pangyo作为候选地点。韩国办事处将负责销售和客户支持，正在招聘一个小规模团队；公司代表表示没有在韩国设立制造设施的计划，因为可以从马来西亚、中国和欧洲支持韩国客户。Prodrive还在马来西亚建设新的制造设施，并在荷兰、美国波士顿和中国设有生产基地，在日本和以色列设有销售办事处，全球员工约2300人。其为半导体设备制造商开发模块并提供系统集成服务；此前Hanwha Semitech与Prodrive合作开发混合键合设备，今年早些时候第二代混合键合设备SHB2 Nano在Prodrive荷兰工厂制造和组装后被运往韩国；Prodrive还为ASML极紫外(EUV)光刻设备中磁悬浮系统供应直线电机和伺服驱动器。
据TrendForce转发消息，台积电CEO魏哲家（C.C. Wei）表示，尽管围绕英特尔EMIB先进封装技术的讨论升温，台积电并不在意，并称台积电是唯一能够以高良率量产5倍 reticle 尺寸先进封装的厂商，且已朝9倍 reticle 尺寸方向推进。该消息为台积电对自身封装产能与技术地位的表态，原文未说明原因之外的其他背景，未涉及具体价格或数量变化。
台积电董事长兼CEO魏哲家于10月15日表示，由于AI加速器需求持续超过供给，公司认为其盈利能力没有上限。他还表示AI相关增长可能超过公司的长期预测，并概述了计划于2030年采用高数值孔径极紫外（High-NA EUV）光刻技术。该High-NA EUV adoption为计划状态，尚未实施。
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| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |