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三星将于11月动工泰勒第二座晶圆厂,量产目标定于2030年

三星据报道将于今年11月在得克萨斯州泰勒为其第二座芯片厂(Taylor Fab 2)动工,量产目标定在2030年。DigiTimes援引韩国The Guru报道称,Fab 2面积约为270万平方英尺。三星似乎也已在10月15日厂址附近的一场活动上确认了该时间安排,三星Austin Semiconductor的Jonathan Taylor表示建设应于下月初启动,且Fab 2将比Fab One大1.5倍。Fab 2将采用的工艺尚未公布。作为背景,第一座泰勒厂(Fab 1)已大幅超出其原定的2024年目标,目前正进行分阶段认证,已安装设备开始运行;Fab 1采用EUV光刻用于三星2nm工艺,计划2026年底投入运营、2027年量产;其最知名客户为特斯拉,双方签署了至2033年、金额165亿美元的AI6芯片协议,三星还将在得州为特斯拉以2nm工艺生产AI5;两座厂之间订单如何分配尚不明确。三星计划在得州中部投资超过370亿美元,并获得最高47.45亿美元的CHIPS法案资金支持。鉴于Fab 1耗时之久,原文指出2030年量产目标将在很大程度上取决于需求。

2 nm process1.4 nm process
Taylor Fab 2Taylor Texas groundbreaking November mass production 2030EUV

来源:TechPowerUp · 2026/10/16 · 查看原始来源

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