北大团队实现2D半导体2英寸单晶生长
北大与中科院团队利用同族金属元素修饰蓝宝石表面，成功实现2英寸单晶WS2或MoS2生长。该技术针对商用C/M级蓝宝石，解决了2D半导体外延生长的挑战。
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虽为重大技术突破，但尚未影响现货市场供需。
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- Peking University, Chinese Academy of Sciences
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北大与中科院团队利用同族金属元素修饰蓝宝石表面，成功实现2英寸单晶WS2或MoS2生长。该技术针对商用C/M级蓝宝石，解决了2D半导体外延生长的挑战。
虽为重大技术突破，但尚未影响现货市场供需。
台积电与阳明交大团队开发出0.42纳米氧化铝界面，用于单层二硫化钼晶体管。该技术解决了二维半导体栅极介电层成核难题，实现了强电场控制与低漏电。
该技术属于基础研发突破，目前对现货价格及供需无直接影响。
imec、ASML 与台积电在 300mm 晶圆上实现 50nm 接触栅极间距的二维互补晶体管集成。该成果采用单次 EUV 光刻与反向薄膜晶体管结构，验证了二维材料在先进逻辑工艺中的可行性。
关注：该技术路线图将二维半导体推向后硅时代，但预计 2041 年前难以量产。
imec、ASML与TSMC在300mm晶圆上成功集成互补2D晶体管，实现50nm节距。该成果利用EUV光刻技术打印28nm栅极，94%器件正常工作，是2D材料集成的重要里程碑。
该技术突破属于长期研发进展，对当前现货市场供需及价格无直接影响。
东京大学团队在《Science》发表论文，利用BN纳米管作为模板合成了1纳米MoS₂纳米管。该成果验证了理论预测并展示了结构控制潜力，但距离实际应用还很远。
关注：技术突破为未来超小型半导体通道提供新路径，但距离量产应用尚远。
中国国防科技大学与中科院金属所团队利用液态金/钨双金属薄膜CVD法，实现了亚毫米级单层WSi₂N₄薄膜的晶圆级生长，生长速率较文献提升约1000倍。针对后摩尔时代传统硅基芯片面临的短沟道效应与功耗墙挑战，该技术有望解决现有2D材料中高性能p型材料稀缺的瓶颈。
该技术为下一代芯片材料提供了关键支持，但需长期产业化验证。
IEDM 2025会议聚焦钌金属互连与二维沟道材料研发，三星实验显示超细钌线电阻降低46%，imec展示了16nm间距下的高良率互连结构。背景是铜互连在先进制程面临电阻飙升问题，二维材料旨在解决晶体管漏电。
均为远期技术探索，对当前供应链、库存及现货价格无直接影响。
德国亚琛工业大学与于利希研究中心成功将低压纳米二硫化钼忆阻器集成至CMOS芯片。该研究旨在利用二维材料的优异电性能推动神经形态计算等先进电子应用发展。
此为远期研发里程碑，对当前半导体供应链、现货价格及交易决策无直接影响。
比利时研究机构imec在IEDM 2025上展示了基于单层WSe2的p型FET，实现了690µA/µm的创纪录驱动电流，并改进了源漏接触和栅极集成等制造兼容模块。该成果旨在探索二维材料以延续逻辑工艺路线图，属于长期技术研发。
此为远期技术里程碑，对当前半导体元件供应、价格及交易决策无直接影响。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
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| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |