北大团队实现2D半导体2英寸单晶生长
北大与中科院团队利用同族金属元素修饰蓝宝石表面,成功实现2英寸单晶WS2或MoS2生长。该技术针对商用C/M级蓝宝石,解决了2D半导体外延生长的挑战。
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虽为重大技术突破,但尚未影响现货市场供需。
- Related manufacturers
- Peking University, Chinese Academy of Sciences
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- 10 / 100, low impact
北大与中科院团队利用同族金属元素修饰蓝宝石表面,成功实现2英寸单晶WS2或MoS2生长。该技术针对商用C/M级蓝宝石,解决了2D半导体外延生长的挑战。
虽为重大技术突破,但尚未影响现货市场供需。
imec、ASML 与台积电在 300mm 晶圆上实现 50nm 接触栅极间距的二维互补晶体管集成。该成果采用单次 EUV 光刻与反向薄膜晶体管结构,验证了二维材料在先进逻辑工艺中的可行性。
关注:该技术路线图将二维半导体推向后硅时代,但预计 2041 年前难以量产。
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