KAIST与TDS Innovation团队10月7日Nature发文展示EF-SCN工艺控制2D半导体单点成核,2厘米衬底400个位点397个形成单晶(良率99.3%),目标2030年前后商用
KAIST与韩国初创公司TDS Innovation的研究人员参与的团队于10月7日在Nature发表论文《Spatially deterministic nucleation of 2D semiconductors by etching flux》,展示了一种控制二维半导体晶体生长起始位置的方法:EF-SCN(刻蚀通量介导的单中心成核)工艺利用氧化阻挡层释放的氧产生横向刻蚀通量,抑制图案化生长区内除几何中心外的所有成核。该工艺制得的MoS₂场效应晶体管报告了高于此前已报道的选择性生长MoS₂晶体管的载流子迁移率;在2厘米衬底的单独测试中,400个图案化位点中有397个形成单晶,良率99.3%,但这尚非商业化芯片生产的验证。论文共同作者Kibum Kang为TDS Innovation联合CEO,该公司开发二维半导体设备与材料。TDS的Jony Jung表示目标是让二维半导体在2030年前后实现商用,并称AI(包括物理AI和机器人)需求加速可能提前采用,但量产时间将取决于进一步验证;论文未说明该工艺何时可用于量产芯片。
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- KAIST, TDS Innovation
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