GF发布7nm级FDX Fusion节点,密度翻倍
GlobalFoundries宣布推出7nm级FDX Fusion节点,密度较22FDX翻倍。该工艺定位于汽车、边缘AI及工业领域,计划于2028年在德累斯顿量产。
FD-SOI相关芯片供应预期,长期产能扩张可能引发价格承压。
- Related manufacturers
- GlobalFoundries
- Impact score
- 10 / 100, low impact
GlobalFoundries宣布推出7nm级FDX Fusion节点,密度较22FDX翻倍。该工艺定位于汽车、边缘AI及工业领域,计划于2028年在德累斯顿量产。
FD-SOI相关芯片供应预期,长期产能扩张可能引发价格承压。
Toshiba推出3300V高压SiC MOSFET模块,额定电流达800A。Vishay新增50-150A 650V超结MOSFET模块,工作温度范围宽达-55至+150℃。
新功率模块发布通常预示着产能扩充或技术迭代,短期对现货价格影响中性,但利好相关产业链。
东芝推出IX800FXF2YMS4 3300V/800A SiC MOSFET模块,采用第三代技术及银烧结工艺。该产品主要面向轨道交通、UPS等高功率应用场景。
新产品发布,暂无供需或价格变动信号。
YAGEO推出用于碳化硅和氮化镓栅极驱动的LLC变压器及多层压电致动器。此举旨在拓展其在高功率电子与精密运动控制领域的应用版图。
该新品对相关细分市场需求的结构性拉动。
东芝推出IX800FXF2YMS4,一款用于工业设备的第三代3300V SiC MOSFET模块。该产品针对铁路车辆和可再生能源系统进行了优化。
该产品展示了东芝在高压SiC领域的持续技术升级。
Alkaidsemi推出全球首款1200V SiC超结MOSFET。该产品率先完成验证,瞄准AI服务器电源及高压直流数据中心架构。
验证成功有助于抢占AI服务器电源市场,利好SiC功率芯片需求预期。
Taisic Materials于9月2日推出p型SiC衬底,用于超高压电网及铁路系统。该产品隶属于Kenmec集团,旨在满足高功率电气系统的需求。
该新产品对SiC衬底市场的潜在需求拉动。
Coherent启动300mm高导热SiC衬底客户送样,散热性能较现有方案提升25%。此举旨在满足AI及HPC领域日益严苛的散热需求。
标志着公司SiC材料技术从研发向商业化评估过渡,未来有望增强先进封装散热材料供应能力。
Aratas America LLC推出G3VH高压SiC MOSFET继电器,支持1800V和3300V负载电压。该继电器利用SiC技术实现高电压耐受能力和低导通电阻,适用于半导体测试设备等场景。
信号。
Coherent Corp开始向AI半导体合作伙伴送样300mm高导热碳化硅衬底。此举旨在推进其可扩展材料平台,以满足AI和高性能计算系统日益增长的散热需求。
该产品发布预示着AI散热材料需求增长,可能推动相关SiC衬底供应链的长期需求。
NoMIS Power演示了首款6.5kV大尺寸SiC MOSFET,阻断电压超8kV,导通电阻90mΩ,目前处于样品阶段。该产品计划于2026年第四季度量产,并扩展至10kV及以上的高压SiC器件路线图。
高压SiC器件路线图延伸,但量产时间较晚,对当前供需无直接影响。
Power Integrations宣布其PowiGaN技术电压等级提升至2200V,预计2028年底量产。该技术打破了此前1700V的电压上限,将应用于数据中心和电动汽车等高功率场景。
高压GaN市场前景明确,将推动相关产品未来价格上涨。
Power Integrations宣布推出业界首款2.2kV横向GaN开关,采用Cascode配置。该技术演示瞄准数据中心和电动汽车辅助电源等高电压应用。
这一里程碑表明GaN技术正向更高电压演进,将影响未来的功率密度和供应链规划。
英飞凌推出首款针对AI数据中心HV DC总线的24kW SiC BBU参考设计。该设计采用650V和1200V SiC技术,功率密度达450W/in3,效率超99%。
此设计有望加速数据中心向高压直流架构转型,利好英飞凌SiC产品需求。
Navitas在PCIM 2026上首次披露直接安装在散热器上的高耐压SiC新封装。该技术通过集成散热结构优化热管理,提升功率器件性能。
属于技术趋势展示,目前无明确的供需或价格影响数据。
Murata推出GCJ21BD72A225KE02,首款0805尺寸2.2µF 100V汽车MLCC。该器件专为48V架构设计,较前代节省51%安装面积。
Murata扩充汽车级MLCC产品线,主要影响供应链布局而非即时价格。
罗姆半导体推出TSC3PAK顶部冷却封装,尺寸为14.00 × 18.58 × 3.50 mm。该封装旨在结合自动贴装与接近TO-247-4L的热耗散,适用于电动汽车和工业系统。
其能否解决SiC封装瓶颈或提升自动化效率。
Nexperia推出1200V SiC MOSFET QDPAK封装。该封装专为高功率密度和热需求应用优化,扩展了其宽禁带产品组合。
新封装有助于提升SiC器件在高功率场景下的散热性能与市场竞争力。
Wolfspeed发布第五代SiC MOSFET技术,针对1200V和750V汽车及工业应用。该技术展示了显著的效率提升,旨在满足下一代功率器件需求。
新世代产品发布通常预示未来需求增长,但短期内对现货价格影响有限。
英飞凌将向西门子供应SiC功率模块用于SENTRON 3QD2固态断路器,旨在提升数据中心及工业设施的可靠性。此举利好SiC功率模块需求前景,但暂无具体价格变动数据。
Whose chips are really inside the hottest new products? We open them up and show you, one part at a time.
All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |