NuAxi Stream - Real-Time Semiconductor Intelligence

Thu, Oct 22

11 items

23:00Impact score 30
纳微推出面向电网基础设施的2300 V碳化硅功率模块
纳微半导体推出G4H08MT23GB4系列2300 V碳化硅(SiC)全桥功率模块，面向能源转换与电网基础设施，基于行业标准SiCPAK™封装形式，导通电阻(RDS(on))为8 mΩ，采用纳微第四代GeneSiC™ Trench-Assisted Planar™ (TAP)技术。该系列扩展了纳微包含2300 V和3300 V器件的超高压SiC产品组合，目标应用包括固态变压器、电网级电池储能系统、太阳能逆变器、兆瓦级EV充电基础设施和高压DC-DC转换。模块采用氮化铝(AlN)活性金属钎焊(AMB)基板以改善散热并提供超过5 kV的电气隔离，环氧树脂灌封可减少内部机械应力并限制湿气和污染物侵入，据纳微称其导热性是硅凝胶的十倍；大电流压接引脚每引脚载流能力是标准压接连接的两倍，并可选预涂导热界面材料(TIM)。该系列计划按纳微AEC-Plus可靠性基准进行资格认证(该基准超出AEC-Q101和JEDEC要求)；G4H08MT23GB4(HC)系列样品(含大电流变体和预涂TIM选项)现已可提供，工程师还可申请EVB-UHVSIC-GB-E-DPT-1双脉冲测试系统。原文未说明价格或供货量产时间表。
2300 V silicon carbide (SiC) full-bridge power modulesNavitas Semiconductor
21:55Impact score 40
意法半导体在集成高效率功率产品系列中新增MasterGaN7器件
意法半导体（STMicroelectronics）扩展其MasterGaN集成晶体管/驱动器产品系列，新增MasterGaN7器件，内置650V增强型GaN晶体管，最大电流额定值为6A。新系列面向电源适配器、充电器、工业照明设备和太阳能微型逆变器等应用，帮助设计人员提升效率和功率密度。MasterGaN7以半桥配置连接两个650V GaN晶体管，并搭配高压高频栅极驱动器，采用与其他MasterGaN器件共享引脚和封装尺寸的QFN封装；其引入低压差（LDO）稳压器以稳定栅极驱动电压，并具备带超快速唤醒的引脚驱动关断模式以降低无负载功耗。新器件传播延迟为45ns，最短导通时间短，开关频率最高可达2MHz，仅需少量外部磁性和无源元件即可完成电路设计，有助于缩小电路面积、降低BOM成本并最大化功率密度，还集成自举二极管为高侧驱动器供电。所有MasterGaN器件支持有源钳位反激、不对称半桥、反向降压、谐振LLC、功率因数校正（PFC）变换器和DC-AC逆变器等多种拓扑，并集成防交叉导通互锁、欠压锁定（UVLO）和热关断等保护功能。原文未说明价格或供货时间。
MasterGaN7STMicroelectronics
21:52Impact score 10
Robotiq发布2FC物理AI夹爪，预购今日开启，计划2027年第一季度发货
Robotiq于今日发布2FC物理AI夹爪，这是一款具备触觉传感与嵌入式智能、可投入生产的自适应夹爪。预购今日开启，计划于2027年第一季度发货（发货为计划状态，尚未实现）。该产品在Robotiq 2F自适应夹爪（全球部署超过30000台的平台）基础上增加了触觉传感、腕部算力（AI Hub）以及Contact Core物理AI软件；夹爪可捕获压力、振动、本体感觉、力、位置和电流等接触数据并以毫秒级同步，当前可在本地实时运行抓取质量评估、滑动前兆检测、物体位姿估计、物体居中和高级抓取检查等抓取技能。夹爪额定200万次循环，支持平行与包裹式抓取；现有2F夹爪用户可加装TSF触觉传感器和AI Hub进行升级而无需更换夹爪。
Robotiq
19:00Impact score 30
Allegro推出面向机器人的48V电源与精密传感器产品
Allegro MicroSystems宣布扩展其机器人产品组合，推出面向人形机器人的48V电源管理与精密位置传感解决方案，涵盖系统尺寸、重量、热管理、扭矩密度与功能安全等目标，并与Sarcomere Dynamics开展合作以支持更接近人类灵巧度的机器人开发。新推出的A81481电源管理IC将电源调节与安全监控集成在6 × 6毫米封装中，内置两个降压稳压器、五个低压差(LDO)输出及三看门狗架构的安全诊断，其ASIL-D级安全特性支持安全关键设计；据Allegro称，A81481可将整体系统占用面积和物料清单成本降低约50%。A17802和A17803电感式位置传感器为肩、髋、膝等机器人关节中高扭矩执行器提供转子位置反馈，其中A17803还提供超紧凑QFN封装。针对机器人手部与手指应用，Allegro提供CT310 XtremeSense TMR角度传感器（2 × 2毫米DFN封装、亚度级角度精度）和A33023霍尔效应角度传感器。Allegro的Robotics Building Blocks计划为上述五款器件提供样品与评估支持，并将在electronica 2026展会Hall C6、129号展位展示其机器人电源与传感解决方案。原文未说明原因（本条为产品发布，无价格或供需变动信息）。
48V power management IC (PMIC)inductive position sensors TMR angle sensorAllegro MicroSystems
18:24Impact score 10
壹号本今年6月发布OneXPlayer 3三合一游戏掌机，首发预售价8999元起，首发搭载英特尔Arc G3 Extreme平台，官方数据显示该芯片35W TDP下《赛博朋克2077》可达119帧
据IT之家评测，壹号科技于今年6月发布OneXPlayer 3三合一PC游戏掌机（掌机、平板、迷你笔记本三形态切换），首发预售价8999元起，并成为首款搭载英特尔Arc G3 Extreme平台的便携PC。该SoC基于英特尔Panther Lake架构与Intel 18A制程，采用14核14线程混合架构（2性能核+8能效核+4超低功耗能效核）、12MB缓存、最高睿频4.7GHz，基础功耗25W，可在8W至35W范围调节；内置Xe3架构锐炫B390核显（12组Xe3图形核心，最高动态频率2.3GHz），NPU算力46~50 TOPS，平台总AI算力最高180 TOPS。官方数据显示该芯片在35W TDP下即可实现《赛博朋克2077》119帧的游玩表现。评测机为24GB+1TB版本，配备8.8英寸1920×1200 OLED屏（1100尼特HDR峰值亮度、144Hz可变刷新率）、85Wh电池、LPDDR5X-8533内存（实测读取带宽94117 MB/s、延迟102.2 ns）及铠侠EXCERIA BASIC 1TB PCIe4.0 SSD（CrystalDiskMark SEQ1M Q8T1顺序读取6226.79 MB/s、写入6590.29 MB/s）。实测35W档位下3DMark Time Spy总分6653（显卡6193）、Fire Strike总分12891（显卡15874）、Solar Bay 26224分；烤机30分钟封装功耗稳定35W上下、温度76~79℃。游戏实测（1920×1200、35W档）：《赛博朋克2077》低预设+XeSS帧生成平均222.15FPS，高预设+光追低+XeSS帧生成平均140.81FPS，关闭XeSS帧生成高画质平均58.54FPS；《黑神话：悟空》中画质XeSS 4X平均152fps、XeSS 2X平均93fps、关闭超分平均55fps；《地平线6》原生低画质两轮平均68FPS、65FPS；《CS2》1080P高画质实战平均约100FPS。掌机形态实测重量939g，平板模式主机超770g。
英特尔锐炫 G3 Extreme（Arc G3 Extreme）锐炫 B390 核显壹号本科技, 英特尔
16:36Impact score 20
ADEPT台湾举行首次线下会议，PLP与基板标准化工作获得推进动能
全球电子协会旗下的先进电子封装技术（ADEPT）委员会在台湾举行首次线下会议，同时面板级封装（PLP）与基板标准化工作正在获得推进动能。原文未说明原因，也未给出具体时间、参与厂商或标准化工作的具体进展细节。
PLP substrate
11:30Impact score 58
传闻：谷歌据称在基板良率仅35%的情况下继续采用英特尔EMIB-T，HumuFish进度趋紧令TPU v9或延迟的不确定性上升
据业内消息（Reportedly，传闻性质），谷歌据称在基板良率仅为35%的情况下仍继续采用英特尔EMIB-T技术，而HumuFish版本的进度趋紧。行业消息人士指出，HumuFish版本是主要担忧领域，存在被报道的良率问题。围绕谷歌TPU v9可能延迟的不确定性正在增加；原文未说明延迟是否已发生，也未给出具体时间表，良率问题为消息人士报告的担忧原因。
TPU v9 HumuFish EMIB-T substrateGoogle, Intel
09:40Impact score 20
NVIDIA新CPO原型将光引擎从封装基板移至中介层，有望提升带宽密度，仍处早期设计阶段
TrendForce转发消息称，NVIDIA展示了一款新的CPO（共封装光学）原型，该设计将光引擎从封装基板移至硅中介层上，可能提升带宽密度。报道称这是早期阶段的设计，并提出其能否塑造NVIDIA未来AI互连的问题；来源未说明任何量产、供应或价格影响。
CPONVIDIA
02:33Impact score 20
Microchip推出抗辐射GaN负载点转换器POL-05-20S-T，输出最高20 A，现已量产供货
Microchip推出面向太空电子的抗辐射GaN point-of-load转换器POL-05-20S-T，可连续输出最高20 A电流，用于为FPGA、MCU等数字负载供电；采用同步buck拓扑和电流模式控制，输入电压范围4.75 V至13.2 V，输出可在0.7 V至5 V范围内调节。电气参数已在最高50 krad(Si)辐照前后进行规定，单粒子效应(SEE)已表征至43 MeV·cm²/mg的线性能量转移(LET)，转换器可在−55°C至+100°C温度范围内满载工作，封装为1.51×1.51×0.45英寸表面贴装封装，现已可量产供货。原文未说明原因（非事件类报道）。
GaN point-of-load converter GaN power HEMTsMicrochip
02:32Impact score 10
BrainChip推出Sequora处理器IP核，可在电池供电边缘设备上直接运行生成式AI与大语言模型，现已可授权
BrainChip推出Sequora处理器IP核，可在耳机、传感器节点等电池供电的边缘设备上直接运行生成式AI和大语言模型（LLM）。Sequora与该公司Akida神经处理器IP搭配处理互补的AI工作负载：Akida处理包括振动、音频、雷达、原始RF IQ数据和生物信号在内的流式传感器数据，Sequora运行生成式和顺序AI任务，涵盖设备端LLM推理、语音到语音交互和AI代理。Sequora针对状态空间模型（SSM）优化，通过固定大小状态表示输入历史，使内存需求不随序列长度变化，适合资源受限边缘设备上的生成式AI工作负载。它采用统一的乘加（MAC）阵列同时用于信号处理和神经网络计算，无需独立DSP预处理阶段，其指令集架构（ISA）允许通过软件更新部署新算法。Sequora现已作为可授权半导体IP提供，以工艺可移植、完全可综合的RTL形式交付，包含验证IP、综合脚本以及带有编译器、C++运行时库和模型库的SDK。
Sequora processor IP core Akida neural processor IPBrainChip
02:30Impact score 60
据报道良率仅35%谷歌仍坚持采用英特尔EMIB-T，HumuFish日程趋紧
据报道，尽管英特尔EMIB-T基板良率不佳，谷歌仍坚持让HumuFish完全采用EMIB-T。行业消息人士称，EMIB-T基板良率在2026年第三季度约为35%，远低于年底设定的50%目标；良率不佳的原因据称为ABF基板与嵌入硅桥在高温处理中热膨胀差异导致对准困难，以及桥下TSV所用的NCF（非导电膜）在键合时可能困住气泡、削弱粘附力。虽然市场有HumuFish延迟的传闻，且存在转用台积电CoWoS-L的可能性，但供应链查核显示HumuFish仍'100%' commitment于EMIB-T。英特尔已调整基板电镀工艺，Ibiden、欣兴（Unimicron）、新光（Shinko）等供应商持续努力改善良率。谷歌TPU v9系列确认包含三个变种：博通设计的WhaleFish（预计采用台积电CoWoS-L，2027年下半年量产）、联发科设计的HumuFish（计划2028年上半年量产，完全依赖英特尔EMIB-T）和TriggerFish（计划采用EMIB-T，目标2028年下半年或之后量产）。据TechNews援引分析师郭明錤，TriggerFish定位为推理能力更强的升级版TPU v9，相对HumuFish有三项升级：SRAM容量提升2–3倍、增加一颗仿真die、从HBM4转向HBM4E。延迟方面，谷歌设计的Compute Die A（基于台积电N2工艺）流片已推迟至10月下旬，其他die仍按计划进行，预计将推迟完整封装的试产；Commercial Times进一步指出，联发科参与的谷歌TPU v9项目（HumuFish）流片可能因设计修订推迟至2027年1月，出货可能因此延迟至2028年第一季度。由于HumuFish要到2028年上半年才量产，供应链仍有一些时间解决EMIB-T的剩余问题，但若流片推迟到2027年1月将压缩缓冲时间。
Intel EMIB-T substrates ABF substrates NCF (Non-Conductive Film)Google, Intel and 8 total

Wed, Oct 21

8 items

23:30Impact score 30
NVIDIA发布采用硅中介板上光学(OOI)的下一代CPO原型，目标更高带宽密度，两项技术仍处研究阶段且未公布商业化时间表
NVIDIA在SEMICON West 2026上以"Optical Integration for the Next Generation of AI"为主题展示下一代共封装光学(CPO)技术，包括光学引擎从有机封装基板移至承载计算芯片的硅中介层上的OOI原型，据The Elec称该设计可消除电信号路径中的有机基板，通过更短的细间距中介层连接提高带宽密度并降低功耗。NVIDIA还演示了DWDM技术，据Wccftech称在单根光纤上结合8个波长、每波长最高32 Gb/s，合计每光纤256 Gb/s。两项技术仍处于研究阶段，未公布商业化时间表，NVIDIA表示正为潜在未来产品进行评估。展望未来，NVIDIA计划以Kyber NVL1152架构扩展光互连，将8个机架连接为单一1,152-GPU NVLink域并支持Feynman平台；据Wccftech称Feynman预计于2028年推出。现有CPO产品方面，2026年5月NVIDIA宣布Spectrum-X Ethernet Photonics交换机已进入全面量产，为Vera Rubin平台集成200Gb/s SerDes与CPO技术，早期采用者包括CoreWeave、Lambda和Oracle Cloud Infrastructure；制造生态中TSMC提供硅光子制造，SPIL负责芯片级封装组装测试，TFC封装激光器并做可靠性验证，Foxconn负责整机系统集成，另有Coherent、Lumentum、Sumitomo Electric提供外置激光源模块，Corning、Senko、Browave提供光纤及相关组件，Fabrinet负责散热与最终测试。
co-packaged optics (CPO)optics-on-interposer (OOI)dense wavelength-division multiplexing (DWDM)NVIDIA, TSMC and 12 total
22:42Impact score 55
英伟达柏林GTC大会发布DSX Pod集装箱式迷你数据中心，硬件部署周期从6个月缩短至14天
英伟达CEO黄仁勋周三在柏林GTC大会上呼吁欧洲加快AI落地，称欧洲要享受AI红利、打造AI生态与AI经济，就必须让所有终端行业用上AI，并举例汽车、金融、医疗赛道。本次发布会面向欧洲市场发布了新的数据中心硬件、软件、模型，并公布与当地龙头企业合作。核心新品为DSX Pod，一款集装箱式迷你数据中心，单套集装箱内预装、调试完毕服务器、线缆与配套管路，客户到货后只需通电并与其他同型号单元互联即可使用；该方案由戴尔等英伟达合作伙伴打造，把硬件部署周期从原先6个月缩短至14天，适合小于1吉瓦规模的中小型算力部署。英伟达称，欧洲已有多家客户采用DSX AI数据中心方案及最新的Vera Rubin处理器，其投资的数据中心开发商Nscale是其中之一。针对全球市值最高上市公司英伟达长期受供应链产能瓶颈制约的情况，揖斐电、三星电机、欣兴电子将为其增加封装基板供给；安靠计划到2028年底把芯片封装产能提升至原来四倍；京元电子扩充芯片测试产能。具身智能方面，英伟达表示今年上半年该板块营收最高同比增长30%，规模约110亿美元；其与思灵机器人打造开源机器人开发平台，配套硬件为搭载Jetson Thor的Agile ONE SN人形机器人，并称人形机器人赛道研发复杂度高、投入巨大，目前只有资金雄厚的企业能够参与。此外，英伟达宣布与西门子旗下业务部门合作落地基于AI的先进放疗设备；汽车领域沃尔沃采用英伟达芯片研发自动驾驶车辆，大众商用车业务搭载英伟达方案，Bolt Technology OU依托英伟达软硬件开发自动驾驶出租车。报道还提及，过去两周AI板块股价持续承压，费城半导体指数走出2008年以来最长连跌行情。
DSX Pod Vera Rubin处理器封装基板英伟达, 戴尔 and 13 total
18:07Impact score 60
QYResearch预测：全球AR眼镜用碳化硅衬底市场2025年销售额达1.35亿美元，2032年预计达7.69亿美元，2026-2032年CAGR为28.6%
QYResearch（北京恒州博智国际信息咨询有限公司）统计及预测：2025年全球AR眼镜用碳化硅衬底市场销售额达到1.35亿美元，预计2032年将达到7.69亿美元，年复合增长率（CAGR）为28.6%（2026-2032），其中2032年数据为预测值而非已实现结果。报告称高纯半绝缘型4H-SiC是高性能AR光波导的主要材料体系，折射率约2.6—2.7；主要产品规格包括4英寸、6英寸和8英寸，12英寸产品正处于技术突破、客户验证及逐步产业化阶段；200mm光学级产品已出现规模化制造进展，300mm产品处于逐步产业化和客户验证阶段。报告中提到，2024年Meta发布的Orion原型机采用光学级碳化硅材料，实现约70°视场角；天岳先进已推出300mm碳化硅光学衬底技术，晶瑞所属上市公司披露200mm光学级产品已实现规模化生产、300mm光学级产品实现小批量生产，天科合达推出了200mm光波导型碳化硅衬底并与衍射光波导技术企业建立合作。报告同时指出，制造成本较高、合格品率、公开成交价格与平均售价数据有限以及替代高折射率材料竞争是行业限制因素，行业规模和未来需求的准确预测存在不确定性。
AR眼镜用光学级碳化硅衬底 4H-SiC衬底 12英寸（300mm）碳化硅衬底Wolfspeed, 浙江晶瑞电子材料 and 10 total
09:23Impact score 50
三星电机获得存储器半导体封装基板长期供货合同
三星电机获得一份价值3605亿韩元（2.718亿美元）的长期合同，为存储器半导体供应封装基板。原文将此举描述为加强其在不断增长的AI服务器元件市场中的地位。
memory semiconductor package substratesSamsung Electro-Mechanics
08:35Impact score 0
行业高管在IMPACT 2026表示：封装到电路板集成正成为日益严重的技术瓶颈，封装、基板、PCB与组装厂商需更紧密协作以应对AI与HPC需求
据行业高管在台北IMPACT 2026会议上表示，封装、基板、印刷电路板（PCB）及组装厂商需要更紧密的协调，以满足AI和高性能计算（HPC）的需求，因为封装到电路板的集成（package-to-board integration）正成为日益严重的技术瓶颈。原文未提供具体厂商名称、数量、价格或时间进度等数据。
packaging substrate printed circuit board (PCB)
07:59Impact score 10
SK hynix专栏：半导体范式转向存储器，AI芯片竞争重心从算力转向数据供给与放置（2026年10月21日）
这是SK hynix于2026年10月21日发布的AI生态系统系列第4篇技术评论文章，作者为OXMIQ Labs创始人兼CEO Raja Koduri（曾负责Apple、AMD和Intel的GPU与AI加速器架构开发），主题为半导体范式正转向存储器。文章观点认为：AI性能正从纯算力转向数据移动与放置，存储器带宽与层级主导成本；Transformer模型增长使缓存复用假设失效，系统反复从DRAM或HBM读取数据，低延迟小批量推理中存储带宽可能成为瓶颈。文中指出HBM通过TSV和中介层将多个DRAM裸片垂直堆叠，将计算与存储距离从厘米缩短到毫米；作者称2015年在AMD参与基于HBM的GPU开发，后在Intel主导开发集成47个chiplet和四个HBM2e堆叠的Ponte Vecchio。文章还介绍混合键合（铜对铜直接键合取代微凸点）以及PIM（存内处理）技术，称PIM在特定工作负载下可将能耗降低10到100倍，但同时面临热管理等挑战。文章为作者个人观点、属背景分析，不构成价格、产能、库存或供需的实际事件报道。
HBM HBM2e DRAMSK hynix, OXMIQ Labs
00:48Impact score 0
意法半导体推出QML-V认证LVDS接收器RHFLVDS42
意法半导体宣布扩展其太空级半导体产品组合，推出QML-V认证的四路低压差分信号(LVDS)接收器RHFLVDS42，用于航空航天与太空系统的高速数据链路。该器件数据速率高达600 Mbps，工作电压2.3V至3.6V，符合TIA/EIA-644及相关JEDEC标准，输入共模电压范围为-4V至+5V，绝对最大电压额定值为4.8V。抗辐射方面，据意法半导体称，其在LET为122.6 MeV·cm²/mg下无单粒子锁定(SEL)，在61.3 MeV·cm²/mg下无单粒子瞬态(SET)和单粒子翻转(SEU)，并通过RHA QML-V框架认证总电离剂量达300 krad (Si)，具备8kV ESD抗扰能力。该器件在法国雷恩工厂采用130nm CMOS工艺制造（公司称该工艺已用于太空相关应用超过十年），具有EAR99出口分类，工作温度范围-55°C至+125°C，采用接地盖气密Flat-16封装，并提供裸片选项。
LVDS receiverSTMicroelectronics
00:30Impact score 40
复旦大学衍生公司Nexilumen推进Micro LED光互连，16通道阵列实现37 Gbps带宽，五通道WDM密度约201 Gbps/mm²
复旦大学衍生公司Nexilumen在Micro LED光互连方面取得新进展，通过空分复用（SDM）与波分复用（WDM）提升聚合带宽。其16通道Micro LED阵列实现37 Gbps数据速率；SDM方案采用集成16个独立驱动像素的4×4绿色Micro LED阵列，每像素平均数据速率约2.3 Gbps，16通道同时工作实现37 Gbps聚合速率。WDM方案在单块硅衬底上集成紫色、蓝色、绿色InGaN Micro LED以及黄色和红色混合Micro LED/量子点像素，在320×290μm面积内容纳五个独立驱动的波长通道，五通道实现18.66 Gbps数据速率，按总发光芯片面积计算对应约201 Gbps/mm²的数据速率密度。该公司此前在Nature Communications发表的研究中，通过通信链路与算法优化，在1.5 Gbps通信速率下实现0.056 pJ/bit的发射机能量效率。在CIOE 2026上，Nexilumen展示了长波长InGaN Micro LED、405 nm高速光源和多通道并行光链路，其中长波长器件在6.25 A/cm²电流密度下实现2.85 GHz电光调制带宽，405 nm光源在全工作电流范围内保持3 GHz以上调制带宽。公司正计划开发并验证目标1.6 Tbps的原型光互连系统，并聚焦面向短距互连（包括CPO和芯片间光I/O）的Micro LED光源、驱动器和系统方案。2026年7月，Nexilumen宣布完成由复旦创新和馥榕投资联合投资的数千万元种子轮融资。
Micro LED optical interconnect green Micro LED array InGaN Micro LEDsNexilumen

Tue, Oct 20

1 items

22:38Impact score 40
Vox Power发布EIRE600：紧凑型600W开放式5英寸×3英寸AC/DC电源，超低1.1英寸高度
Vox Power于2026年10月20日发布消息，宣布扩展其单输出AC/DC电源EIRE家族，推出紧凑型600W电源EIRE600，尺寸仅5×3英寸，超低1.1英寸高度。该产品在强制风冷或传导冷却下可满额输出600W；在无风扇自然对流（115V AC）下可提供最高450W；针对短时更高功率需求，可在3秒内提供最高750W。效率最高达96%，支持2 MOPP隔离、BF级输出，以及Class I和Class II安装；通用85–264VAC输入，设计可在最高5,000米海拔和最高+85°C环境温度（需适当降额）下工作。提供12V、24V、36V和48V四种标准输出电压，并配备5V/2A偏置电源和12V辅助风扇输出，以及远程检测、AC_OK和禁止功能；主输出禁止时待机功耗约为200mW。EIRE600面向工业和医疗应用，通过Vox Power及其全球分销和代理网络供货。
AC/DC power supplyVox Power

Analog	$0.68	−5.9%
Connector	$0.75	+0.2%
CPU	$386.74	−21.3%
DDR4	$88.40	−0.2%
DDR52026-W13	$14.89	−11.2%
GPU	$478.20	+8.2%
MCU	$0.68	−61.7%Unusual
MLCC	$0.01	+54.0%Unusual
MOSFET	$0.12	−82.8%Unusual
PMIC2026-W13	$0.44	−12.5%
SSD/HDD	$288.43	n/a

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Thu, Oct 22

纳微推出面向电网基础设施的2300 V碳化硅功率模块

意法半导体在集成高效率功率产品系列中新增MasterGaN7器件

Robotiq发布2FC物理AI夹爪，预购今日开启，计划2027年第一季度发货

Allegro推出面向机器人的48V电源与精密传感器产品

壹号本今年6月发布OneXPlayer 3三合一游戏掌机，首发预售价8999元起，首发搭载英特尔Arc G3 Extreme平台，官方数据显示该芯片35W TDP下《赛博朋克2077》可达119帧

ADEPT台湾举行首次线下会议，PLP与基板标准化工作获得推进动能

传闻：谷歌据称在基板良率仅35%的情况下继续采用英特尔EMIB-T，HumuFish进度趋紧令TPU v9或延迟的不确定性上升

NVIDIA新CPO原型将光引擎从封装基板移至中介层，有望提升带宽密度，仍处早期设计阶段

Microchip推出抗辐射GaN负载点转换器POL-05-20S-T，输出最高20 A，现已量产供货

BrainChip推出Sequora处理器IP核，可在电池供电边缘设备上直接运行生成式AI与大语言模型，现已可授权

据报道良率仅35%谷歌仍坚持采用英特尔EMIB-T，HumuFish日程趋紧

Wed, Oct 21

NVIDIA发布采用硅中介板上光学(OOI)的下一代CPO原型，目标更高带宽密度，两项技术仍处研究阶段且未公布商业化时间表

英伟达柏林GTC大会发布DSX Pod集装箱式迷你数据中心，硬件部署周期从6个月缩短至14天

QYResearch预测：全球AR眼镜用碳化硅衬底市场2025年销售额达1.35亿美元，2032年预计达7.69亿美元，2026-2032年CAGR为28.6%

三星电机获得存储器半导体封装基板长期供货合同

行业高管在IMPACT 2026表示：封装到电路板集成正成为日益严重的技术瓶颈，封装、基板、PCB与组装厂商需更紧密协作以应对AI与HPC需求

SK hynix专栏：半导体范式转向存储器，AI芯片竞争重心从算力转向数据供给与放置（2026年10月21日）

意法半导体推出QML-V认证LVDS接收器RHFLVDS42

复旦大学衍生公司Nexilumen推进Micro LED光互连，16通道阵列实现37 Gbps带宽，五通道WDM密度约201 Gbps/mm²

Tue, Oct 20

Vox Power发布EIRE600：紧凑型600W开放式5英寸×3英寸AC/DC电源，超低1.1英寸高度

Chip Teardown Lab1 opened

Component price indexNPI, vs. prior period

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