NuAxi Stream - Real-Time Semiconductor Intelligence

Wed, Oct 21

2 items

18:07Impact score 60
QYResearch预测：全球AR眼镜用碳化硅衬底市场2025年销售额达1.35亿美元，2032年预计达7.69亿美元，2026-2032年CAGR为28.6%
QYResearch（北京恒州博智国际信息咨询有限公司）统计及预测：2025年全球AR眼镜用碳化硅衬底市场销售额达到1.35亿美元，预计2032年将达到7.69亿美元，年复合增长率（CAGR）为28.6%（2026-2032），其中2032年数据为预测值而非已实现结果。报告称高纯半绝缘型4H-SiC是高性能AR光波导的主要材料体系，折射率约2.6—2.7；主要产品规格包括4英寸、6英寸和8英寸，12英寸产品正处于技术突破、客户验证及逐步产业化阶段；200mm光学级产品已出现规模化制造进展，300mm产品处于逐步产业化和客户验证阶段。报告中提到，2024年Meta发布的Orion原型机采用光学级碳化硅材料，实现约70°视场角；天岳先进已推出300mm碳化硅光学衬底技术，晶瑞所属上市公司披露200mm光学级产品已实现规模化生产、300mm光学级产品实现小批量生产，天科合达推出了200mm光波导型碳化硅衬底并与衍射光波导技术企业建立合作。报告同时指出，制造成本较高、合格品率、公开成交价格与平均售价数据有限以及替代高折射率材料竞争是行业限制因素，行业规模和未来需求的准确预测存在不确定性。
AR眼镜用光学级碳化硅衬底 4H-SiC衬底 12英寸（300mm）碳化硅衬底Wolfspeed, 浙江晶瑞电子材料 and 10 total
07:32Impact score 50
10.21盘前：某海外芯片设计厂商宣布以绩效为导向全球裁员，存储芯片股与光通信股普遍下跌
据10月21日盘前消息梳理，半导体板块方面：某海外芯片设计厂商宣布以绩效为导向在全球范围内裁员，原文未说明裁员原因；存储芯片股与光通信股普遍下跌，文中提及的存储相关个股包括兆易创新、江波龙、佰维存储，原文未说明下跌原因。另据同篇梳理，英伟达GTC大会于10月20日至22日在德国柏林举行，设有100多场专题分享，覆盖加速计算、智能体AI、物理AI、机器人、开源模型、AI基础设施等方向；英伟达宣布在德国于利希超级计算中心，利用超级计算机JUPITER成功模拟104量子比特的容错量子计算系统，该模拟运行于由8192块GPU组成的GB200 NVL72超级芯片系统。原文未给出存储芯片或光通信产品本身的价格变动数据，上述下跌为个股股价表现。
存储芯片

Tue, Oct 20

2 items

23:00Impact score 10
观点文章：晶圆厂按决策类别授予自主AI智能体权限，行为控制图越限即自动降级
这是一篇由数据与AI架构师Ajay Kumar Govindaram撰写的观点/分析文章（非采购相关运营事件），主题为晶圆厂中自主AI智能体如何获得决策权限。文章提出一个四层自主阶梯（观察、推荐、经批准执行、限界内自主执行），权限按决策类别授予，并主张以影子模式一致性、最小样本量及对智能体自身行为的SPC控制图为晋升门槛；当智能体行为指标越限时自动降级。文章引用Gartner 2025年6月的预测：到2027年底将有超过40%的智能体AI项目被取消，原因包括成本上升、业务价值不明确和风险控制不足。文章还提到PDF Solutions于2026年9月推出Exensio Aurora平台，从设计之初即用于在PB级规模、可信数据层之上运行制造运营中的智能体AI。文章指出老旧200mm或混合棕地产线常缺乏工具互联与数据质量，无法对智能体运行SPC，从而限制其自主等级。文中观点为作者个人观点，示例为示意性或来自公开来源。
08:38Impact score 60
英特尔宣称其为唯一能大规模供应300mm InP硅光子的代工厂，时值NVIDIA、博通与TSMC推动CPO商业化
英特尔宣称自己是唯一具备大规模供应300mm InP硅光子能力的代工厂，此为英特尔单方面的宣称，文中未提供独立验证。原文称英特尔正在扩展其硅光子能力，背景是AI和高性能计算领域对高带宽光互连的需求增长。文中提及NVIDIA、博通和TSMC正在推动CPO商业化，并提问这可能是否会给英特尔（Team Blue）带来竞争优势，属于推测性表述而非已证实的结果。
300mm InP silicon photonicsIntelCapacity Change

Mon, Oct 19

3 items

23:30Impact score 58
英特尔宣称拥有业界唯一的高产量300mm InP硅光子学制造能力，CPO商业化势头增强
据Wccftech在2026年OCP全球峰会上报道，英特尔正在扩展其硅光子学能力，原因是对AI和高性能计算（HPC）领域高带宽光互连的需求增长；英特尔宣称自己是唯一能够大规模向业界供应300mm磷化铟（InP）硅光子学的高产量代工厂，该技术旨在支持下一代近封装光学（NPO）和共封装光学（CPO）。原文指出，传统InP衬底通常限于150mm（6英寸）晶圆，3英寸和4英寸规格仍广泛使用，InP晶体脆性大、生长缓慢并存在缺陷控制挑战，限制每片晶圆的激光芯片产出并拖慢扩产；英特尔将基于InP的激光技术集成到其300mm硅光子学制造平台，旨在提高生产效率和可扩展性。TrendForce称，NVIDIA已开始向部分合作伙伴出货其Spectrum-X CPO交换机（与TSMC联合开发，采用COUPE技术），Broadcom继续有限出货其51.2 Tb/s Bailly CPO交换机，并在OCP 2026展示第三代Tomahawk 6-Davisson CPO交换机（102.4 Tb/s交换容量、每通道200 Gbps）；TSMC计划于2026年开始生产其COUPE-on-substrate方案，目标相比板级可插拔光学实现两倍能效和十倍延迟降低。据ijiwei，中际旭创已建立专用CPO产线并开始小批量生产800G CPO光模块，部分客户已下单，出货可能于2027年开始、2028年有望更广泛采用；2026年9月，华为发布了基于NPO的昇腾960超节点，用于大规模AI训练和推理。TrendForce指出，测试仍是CPO量产关键瓶颈：光对准时间已降至秒级或更短，但单个光子集成电路（PIC）的完整测试仍可能超过100秒，瓶颈转向测试速度和成本；TrendForce预计2027年是整合CPO测试系统的关键年份，2028年是评估大规模量产准备的关键时期。
300mm InP silicon photonics InP-based laser technology co-packaged optics (CPO)Intel, NVIDIA and 6 totalCapacity Change
22:06Impact score 60
SIA赞誉GlobalFoundries获选在纽约马尔塔建两座半导体厂，获美日联合投资
2026年10月19日，半导体行业协会（SIA）赞扬GlobalFoundries在美国-日本战略投资initiative下的扩张计划。SIA宣布，GlobalFoundries被选中在纽约州马尔塔运营两座新半导体制造工厂，这是首批在美国-日本战略投资initiative下的半导体项目，美国和日本将共同拥有这些工厂。初始投资100亿美元将用于建设一座新晶圆厂，投产后每年可增加约90万片300mm晶圆的美国制造产能。另一项约100亿美元的投资将用于建设产能相似的第二座晶圆厂。两座工厂将完全由日本通过美国-日本战略投资initiative资助。GlobalFoundries计划在当年晚些时候动工建设第一座工厂。
300mm wafersGlobalFoundriesCapacity Change
07:19Impact score 45
英特尔在2026年OCP全球峰会提出硅光子“金锤子”战略：依托300毫米InP晶圆与集成激光器，目标将每比特能耗降至5皮焦耳以下（愿景，尚未实现）
快科技10月19日消息，在2026年OCP全球峰会上，英特尔分享其硅光子愿景并提出“金锤子”战略：宣称自己是唯一能够以300毫米磷化铟（InP）硅光子技术大规模服务整个行业的高量产晶圆厂，这些300毫米晶圆将承载面向高性能计算（HPC）和人工智能（AI）领域未来NPO与CPO功能所需的尖端硅材料。数据中心系统与解决方案副总裁尼克·杜贝称硅光子为下一代系统的“金锤子”，并表示关于硅光子成为行业标准的讨论已持续一段时间，英特尔及其团队正夜以继日地工作，力求在未来几年内将其变为现实——此为愿景与计划，尚未实现。原文给出的原因是：行业在传输距离、带宽密度和每比特能耗方面正触及极限，而硅光子能够同时解决这些问题。英特尔还表示拥有可构建可靠硅光子平台的集成工具（如集成激光器，可实现无需维护的集成光源），并将推动外部光源社区标准以提供美国晶圆厂制造的多波长光源；预计将显著降低所有数据传输的每比特能耗，估计光子学系统可使其降至每比特5皮焦耳以下；并认为硅光子将开辟一类新系统，在机架、节点和系统规模上实现更大灵活性与更好能效。上述均为英特尔的宣示与预期，不构成已实现的结果。
硅光子磷化铟（InP）硅光子技术集成激光器英特尔

Sun, Oct 18

2 items

20:15Impact score 58
英特尔将硅光子视为下一代系统“黄金之锤” 独家量产300毫米磷化铟晶圆
在2026年开放计算项目（OCP 2026）全球峰会上，英特尔展示了硅光子技术发展蓝图，数据中心系统与解决方案公司副总裁尼克·杜贝将硅光子形容为下一代系统架构的“黄金之锤”，并称英特尔是目前唯一能够大规模量产300毫米磷化铟（InP）硅光子晶圆的高产能代工厂。原因方面，源文称传统铜线互连正日益逼近物理极限，在传输距离、封装边缘带宽密度及每比特传输能耗等方面面临瓶颈，数据中心架构需向光互连演进，能耗目标推进至低于5皮焦耳每比特。英特尔指出，当前光学收发器市场中激光芯片与磷化铟材料产能长期供不应求，其将磷化铟光源技术直接整合进300毫米硅晶圆制程以提升制造效率与产能规模；自2016年投入商用以来，已累计出货超过800万个光学收发器和3200万个集成激光器。英特尔正依托300毫米硅光子制程与集成磷化铟光源技术推动共封装光学（CPO）与近封装光学（NPO）发展。
300毫米磷化铟（InP）硅光子晶圆光学收发器集成激光器英特尔Capacity Change
15:56Impact score 96
担忧ASML进入混合键合设备市场及HBM设备需求延后，Besi遭美国银行、瑞银接连下调评级，10月6日跌5.39%、次日再跌8.49%，两日累计下挫约13.4%
10月6日，由于担忧ASML可能进入混合键合设备市场以及HBM相关设备需求延后，美国银行下调了荷兰封装设备厂商Besi的投资评级，当日Besi股价下跌5.39%；次日瑞银进一步下调评级，Besi股价再跌8.49%，短短两个交易日累计下挫约13.4%。ASML早在2025年就已交付面向先进封装的TWINSCAN XT:260光刻系统，今年又传出研发混合键合设备的消息，并与Prodrive Technologies、VDL ETG等长期供应商进行合作接洽；2026年5月15日公布的国际专利WO2026098870A1《Bonding Apparatus》申请人为ASML Netherlands BV，但ASML尚未公开确认其混合键合设备的商业交付时间、客户认证进度或量产性能。10月1日，应用材料与Besi升级合作，Besi将成为应用材料位于硅谷的EPIC研发中心创新合作伙伴，该中心规划投资规模最高约50亿美元，投资将随客户项目推进逐步展开；五天后应用材料又宣布与英特尔深化合作，研发范围覆盖下一代晶体管、片上互连以及Foveros 3D先进封装。2026年3月，路透社援引知情人士报道称Besi因混合键合技术受到潜在收购方关注，Lam Research和应用材料均在相关名单中，但截至目前公开报道并未证实相关收购交易最终达成。此外，2026年5月Imec与EV Group宣布在晶圆到晶圆混合键合研究中实现200nm铜互连间距，300mm晶圆上所有测试芯片键合后铜焊盘叠对偏差低于40nm。大规模混合键合设备订单真正释放的时间仍受下游技术路线与量产进度制约。
混合键合设备 HBM相关混合键合设备 TCB热压键合Besi, ASML and 9 totalPrice Movement

Fri, Oct 16

1 items

15:01Impact score 10
芯片行业每周回顾：晶圆厂扩建加速、中国推进存储与EUV、Teradyne测试交易、TSMC与ASML信号、300mm晶圆厂支出等多项动态
本文为Semiconductor Engineering发布的芯片行业每周回顾，罗列本周多项行业动态标题，包括：晶圆厂扩建加速；中国在存储和EUV方面取得进展；Teradyne的测试交易；SEMICON West和OCP亮点；3D SiP；TSMC和ASML的信号；300mm晶圆厂支出；光学和3D计算初创公司获得新融资；量子硬件进展。原文仅为标题式汇总，未给出具体数字、日期、价格、产能变化幅度、交易条款或事件状态等细节，也未说明原因。
memoryTSMC, ASML and 3 total

Thu, Oct 15

4 items

21:41Impact score 55
VON ARDENNE推出新HiPIMS沉积解决方案，进军半导体面板级封装（PLP）市场
VON ARDENNE宣布将其半导体沉积产品组合扩展至面板级封装（PLP）领域，推出新的HiPIMS沉积解决方案。该方案可在玻璃通孔（TGV）中沉积高深宽比的阻挡层和种子层，实现致密、高附着力的功能性薄膜沉积，并基于其HISS模块化水平镀膜平台，将HiPIMS技术从300mm晶圆级加工扩展至面板级生产，适用于TGV和再布线层（RDL）等先进封装应用。据Yole Group统计，PLP在2025年产生超过3亿美元的收入，预计未来五年将以超过40%的复合年增长率增长；据2026年3月Yole报告《Panel Level Packaging 2026》，在台积电（TSMC）进入及AI和高性能计算（HPC）应用采用高端PLP的推动下，PLP预计在2029-2030年间加速发展。VON ARDENNE高管称HiPIMS可降低下游成本、提高良率。此次为产品/市场扩展公告，原文未说明相关生产或投产时间安排。
panel-level packaging (PLP) deposition equipment through-glass via (TGV) barrier and seed layers redistribution layers (RDL)VON ARDENNE
20:00Impact score 60
SEMI预测2029年300mm晶圆厂设备投资将达到USD 227亿美元
根据SEMI在2026年10月15日的报告，全球300mm前端晶圆厂设备支出预计在2026年增长31%达到1490亿美元，美洲地区设备投资预计在同期翻倍。SEMI的最新300mm晶圆厂展望预测投资将在2029年前保持双位数增长，到2029年年度支出将达到2270亿美元。所有300mm设施的建设支出预计在2026年增长23%达到47.5亿美元，2027年再增长33%达到63.3亿美元，2028年达到68.4亿美元。美洲地区设备投资预计从2026年的181亿美元增长到2029年的406亿美元。新建300mm晶圆厂或生产线开始运营或出硅的数量预计从2026年的13家增加到2027年的23家。全球范围内，20条新产线计划在2026年（今年的项目）开工，随后在2027年（明年的项目）有18条，其中今年的项目有3个在美国，明年的项目有4个在美国。
300mm front-end fab equipment
15:03Impact score 72
英特尔以色列基里亚特加特晶圆厂发生剧烈爆炸，1人危重、2人重伤，引发三氟化氮泄漏
以色列媒体报道，当地时间周三，位于以色列南部基里亚特加特（Kiryat Gat）的英特尔晶圆工厂发生剧烈爆炸，造成1人危重、2人重伤，并引发厂区内危险物质泄漏，泄漏物已被确认为三氟化氮（NF₃）；出于对接触泄漏物质的担忧，当地居民被告知远离该区域。消息人士称爆炸由一辆运载三氟化氮的卡车引发；警察局局长沙伊·阿拉利表示，一辆卡车正向厂区内储罐卸装物质，在断开连接、第二辆卡车接上之后爆炸发生，目前尚无法判断是否存在刑事犯罪或过失嫌疑，并称这是某种故障所致，储罐已降温、未见进一步泄漏迹象，整个处置期间无需疏散基里亚特加特居民或工厂员工。红大卫盾会表示已将3名伤员转运至索罗卡医疗中心：一名50多岁男子经心肺复苏后仍危重且不稳定、上半身烧伤，处于镇静并使用呼吸机；一名30多岁男子同样经心肺复苏后危重且不稳定、大面积烧伤，已镇静并使用呼吸机；一名26岁男子重伤但情况稳定、上半身烧伤。南部地区消防与救援服务局通报，下午2时12分接报，消防员已控制住火势，目前已有8支消防救援队伍在现场作业，危险品处理队伍持续监测和风险评估。原文未说明爆炸对晶圆厂生产的影响。文中提到该园区有两座晶圆厂：在产的Fab 28为300毫米晶圆厂，2008年投产，最初按45纳米建，做过22纳米，现在做intel 7（约10纳米档），正在生产处理器和其他芯片；未投产的Fab 38为约250亿美元的扩建，2023年以色列政府配套拨款约32亿美元，规划过两间洁净室、面向更先进的极紫外光刻工艺，2024年6月英特尔通知承包商冻结工程，《环球报》2026年10月14日仍写这项扩建停着。报道没有统一是哪一座厂房：《耶路撒冷邮报》和Calcalist写的是Fab 28，部分英文站写成Fab 38。
英特尔Disaster/Disruption
13:13Impact score 60
日本计划投资21亿美元在纽约建设两座GlobalFoundries300mm半导体晶圆厂
日本计划向GlobalFoundries投资最高210亿美元，在纽约州马耳他地区建设两座300mm半导体晶圆厂。首笔约100亿美元投资将用于加速第一座300mm晶圆厂的建设，该厂预计将在2029年投产，年产能约90万片300mm晶圆；第二座厂需再投约100亿美元，产能相当。两座厂合计将显著提升美国半导体制造能力，并预计创造约2.7万名建设及生态链岗位以及超过1000名高技术制造岗位。此举是日本向美国投资5500亿美元协议的一部分，作为回报，美国将对日本汽车等进口的关税从至少25%降至15%。目前该投资仍处于规划阶段。
300mm wafersGlobalFoundriesCapacity Change

Wed, Oct 14

6 items

23:06Impact score 60
GlobalFoundries 将获日本资助，在纽约州马耳他建并运营两座300mm晶圆厂
GlobalFoundries 已被选中在纽约马耳他地点运营两座新的 300mm 晶圆厂，融资来自日本，最高达 210 亿美元，依据美日贸易协议；首座晶圆厂预计将在 2029 年投产，2026 年底前动工，每座晶圆厂投产后每年将增加约 90 万片 300mm 晶圆至美国产能。美国政府将取得约 4% 的股权，且 GlobalFoundries 将把现有 CHIPS 法案奖励中的 9.55 亿美元重新分配用于马耳他和佛蒙特州伯灵顿的硅光子、SiGe 和先进封装投资。客户包括瑞萨电子、苹果、Cirrus Logic、通用汽车和东京电子，瑞萨视该产能为其自身产能的延伸。
300mm wafersGlobalFoundriesCapacity Change
17:18Impact score 0
SEMI预计300mm晶圆厂前端设备支出将在2029年达到227亿美元
全球300毫米前端晶圆厂设备支出预计将在2026年达到1490亿美元，较去年增长31%，并预计将继续以双位数增长率增长，到2029年达到2270亿美元。SEMI在其最新的300毫米晶圆厂展望中指出，该报告于10月13日在旧金山SEMICON West发布。来源未说明原因。事件状态为计划中。
300mm front-end fab equipment
15:28Impact score 60
SEMI预测2029年设备支出2270亿美元
SEMI预测2029年300mm晶圆厂设备支出将达2270亿美元，受产能扩张和需求驱动。该报告反映了半导体制造能力的长期增长趋势。
关注
长期产能规划，对短期现货价格无直接影响。
Fab Equipment Semiconductor EquipmentSEMICapacity Change
15:22Impact score 0
全球300mm晶圆厂设备支出预计将在2029年达到227亿美元
全球300mm半导体晶圆厂设备支出预计将在2029年达到2270亿美元，受AI芯片、高性能计算和先进半导体制造需求增长推动。根据SEMI最新预测，2026年设备投资将年增31%达到1490亿美元，并预计双位数增长将持续至2029年。
08:00Impact score 0
SK hynix 3D FeNAND协同优化研究亮相IEEE IEDM:相同芯片面积下吞吐量较传统3D阵列提升约10至20倍、能效提升约4,000至5,000倍
SK hynix于2026年10月14日在Newsroom系列文章[Inside the Research]第2部分介绍其发表于2025 IEEE国际电子器件会议(IEDM)的研究论文《Co-Optimizing Cell, Non-Cell, and Page Schemes for Energy Efficient Analog Computing in 3D FeNAND》,作者为Won-Tae Koo与Jihun Kim。研究提出基于3D FeNAND的模拟存内计算(A-CiM)架构,通过对单元(cell)、非单元(互连/字线)和页(page)三类方案进行协同优化,在相同芯片面积约束下,相比传统3D阵列实现约10至20倍的吞吐量提升和约4,000至5,000倍的能效提升;文中亦说明这些数字反映了3D FeNAND相较被广泛研究的2D非易失性存储阵列的高密度优势。各项优化包括:字线采用低电阻金属使吞吐量最高提升16%、能效最高提升3%;引入空气间隙使字线间寄生电容降低约60%,吞吐量提升1.2倍、能效提升2倍;字线电阻与电容联合优化后吞吐量最高提升1.4倍、能效最高提升2.2倍;页内流水线(IPP)使能效翻倍、吞吐量提升9倍;将16KB页拆分为4个4KB子页使能效提升1.2倍、吞吐量提升1.7倍。研究团队还在300mm晶圆规模上演示了低电流区每单元四电平操作及稳定数据保持。文章称该研究展示NAND从存储介质向计算介质扩展的潜力,未涉及价格、出货、产能或市场状况。
3D FeNAND 3D NAND A-CiMSK hynix
03:43Impact score 60
SEMI 预计美洲 300mm fab 设备支出将从 US$18.1 亿美元在 2026 年增至 US$40.6 亿美元在 2029 年，增长超过一倍，因台积电、英特尔、美光、三星扩张
SEMI 预计，受美国投资推动，美洲 300mm 晶圆 fab 设备支出将从 US$18.1 亿美元在 2026 年增至 US$40.6 亿美元在 2029 年，增长超过一倍，原因是台积电、英特尔、美光、三星的扩张。
300mm fab equipmentTSMC, Intel and 5 totalCapacity Change

Analog	$0.68	−5.9%
Connector	$0.75	+0.2%
CPU	$386.74	−21.3%
DDR4	$88.40	−0.2%
DDR52026-W13	$14.89	−11.2%
GPU	$478.20	+8.2%
MCU	$0.68	−61.7%Unusual
MLCC	$0.01	+54.0%Unusual
MOSFET	$0.12	−82.8%Unusual
PMIC2026-W13	$0.44	−12.5%
SSD/HDD	$288.43	n/a

NuAxi Stream - Real-Time Semiconductor Intelligence

Wed, Oct 21

QYResearch预测：全球AR眼镜用碳化硅衬底市场2025年销售额达1.35亿美元，2032年预计达7.69亿美元，2026-2032年CAGR为28.6%

10.21盘前：某海外芯片设计厂商宣布以绩效为导向全球裁员，存储芯片股与光通信股普遍下跌

Tue, Oct 20

观点文章：晶圆厂按决策类别授予自主AI智能体权限，行为控制图越限即自动降级

英特尔宣称其为唯一能大规模供应300mm InP硅光子的代工厂，时值NVIDIA、博通与TSMC推动CPO商业化

Mon, Oct 19

英特尔宣称拥有业界唯一的高产量300mm InP硅光子学制造能力，CPO商业化势头增强

SIA赞誉GlobalFoundries获选在纽约马尔塔建两座半导体厂，获美日联合投资

英特尔在2026年OCP全球峰会提出硅光子“金锤子”战略：依托300毫米InP晶圆与集成激光器，目标将每比特能耗降至5皮焦耳以下（愿景，尚未实现）

Sun, Oct 18

英特尔将硅光子视为下一代系统“黄金之锤” 独家量产300毫米磷化铟晶圆

担忧ASML进入混合键合设备市场及HBM设备需求延后，Besi遭美国银行、瑞银接连下调评级，10月6日跌5.39%、次日再跌8.49%，两日累计下挫约13.4%

Fri, Oct 16

芯片行业每周回顾：晶圆厂扩建加速、中国推进存储与EUV、Teradyne测试交易、TSMC与ASML信号、300mm晶圆厂支出等多项动态

Thu, Oct 15

VON ARDENNE推出新HiPIMS沉积解决方案，进军半导体面板级封装（PLP）市场

SEMI预测2029年300mm晶圆厂设备投资将达到USD 227亿美元

英特尔以色列基里亚特加特晶圆厂发生剧烈爆炸，1人危重、2人重伤，引发三氟化氮泄漏

日本计划投资21亿美元在纽约建设两座GlobalFoundries300mm半导体晶圆厂

Wed, Oct 14

GlobalFoundries 将获日本资助，在纽约州马耳他建并运营两座300mm晶圆厂

SEMI预计300mm晶圆厂前端设备支出将在2029年达到227亿美元

SEMI预测2029年设备支出2270亿美元

全球300mm晶圆厂设备支出预计将在2029年达到227亿美元

SK hynix 3D FeNAND协同优化研究亮相IEEE IEDM:相同芯片面积下吞吐量较传统3D阵列提升约10至20倍、能效提升约4,000至5,000倍

SEMI 预计美洲 300mm fab 设备支出将从 US$18.1 亿美元在 2026 年增至 US$40.6 亿美元在 2029 年，增长超过一倍，因台积电、英特尔、美光、三星扩张

Chip Teardown Lab1 opened

Component price indexNPI, vs. prior period

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