中国DRAM厂商长鑫存储（CXMT）的下一个DRAM里程碑为：计划在2026年底前实现采用混合键合（hybrid bonding）技术的4F²服务器内存。在近期一次股东会上，管理层承诺进入其所谓的极端存储微缩'未知领域'，并表示将利用工艺创新来克服技术障碍。该目标为计划性质，原文未说明量产时间表细节以外的进展，也未说明原因或市场影响。
据快科技10月21日消息，行业内部人士透露，被英伟达实质性收购后的Groq正在积极评估将其下一代芯片中的SRAM替换为DRAM，并计划引入3D堆叠DRAM封装技术。Groq计划采用名为3DS的方案，利用TSV技术在DRAM芯片内部打穿数千个微型孔洞进行垂直互连，在保持现有DRAM标准接口协议的前提下以存储容量扩张为主要目标，这与追求极致数据交换速率的HBM侧重点不同。此举旨在摆脱传统SRAM架构在容量上的局限，以应对超大规模AI模型的推理需求；其现有LPU架构依赖的SRAM容量极小，在千亿级参数模型时存在不足。该方案目前处于计划/评估阶段。
日媒《日刊工业新闻》当地时间昨日（10月21日报道）称，Canon（佳能）计划到2029年将其面向半导体后端工艺的光刻机产能较当前水平提升50%。该计划为报道所援引的消息，属计划状态，尚未确认实施。佳能正在开发用于先进封装工艺的i线光刻设备，并开发了一种分辨率达0.8μm（800nm）的大尺寸基板光刻机台，能处理510×515(mm)基板，具备高对准精度和大视场角。佳能半导体设备事业部负责人三浦圣也在接受采访时表示，无掩膜直写图案化方案目前暂时还不是i线光刻机在RDL生产领域的直接竞争对手。原文未说明原因。
博通与TOPPAN的合资公司AST在新加坡开设FC-BGA基板厂，用于AI芯片生产。该厂面积为95,000平方米，将生产用于AI计算与网络芯片的大尺寸、高层数基板。原文以'will produce'表述，表明该厂投产仍属计划状态，原文未说明原因。
Topoint Technology 表示正在为其精密 PCB 钻孔业务布局，以应对来自 AI 服务器、高性能计算和高速传输应用的不断增长的需求。在 TPCA Show 2026 上，该公司展示了针对先进材料（包括 ABF 载板、石英布和 PTFE）的工具与加工技术，同时概述了其在台湾和中国的产能扩张计划。该扩张为计划性质，原文未给出扩产规模或时间表。
据TrendForce转发的消息，三星据报道已开始生产其2nm工艺的Exynos 2700，产量较Exynos 2600可能提升超过10%（source未给出确切日期）。该芯片预计用于Galaxy S27的标准版和Plus机型。上述信息为报道性质，产量提升仅为潜在预期而非已实现结果；报道同时提出该芯片能否帮助振兴三星非存储业务的问题。
据路透社报道，马斯克在一场SpaceX电话会议上表示，其半导体制造项目Terafab目标在2028年第三季度实现量产，但他承认第三或第四季度均有可能，并称该时间表“非常激进”，因为美国的先进逻辑芯片工厂通常需要三年或更长时间建造。在量产之前，Terafab计划于2027年5月或6月前后在奥斯汀研发设施生产首款使用SRAM电路的功能性测试芯片。设备供应仍是主要挑战，尤其是来自ASML以及Applied Materials、KLA等美国供应商；当被问及SpaceX是否已向ASML订购EUV光刻机时，马斯克未直接回答，但感谢ASML等供应商加快设备交付。据路透社报道，ASML预计即使计划扩大EUV产能，到2028年需求仍将超过供给。据The Elec报道，特斯拉和SpaceX正与韩国半导体材料、零部件和设备供应商洽谈建立Terafab供应链，多家公司已签署保密协议，其中HPSP和Hanmi Semiconductor是仅有的两家被公开与Terafab联系在一起的韩国设备供应商；但据报道Terafab寻求比中国竞争对手更低的价格。关于制造伙伴，TSMC董事长兼CEO魏哲家确认双方仍在讨论，但强调任何涉及TSMC的工厂必须由TSMC运营，这与马斯克10月7日关于其公司将自建自营Terafab（可能允许TSMC转租空间而不承担运营角色）的说法存在分歧；另据路透社援引彭博报道，Intel CEO陈立武表示公司将继续参与Terafab。
据Chosun Biz报道，三星电子据称已于本月早些时候开始Exynos 2700的晶圆生产，产量较Exynos 2600可能增加逾10%，以振兴其非存储半导体业务。Exynos 2700预计于2027年用于Galaxy S27系列，主要覆盖标准版和Plus版，并可能用于新的Pro版本；但Ultra旗舰机型越来越可能完全依赖高通Snapdragon处理器，最终芯片配置尚未确定。Exynos 2700据报采用三星代工第二代2nm工艺SF2P，相较用于Exynos 2600的第一代SF2，目标为性能提升12%、功耗降低25%、芯片面积缩小8%，且据称为首款采用SF2P进入量产的芯片；据The Bell，三星已与主要伙伴共享生产计划，但初期晶圆投片仍然有限。报道指出，Exynos 2700量产良率及其在Galaxy S27系列中的采用程度将决定非存储业务复苏的幅度；三星4nm产线据报接近满载，同时继续为5nm工艺寻找客户。此外，据TrendForce，移动DRAM价格预计在4Q26继续上涨，但涨幅放缓，因供应商将产能转向利润率更高的服务器产品，成本上升使三星自研处理器的价格竞争力更加重要。
宏昌电子拟投建先进封装膜材(GBF)、高端覆铜板等项目。原文未说明投资金额、建设地点、时间安排及产能规模，项目目前仅为拟投建计划，尚未提及已开工或建成。
据行业消息人士10月20日（原文未注明年份）称，三星电子计划使用2nm工艺制造其下一代M2800系列移动调制解调器芯片，从目前用于外置调制解调器的4nm工艺过渡；该外置5G调制解调器M2800计划于2027年完成开发，拟用于2028年发布的Galaxy S28系列，并与下一代Exynos 2800以双芯片配置搭配。调制解调器生产转向2nm将释放三星4nm产线产能，公司计划将其转用于HBM生产；行业人士称“三星代工正在将其大部分4nm产能转换为HBM制造”，4nm工艺用于制造位于HBM堆栈底部、含控制电路的基底裸片。三星将通过M2700继续使用4nm，M2700是配合2027年Galaxy S27系列中Exynos 2700的外置调制解调器；2026年Galaxy S26所用的Shannon 5410外置调制解调器（对外亦以Exynos Modem 5410销售）同样采用4nm工艺，三星在Galaxy S26和S26+的韩国版本中配备Exynos 2600与Shannon 5410组合，美国型号使用高通Snapdragon 8 Elite Gen 5。行业人士称三星已停用Shannon调制解调器品牌并以M系列取代。M2700虽采用相同4nm工艺，但据报道在三星MX（Mobile eXperience）事业部内部测试中获得好评，与前代不同；其通过设计和软件改进提升功耗效率与数据传输速度，利用光学收缩（optical shrink）将芯片面积缩小约4%，并从3GPP Release 17升级至Release 18、改进NTN卫星通信能力。行业人士称，现有Shannon 5410在空闲功耗和标准功耗测量条件下落后于竞品，经电压调整等改进后，M2700性能据称与竞品相当或更优。上述2nm转向与4nm产能转用均为计划，其实现情况原文未证实。
据TrendForce于2026年10月20日发布的消息，AI封装供应紧张正向上游蔓延，IC基板正受到供应瓶颈冲击。台湾厂商Unimicron警告，在CoWoS与EMIB需求升温的背景下，关键设备的交期已拉长，超过80%的关键设备交期拉长，部分设备交期达到30个月；同时关键材料在2027年面临潜在的20%短缺（短缺为潜在预测，非已实现结果）。
据天眼查App显示，近日深圳沛顿半导体封测有限公司成立，法定代表人为王海兰，注册资本5亿人民币，经营范围包括集成电路制造、集成电路芯片设计及服务、电子元器件制造、电子产品销售、普通货物仓储服务等。股东信息显示，该公司由沛顿科技（深圳）有限公司全资持股，沛顿科技则由深科技（深圳长城开发科技股份有限公司）全资持股。原文未说明该公司具体产能规划或投产时间。
据来源，三星电子预计到2027年其规划存储产能的约80%将通过长期合同获得锁定，从而强化其定价地位；该数字为预期状态，并非已实现的结果。同期，中国的长鑫存储(CXMT)正在扩大产能，并吸引寻求替代DRAM供应商的美国科技公司的关注。来源标题还提及三星的HBM4供应锁定以及苹果和特斯拉寻求DRAM替代方案。原文未说明原因。
韩国基板厂商Daeduck Electronics正在加速开发陶瓷芯基板（CCS），以应对AI半导体封装尺寸增大带来的翘曲和散热管理挑战。该公司目前正在进行性能和内部可靠性评估，计划在2027年和2028年推进样品及客户评估，并以2029年量产为目标；陶瓷芯被视为下一代大面积封装中玻璃芯的材料替代方案。以上均为计划/目标状态，量产尚未实现。
Genesem与全球第三大晶圆代工厂Company A及其外包封装合作伙伴达成独家协议，从2027年起独家供应配备AI视觉的切筋分片设备GVISION AI+。该设备于第三季度通过量产认证，2027年预计交付约20台，合同价值超过300亿韩元。AI功能使设备价格比现有型号增加10%以上。
AI计算正将封装密度推向极限，加速器基板预计将在未来三至五年内超过100x100mm并扩展至120x120mm以上。随着基板尺寸、层数、I/O和电力需求上升，行业关键瓶颈正从设计能力转向制造产能。原文未说明具体厂商或时间点，上述尺寸扩展为预期而非已实现结果。
Amkor Technology 将其在光州的计划投资额提高至三倍，以扩充用于人工智能和高性能计算的先进封装产能。原文未说明具体投资金额或倍增后的具体数额。该项目属于韩国西南部开发战略下的半导体项目，目前进入建设阶段。投资增加的背景是人工智能封装需求的增长。此为计划中的扩产，原文未给出完成时间或产能数字。
TPK Holding已在桃园中坜厂完成玻璃基板玻璃通孔(TGV)技术试产线,并与半导体封装企业展开早期样品的联合开发与验证。按其公布的计划,公司目标在2027年底前完成核心技术验证,并于2028年实现量产;标题提及投资金额为新台币60亿元。该事件为计划/扩产性质,量产尚未实现。
据报道，台积电转向GlobalFoundries采购硅中介层，以扩大先进封装产能，并支持未来客户产品时程。原文未给出具体扩产数量、时间表或原因细节，该项合作属于计划性质，文中未说明已实现或完成的产能变化。
据Wccftech在2026年OCP全球峰会上报道，英特尔正在扩展其硅光子学能力，原因是对AI和高性能计算（HPC）领域高带宽光互连的需求增长；英特尔宣称自己是唯一能够大规模向业界供应300mm磷化铟（InP）硅光子学的高产量代工厂，该技术旨在支持下一代近封装光学（NPO）和共封装光学（CPO）。原文指出，传统InP衬底通常限于150mm（6英寸）晶圆，3英寸和4英寸规格仍广泛使用，InP晶体脆性大、生长缓慢并存在缺陷控制挑战，限制每片晶圆的激光芯片产出并拖慢扩产；英特尔将基于InP的激光技术集成到其300mm硅光子学制造平台，旨在提高生产效率和可扩展性。TrendForce称，NVIDIA已开始向部分合作伙伴出货其Spectrum-X CPO交换机（与TSMC联合开发，采用COUPE技术），Broadcom继续有限出货其51.2 Tb/s Bailly CPO交换机，并在OCP 2026展示第三代Tomahawk 6-Davisson CPO交换机（102.4 Tb/s交换容量、每通道200 Gbps）；TSMC计划于2026年开始生产其COUPE-on-substrate方案，目标相比板级可插拔光学实现两倍能效和十倍延迟降低。据ijiwei，中际旭创已建立专用CPO产线并开始小批量生产800G CPO光模块，部分客户已下单，出货可能于2027年开始、2028年有望更广泛采用；2026年9月，华为发布了基于NPO的昇腾960超节点，用于大规模AI训练和推理。TrendForce指出，测试仍是CPO量产关键瓶颈：光对准时间已降至秒级或更短，但单个光子集成电路（PIC）的完整测试仍可能超过100秒，瓶颈转向测试速度和成本；TrendForce预计2027年是整合CPO测试系统的关键年份，2028年是评估大规模量产准备的关键时期。