Electronica 2026：英飞凌Adam White谈800 VDC、德累斯顿工厂与300毫米宽禁带（GaN/SiC）进展

发生了什么

在Electronica 2026期间，英飞凌电力系统部门总裁Adam White介绍了800 VDC数据中心系统（包括固态变压器SST和固态断路器SSCB）从实验室走向客户的进展：公司已开始在EasyPACK封装中出货部分模块，采用3.3 kV碳化硅（SiC）技术，并拥有强大的SST客户储备；与西门子合作的SSCB成品已可部署，但DC保护方案仍处早期，行业需在标准和法规上达成一致才能迎来更广泛部署的临界点。在产能方面，为满足AI带动的功率半导体需求（采访中提到供需匹配一直困难），英飞凌于7月启用了德累斯顿fab——全球最大的300毫米带洁净室外壳之一——目前大部分空置、设备安装和客户认证正日夜进行，尚待爬坡；公司还在Villach fab对300毫米中压GaN投入11亿欧元以实现大批量制造，据英飞凌称生产计划于2027年底前启动，低压GaN后续有望跟进；同时公司宣布300毫米SiC功能性器件这一全球首创突破，仍需克服薄外延、晶圆搬运和良率等障碍。

影响与信号

受影响器件与厂商

来源与时间

来源：Power Electronics News · 2026/11/13 · 查看原始来源