英飞凌首次将300毫米碳化硅晶圆加工成可用功率器件，尚未设定量产时间表

发生了什么

英飞凌已在奥地利菲拉赫的晶圆厂使用现有硅制造设备，将300毫米碳化硅(SiC)晶圆加工成可正常工作的功率器件，并称其为首家在全规模半导体晶圆厂实现此举的公司。据英飞凌新闻稿，一片300毫米晶圆产出的芯片数量约为200毫米晶圆的2.3倍。公司尚未设定量产时间表，将与客户和合作伙伴共同规划300毫米SiC的技术与爬坡，同时继续推进现有200毫米SiC路线图。同期，英飞凌已在德国德累斯顿验证了其Cold Split技术在300毫米SiC上的可行性，该方法相比传统线锯切割材料损耗更少、加工时间更短。10月底，该公司宣布在菲拉赫投资约11亿欧元建设300毫米GaN功率半导体大规模量产工厂。英飞凌未说明该步骤对成本的影响。

影响与信号

受影响器件与厂商

来源与时间

来源：Evertiq · 2026/11/10 · 查看原始来源