英飞凌在奥地利菲拉赫工厂成功将300毫米碳化硅晶圆加工为功能性功率器件，称其为全规模生产环境中的首次演示

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英飞凌科技宣布已在奥地利菲拉赫的半导体工厂成功将300毫米碳化硅（SiC）晶圆加工为功能性功率器件，公司称这是在全规模半导体生产环境中首次演示在300毫米晶圆上制造功能性SiC功率器件。该工艺使用现有硅制造设备。从200毫米转向300毫米晶圆因直径更大，每片晶圆可提供约2.3倍的芯片，具有潜在制造效率提升；公司称此举是迈向300毫米SiC生产未来工业化的重要一步，并将与客户和合作伙伴共同定义技术路线图和潜在量产爬坡，同时继续实施其现有的200毫米SiC制造计划。此外，英飞凌在德国德累斯顿工厂演示了Cold Split技术用于300毫米SiC的可行性，该工艺相比传统线锯切割材料损失更少、加工时间大幅缩短。此前在2026年10月27日，公司宣布在菲拉赫投资约11亿欧元建设基于300毫米晶圆的GaN功率半导体量产工厂。英飞凌将于11月10日至13日在慕尼黑electronica 2026展会上公开展示首片已加工的300毫米SiC晶圆（C3馆，502展位）。

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受影响器件与厂商

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来源：Power Electronics News · 2026/11/12 · 查看原始来源