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NuAxi 汇总提及英飞凌的公开快讯：产品发布、产能与价格信号、供应链变化，持续更新。

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10月30日 周五

  1. 影响评分 10

    功率电子周报汇总：晶圆级老化提升WBG器件可靠性、汽车与航空航天WBG器件测试、功率变换器直接介电冷却

    《Power Electronics News》发布本周文章汇总，主题为晶圆级老化提升WBG器件可靠性、汽车与航空航天WBG器件测试、以及功率变换器的直接介电冷却。文中条目包括：晶圆级老化在封装前筛选SiC和GaN器件的早期失效，从而提高模块良率和可靠性；直接介电冷却使绝缘液体更靠近SiC/GaN器件，缩短热路径但使绝缘设计更复杂；汽车与航空航天WBG器件测试涵盖动态表征、短路耐受、热循环和栅氧可靠性。其他条目：Infineon与NVIDIA推进面向800 VDC AI数据中心的GaN中间总线变换器；Enphase与Infineon将900 V GaN双向开关集成到面向AI数据中心电力变换的SST系统中；Vertical Semiconductor拟申请7300万美元CHIPS资金用于推进面向AI数据中心功率效率与密度的垂直GaN晶体管（属提议）；Murata开发世界最小的008004英寸NTC热敏电阻，NCU01系列保持±1%电阻和B常数公差，初始样品计划于2026年10月、2027年量产；Flex完成对EPC Power的收购，增加超过15 GW已部署的功率变换技术并强化电网稳定与备用电源能力；SemiQ推出750 V和1200 V第四代SiC MOSFET。原文为新闻汇总，未给出任何价格变动数据。

    SiC devicesGaN devicesvertical GaN transistorsInfineon、NVIDIA 等 8 家Power Electronics News
  2. 影响评分 30

    芯片行业一周综述:HBM短缺威胁AI扩张,TSMC考虑涨价,Infineon与UMC增加晶圆厂投资

    这是一篇每周行业综述,罗列了多项半导体行业动态:HBM短缺威胁AI扩张;TSMC正在考虑涨价(仅为考虑,未确认实施);先进封装产能爬坡;领域专用AI模型;Infineon和UMC增加晶圆厂投资;Intel的量子计算动向;Lam与imec推进3D集成;Google扩展TPU;AI驱动的财报;面向代理式AI的CPU基准测试方法。原文均为标题式概述,未提供具体数字、日期或原因,未说明这些事项的实施状态。

    HBMTSMC、Infineon 等 7 家Semiconductor Engineering
  3. 影响评分 25

    EE Times文章概述英飞凌OktoberTech大会要点：边缘AI、SDV、GaN功率与迈向800 VDC数据中心

    EE Times发布的一篇帖子介绍了英飞凌OktoberTech技术大会的要点，涉及边缘AI、软件定义汽车（SDV）、GaN功率器件以及数据中心向800 V直流（800 V DC）供电转变等议题。原文仅为此类大会要点的概述性内容，未包含具体数字、日期、价格、产能或订单等可交易事实，也未说明任何原因。

    edge AISDVGaN powerInfineonEE Times

10月28日 周三

  1. 影响评分 45

    Enphase与Infineon开发900 V氮化镓双向开关并部署于IQ SST开发样机，量产认证尚待进一步验证

    Enphase Energy与Infineon Technologies宣布将900 V氮化镓（GaN）单片双向开关（BDS）器件部署于Enphase固态变压器（SST）功率模块中，目标应用为AI数据中心电力基础设施。Enphase负责系统级开发，Infineon通过其CoolGaN组合提供器件技术与工程专长；Enphase此前已将650 V GaN双向开关引入量产电力电子，GaN HEMT技术已用于其IQ9微型逆变器。该技术支持面向AI数据中心的IQ固态变压器（IQ SST）平台，可用于800 V单极性直流母线替代±400 V双极母线，并可能支持未来采用±750 V分压方案的1,500 VDC架构；900 V器件还有望惠及商用太阳能逆变器，支持美国480 V及其他市场400 V的三相线电压设计。文中未说明具体的数量、价格或时间表。器件已完成初步测试并正集成到IQ SST开发样机中，量产认证预计随后进行，因此在达到合格量产状态前仍需进一步验证。

    900 V GaN monolithic bidirectional switch (BDS)solid-state transformer (SST) power modulesCoolGaNEnphase Energy、Infineon TechnologiesPower Electronics News并购合作
  2. 影响评分 20

    报告称2026年全球有源电子元器件市场规模达到2832.40亿美元，预计2033年增至4211.30亿美元，2026—2033年CAGR为5.83%

    据德文特综合调查研究，全球有源电子元器件市场2026年市场规模达到2832.40亿美元，预计到2033年将增长至4211.30亿美元，2026—2033年年均复合增长率（CAGR）为5.83%。该数据出自报告《全球与中国有源电子元器件市场规模，企业竞争格局与行业发展趋势研究报告2026》。报告将有源电子元器件细分为模拟、微控制器和微处理器、逻辑、存储、分立半导体五类，下游应用划分为消费电子、通讯、汽车、工业及其他，并覆盖中国、美国、德国、日本、法国、英国、意大利、韩国、东南亚、印度、拉丁美洲和中东及非洲12个关键国家和区域。文中列出的主要领先厂商包括Samsung、Intel、SK Hynix、Micron、Qualcomm、NVIDIA、Broadcom、MediaTek、TI、Advanced Micro Devices、Infineon、STMicroelectronics、NXP、Analog Devices、Kioxia Holdings Corporation、Western Digital、Maxim Integrated、ON Semi、Microchip、Renesas、Skyworks Solutions、Mitsubishi Electric、Toshiba、Vishay、Fuji Electric、ROHM Semiconductor等。报告正文还提及中国2026年市场规模及全球占比的数值在原文中以空白占位呈现，未给出具体数字。该内容为市场研究报告的宣传性描述，属于行业背景信息，非实际成交价格或供给事件。

    有源电子元器件Samsung、Intel 等 26 家格隆汇·半导体
  3. 影响评分 25

    报告：2025年全球电动汽车电力电子市场营收894.5亿元，预计2032年达3544.58亿元（预测期内年复合增长率21.74%）

    湖南贝哲斯信息咨询有限公司发布的2026年电动汽车电力电子市场分析报告显示，2025年全球电动汽车的电力电子市场营收达894.5亿元（人民币），中国2025年市场规模达602.36亿元。报告预测（预测值，非实际结果）预测期内全球市场年复合增长率将达21.74%，至2032年市场规模将达到3544.58亿元。按品类划分，电源模块在2023年占据最大市场份额，市场细分为电源模块、电源分立器件和电源IC；按应用划分，纯电动汽车（BEV）为最大细分市场，2023年市场份额为76.87%。地区方面，2023年亚洲国家电动汽车电力电子市场份额为73.36%，报告覆盖北美、亚太、欧洲、拉美及中东和非洲地区。报告列出的重点企业包括Microchip (Microsemi)、Mitsubishi Electric、Onsemi、Infineon、Texas Instruments、ROHM、NXP Semiconductors N.V.、Stmicroelectronics NV、Star Semiconductor Co., Ltd.、BYD，其中英飞凌在2024年的销售额和收入方面名列前茅。原文未说明原因（本文为市场研究报告，无单一事件原因）。

    电动汽车的电力电子电源模块电源分立器件Microchip (Microsemi)、Mitsubishi Electric 等 10 家格隆汇·半导体
  4. 影响评分 40

    英飞凌向Enphase供应900 V氮化镓双向开关，用于AI数据中心电力系统

    英飞凌正在向Enphase Energy供应900 V氮化镓(GaN)双向开关，用于AI数据中心电力系统中的固态变压器。两家公司宣称这些CoolGaN器件是该电压等级下全球首款单片GaN双向开关，将该技术扩展至更高电压的功率转换应用。

    900 V gallium nitride (GaN) bidirectional switchesInfineon Technologies、Enphase EnergyeeNews Europe并购合作
  5. 影响评分 30

    恒州诚思2026年10月发布全球预偏置晶体管市场分析报告：2025年全球市场规模约（数值空缺）亿元，预计到2032年接近（数值空缺）亿元，未来六年CAGR为（数值空缺）%

    恒州诚思（YHResearch）于2026年10月发布《2026年全球及中国预偏置晶体管行业头部企业市场占有率及排名调研报告》。报告称2025年全球预偏置晶体管市场规模约（原文数值空缺）亿元，预计未来将持续保持平稳增长的态势，到2032年市场规模将接近（原文数值空缺）亿元，未来六年CAGR为（原文数值空缺）%。报告覆盖2021至2025年历史销量与营收、2026至2032年预测模型、全球及中国竞争格局、区域市场（美国、欧洲、日本、韩国、东南亚、印度等）、产品类型（NPN、NPN/PNP、PNP）、应用领域（控制IC输入、数字系统、切换负载）及产业链分析。报告列出的主要企业包括Infineon Technologies、ROHM Semiconductor、ON Semiconductor、Diodes Inc、Micro Commercial Comp、NXP（其中ON Semiconductor在原文中列出两次）。该内容为市场研究报告发布信息，不涉及具体价格变动、产能变化或供应事件。

    预偏置晶体管Infineon Technologies、ROHM Semiconductor 等 6 家格隆汇·半导体

10月27日 周二

  1. 影响评分 45

    英飞凌与祥硕科技合作推动20Gbps USB普及,应对AI摄像头等物理AI设备需求

    英飞凌(Infineon Technologies)与祥硕科技(ASMedia)宣布建立合作伙伴关系,以加速20Gbps USB的普及。原文说明此举的驱动因素是机器学习摄像头及其他物理AI设备对快速传输大量数据的需求。该合作目前仅为宣布阶段,文中未说明任何价格、产量或时间表信息。

    20Gbps USBInfineon Technologies、ASMediaDigiTimes Asia并购合作
  2. 影响评分 60

    Infineon将新建「世界首个」300mm GaN功率半导体量产设施，计划至27年开始生产

    Infineon计划新建用于300mm GaN功率半导体的量产设施，来源称其为「世界首个」300mm GaN功率半导体量产设施，并计划至27年开始生产。该内容属于计划/新建意向，原文未说明原因，也未提及该设施已建成或已投产。

    300mm GaN功率半导体（GaNパワー半導体）InfineonEE Times Japan产能变化

10月26日 周一

  1. 影响评分 30

    2026年全球电容式触控器市场规模达到26.76亿美元

    根据德文特的综合调查研究（报告名称：全球与中国电容式触控器市场规模，企业竞争格局与行业发展趋势研究报告2026），全球电容式触控器市场2026年市场规模达到26.76亿美元，预计到2033年将增长至40.03亿美元，2026—2033年年均复合增长率（CAGR）为5.92%。报告称中国在全球市场中的重要性持续提升，但中国2026年市场规模及占全球比例的具体数字在原文中缺失（为空白占位）。报告列出的主要领先厂商包括Synaptics、Infineon、Analog Devices、MicroChip、Azoteq、Silicon Labs、Onsemi、Renesas、Melfas、汇顶科技、敦泰科技、晨星半导体、思立微、贝特莱、比亚迪半导体、奇景光电、集创北方、纮康科技、AMT、义隆电子、君曜科技、矽创电子、奕力科技等；各梯队市场份额的具体百分比在原文中亦为空白。产品类型细分为单点触控（自电容）和多点触控（互电容），下游应用涵盖移动设备、可穿戴设备、笔记本电脑、智能家居、医疗设备、汽车。此内容为市场研究报告摘要与推广信息，非实际交易或产能事件；2026—2033年数字为报告预测性质，原文未说明价格变动或供需状况原因。

    电容式触控器Synaptics、Infineon 等 23 家格隆汇·半导体
  2. 影响评分 50

    Infineon将为Nvidia的800V数据中心供应GaN功率芯片，扩大合作涵盖高压中间总线转换器

    Infineon于当地时间10月21日宣布扩大与Nvidia在AI数据中心800V直流（DC）电力转换技术上的合作，将供应氮化镓（GaN）功率半导体及控制方案，用于把800V降压至服务器板所用中间电压的高压中间总线转换器（HV IBC）设备。该举措基于2025年公布的合作，此前合作重点是800V服务器机架的保护电路。Infineon支持将800V降压至50V、12V和6V的配置，并将提供整合其GaN功率半导体、PSoC Control C3控制器和EiceDRIVER产品系列的集成IBC系统解决方案。Infineon称其技术可实现最高1MHz的开关频率。Nvidia正在开发直接向服务器机架输送800V DC的架构，同时保留传统交流（AC）和低压DC方案。原文未说明原因以外，文中指出GPU功耗增长（每机架功率达兆瓦级）是推动800V DC系统受关注的原因。该合作属供应安排的宣布，不代表已实现供货或量产。

    GaN power semiconductorsHV IBC (high-voltage intermediate bus converters)PSoC Control C3 controllersInfineon、NvidiaThe Elec并购合作

10月23日 周五

  1. 影响评分 45

    Infineon与NVIDIA扩大面向800V直流AI数据中心的GaN功率解决方案合作，为1 MW以上机架铺路，NVIDIA目标2027年起采用

    英飞凌(Infineon)与英伟达(NVIDIA)正扩大双方在面向800V直流AI数据中心的氮化镓(GaN)功率解决方案上的合作，为1 MW以上机架铺平道路；据消息，NVIDIA的目标是从2027年开始采用该方案。该消息为合作扩大的报道，不涉及具体价格变动或产能数据。

    GaN-based power solutionsInfineon、NVIDIATrendForce Official (Market Data)并购合作
  2. 影响评分 45

    英飞凌与英伟达扩展面向AI数据中心的GaN功率合作，联合开发800V直流架构用高压中间母线变换器方案

    英飞凌于10月21日在柏林举行的NVIDIA GTC开发者大会上宣布，与英伟达扩大在AI数据中心电力输送方面的合作。双方将共同开发基于氮化镓（GaN）功率器件的高压中间母线变换器（IBC）解决方案，用于800V直流（800V DC）架构。该扩展合作建立在两家公司于2025年启动的800V DC电力输送计划基础上，聚焦高功率AI机架的功率转换，并将支持服务器机架热插拔维护。英飞凌将利用其CoolGaN产品组合，采用高频开关技术应对多种转换配置，包括800V转50V和800V转12V；方案面向英伟达用于AI工厂的MGX开放式模块化参考架构。该电力架构面向每机架功耗高达1 MW的AI计算系统，部署预计于2027年开始逐步推进。双方最早于2025年5月宣布就800V DC数据中心电力输送开展合作，初期计划涵盖碳化硅（SiC）和GaN两种技术；最新扩展更侧重GaN用于中间母线变换。除GaN IBC外，英飞凌还在为英伟达的800V DC生态系统提供SiC器件、功率保护元件及其他功率产品，覆盖从电网到AI处理器的电力输送链。方案目标是提高功率密度、降低输送链功率损耗、降低散热硬件要求，并支持服务器主板受控预充放电及机架运行中热插拔，以降低数据中心维护期间服务中断风险。

    GaN power deviceshigh-voltage intermediate bus converter (IBC)800V DC power delivery architectureInfineon、NVIDIATrendForce并购合作

10月22日 周四

  1. 影响评分 45

    英飞凌10月21日表示，正扩大与Nvidia在AI数据中心800伏直流供电架构上的合作，聚焦中间总线转换器（IBC）中的氮化镓（GaN）芯片

    英飞凌于10月21日表示，公司正在扩大与Nvidia在面向AI数据中心800伏直流供电架构方面的合作，重点聚焦中间总线转换器（IBC）中使用的氮化镓（GaN）芯片。该合作仍属计划/推进中的合作事项，原文未披露具体时间表、出货安排或原因。

    gallium nitride (GaN) chipsintermediate bus converter (IBC)Infineon Technologies、NvidiaDigiTimes Asia并购合作
  2. 影响评分 40

    英飞凌与Wolfspeed签署多年期200mm碳化硅晶圆供应协议

    英飞凌与Wolfspeed签署多年期200mm碳化硅晶圆供应协议。该协议将英飞凌现有与Wolfspeed的供应关系转向用于碳化硅制造的大直径衬底。原文未说明协议金额、供应数量或生效时间等细节。

    200mm SiC waferSiC substrateInfineon、WolfspeedEE Times Asia并购合作

10月21日 周三

  1. 影响评分 50

    Infineon与Wolfspeed于10月15日宣布新的多年期8英寸SiC晶圆供应协议，将供应合作从6英寸过渡至8英寸衬底技术，以削减成本并满足AI电力需求

    Infineon Technologies与美国碳化硅(SiC)厂商Wolfspeed于10月15日宣布一项新的多年期8英寸SiC晶圆供应协议。该协议将双方现有的供应合作从6英寸衬底技术过渡到8英寸衬底技术，使两家公司能够满足电动汽车(EV)、可再生能源系统以及AI数据中心电力基础设施的未来需求。原文说明此举旨在削减成本并满足不断上升的AI电力需求；该协议为已宣布的供应协议，8英寸过渡的实施完成情况原文未说明。

    8-inch SiC wafers6-inch SiC substratesInfineon Technologies、WolfspeedDigiTimes Asia并购合作

10月20日 周二

  1. 影响评分 30

    意大利AdapTronics赢得聚焦人形机器人关键技术的Infineon Startup Challenge 2026

    意大利公司AdapTronics赢得了聚焦人形机器人关键技术的Infineon Startup Challenge 2026。AdapTronics凭借人形机器人的创新抓取技术获胜；韩国的COSMOKE凭借面向physical AI的磁触觉传感技术COSKIN获得第二名，该技术使人形机器人能够感知触觉、压力和物理交互；德国的TECHiFAB凭借基于存内计算的机器人执行器实时电机控制方案获得第三名。共有来自29个国家的100多家初创公司参与，其中15家入选，在奥地利格拉茨EBSCON会议期间举行的Infineon Startup Challenge Demo Day上展示方案。作为获胜者，AdapTronics将加入Infineon Startup Co-Innovation Program，与Infineon共同开发并扩展其方案；该合作将于11月在慕尼黑的Startup Night上正式启动。

    humanoid robotsInfineonElectronics Weekly
  2. 影响评分 20

    Mouser新品速递：2026年第三季度新增超过5,000个料号（7月至9月）

    Mouser Electronics于2026年10月19日发布的New Product Insider称，2026年第三季度（7月至9月）其作为授权全球分销商推出了超过5,000个可供出货的新料号。文中列举的季度新品包括：Renesas Electronics的RZ/G3SE系列64位通用微处理器（面向IoT边缘应用，最多四个Arm Cortex-A55核心、主频最高1.2 GHz，含200 MHz Cortex-M33协处理器）；Semtech的LR2021EVK2XxS1评估套件（基于LR2021 LoRa Plus RF收发器，支持868MHz、915MHz、2.4GHz、S波段和L波段卫星通信，并提供北美915 MHz、欧洲868 MHz、亚洲490 MHz配置版本，套件含两块LoRa Plus RF板和两块基于Nordic Semiconductor nRF54L SoC的XIAO模块）；Infineon Technologies的XENSIV TLx49012磁角度传感器（汽车用TLE49012和工业用TLI49012，支持SPI、ABZ、PWM、UVW接口）；以及Banner Engineering的S100系列多点触控显示器。Mouser表示其客户可获得100%经认证、可完全溯源至制造商的正品。原文未说明原因（该报道属产品目录更新性质，无价格或供需变化事件）。

    RZ/G3SE Quad Core MicroprocessorsLR2021 LoRa Plus RF transceiverXENSIV TLx49012 Magnetic Angle SensorsMouser Electronics, Inc.、Renesas Electronics 等 6 家Electronics Sourcing

10月19日 周一

  1. 影响评分 40

    英飞凌扩展PSOC Control C3微控制器家族，推出面向电机与电源控制的安全MCU PSC3M/P6系列

    英飞凌宣布扩展其PSOC Control C3微控制器家族，推出新的PSC3M/P6系列，将多电机控制、功率转换能力与高级安全性集成于单一器件。新MCU可控制最多四个无刷直流电机，同时支持后量子密码学（PQC）要求。该发布面向欧洲的工业驱动、机器人及可再生能源等领域开发者（原文列表在此截断）。原文未说明价格或供货时间等细节。

    microcontrollers (MCUs)PSOC Control C3 microcontroller familyPSC3M/P6 seriesInfineon TechnologieseeNews Europe