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功率电子周报汇总：晶圆级老化提升WBG器件可靠性、汽车与航空航天WBG器件测试、功率变换器直接介电冷却

发生了什么

《Power Electronics News》发布本周文章汇总，主题为晶圆级老化提升WBG器件可靠性、汽车与航空航天WBG器件测试、以及功率变换器的直接介电冷却。文中条目包括：晶圆级老化在封装前筛选SiC和GaN器件的早期失效，从而提高模块良率和可靠性；直接介电冷却使绝缘液体更靠近SiC/GaN器件，缩短热路径但使绝缘设计更复杂；汽车与航空航天WBG器件测试涵盖动态表征、短路耐受、热循环和栅氧可靠性。其他条目：Infineon与NVIDIA推进面向800 VDC AI数据中心的GaN中间总线变换器；Enphase与Infineon将900 V GaN双向开关集成到面向AI数据中心电力变换的SST系统中；Vertical Semiconductor拟申请7300万美元CHIPS资金用于推进面向AI数据中心功率效率与密度的垂直GaN晶体管（属提议）；Murata开发世界最小的008004英寸NTC热敏电阻，NCU01系列保持±1%电阻和B常数公差，初始样品计划于2026年10月、2027年量产；Flex完成对EPC Power的收购，增加超过15 GW已部署的功率变换技术并强化电网稳定与备用电源能力；SemiQ推出750 V和1200 V第四代SiC MOSFET。原文为新闻汇总，未给出任何价格变动数据。