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Enphase与Infineon开发900 V氮化镓双向开关并部署于IQ SST开发样机，量产认证尚待进一步验证

发生了什么

Enphase Energy与Infineon Technologies宣布将900 V氮化镓（GaN）单片双向开关（BDS）器件部署于Enphase固态变压器（SST）功率模块中，目标应用为AI数据中心电力基础设施。Enphase负责系统级开发，Infineon通过其CoolGaN组合提供器件技术与工程专长；Enphase此前已将650 V GaN双向开关引入量产电力电子，GaN HEMT技术已用于其IQ9微型逆变器。该技术支持面向AI数据中心的IQ固态变压器（IQ SST）平台，可用于800 V单极性直流母线替代±400 V双极母线，并可能支持未来采用±750 V分压方案的1,500 VDC架构；900 V器件还有望惠及商用太阳能逆变器，支持美国480 V及其他市场400 V的三相线电压设计。文中未说明具体的数量、价格或时间表。器件已完成初步测试并正集成到IQ SST开发样机中，量产认证预计随后进行，因此在达到合格量产状态前仍需进一步验证。