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英飞凌推进300毫米SiC生产：300mm工艺每片晶圆可产出2.3倍芯片，支持未来SiC制造扩产与供应（计划性）

发生了什么

本期Power Electronics News周报中，英飞凌被报道推进300毫米SiC生产：原文称该300mm工艺每片晶圆可产出2.3倍的芯片，用于支持未来SiC制造规模扩大和供应；这属于计划性扩产，原文未表明已实施或达成产能结果。同期汇总的其他组件动态还包括：安森美发布第四代EliteSiC M4 SiC平台（宣称更高效率、更低损耗）；Nexperia新增GaN FET和750V SiC MOSFET以扩展功率产品组合；东芝推出CTZ系列20款紧凑型齐纳二极管，提供5.6V至36V过压保护，封装占PCB面积减少81%；Diodes新增车用霍尔效应传感器与IntelliFET开关，并推出双通道隔离栅极驱动器；Silanna推出12至16位ADC，BGA封装内采样率最高250 Msps；TDK推出CCG60隔离DC-DC转换器，最高60W、93%效率、1×1英寸封装。此外还有关于高性能功率模块散热、GaN HEMT氢等离子体钝化（免刻蚀钝化p-GaN）以及应用匹配重于技术路线的技术文章。