NuAxi半导体贸易情报

Nexperia扩充GaN与SiC功率器件组合：GANE0R8-100QTM等已上市，另两款（含18 V GANE0R3-015QTL）计划2027年一季度推出

发生了什么

Nexperia正在扩充其氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）功率半导体组合，推出覆盖工业、汽车和计算应用的新器件。GaN方面，新增超低导通电阻GaN FET覆盖18 V至200 V：旗舰产品GANE0R8-100QTM为100 V器件，典型RDS(on)为0.75 mΩ，采用3 mm × 5 mm PQFN封装，现已上市，另有覆盖25 V至200 V的五款产品同步供应，电阻值最低至0.37 mΩ；还有两款器件（包括18 V的GANE0R3-015QTL，典型RDS(on)为0.32 mΩ）计划于2027年一季度推出。SiC方面，Nexperia已推出750 V SiC沟槽MOSFET，面向EV充电基础设施、光伏逆变器、工业驱动、AI与高性能计算电源、车载充电器和DC-DC转换器，该家族并引入TOLL封装；750 V器件的工业版和通过AEC-Q101认证的汽车版现已可供货。原文未说明原因（本条为产品组合扩充公告，不涉及价格变动或产能数字）。