Aixtron 2026年第三季度初步业绩显示订单量、营业利润(EBIT)及EBIT利润率显著超出当前市场预期
沉积设备制造商Aixtron SE（位于德国亚琛附近的Herzogenrath）表示，其2026年第三季度初步业绩显示，订单量、营业利润（EBIT）及EBIT利润率均显著超出当前市场预期。原文未说明原因。
- 相关厂商
- Aixtron SE
- 影响评分
- 55 / 100，中等影响
沉积设备制造商Aixtron SE（位于德国亚琛附近的Herzogenrath）表示，其2026年第三季度初步业绩显示，订单量、营业利润（EBIT）及EBIT利润率均显著超出当前市场预期。原文未说明原因。
据原文，2025年第二季度起，三星、SK海力士、美光和长鑫先后表态将逐步停接DDR4订单、直至全面停产（停产为表态/计划性质，尚非已完成的全面停产）；到年中，消费级DDR4合约价已出现单月涨幅超60%的行情。2025年11月DDR4单颗现货价约12美元，到今年10月冲至46.321美元，11个月涨286%。原文给出的原因是：最先进的晶圆产能被集中调往AI加速卡刚需的HBM和新一代DDR5，头部厂商超80%的先进产能压在这两类产品上；HBM在DRAM晶圆投片中的占比预计从2025年的个位数升至2026年的约22%、2027年约30%。DRAM合约价2026年一季度环比上涨93%至98%，二季度再涨58%至63%，摩根士丹利预测三、四季度还要分别涨50%和10%以上（预测）。长鑫2025年营收617.99亿元、同比增155.6%；今年上半年营收1503.10亿元、同比增873.64%，归母净利润776.05亿元（上年同期亏损23.32亿元）；前三季度业绩预告预计营收2650亿至2700亿元、归母净利润1310亿至1325亿元（上年同期亏损52.8亿元），二季度DRAM收入环比增99%主要来自移动端LPDDR4X/5X。产能方面，现有月产能机构口径不一，方向为2026年底超30万片、2028年前后接近50万片、长期规划指向60万片以上；上海新厂已启动设备招标，具备月产超10万片潜力。技术方面，长鑫科技总裁曹堪宇于10月10日公布首款4F²产品为服务器DDR5 RDIMM，预计年底前推出；4F²单元面积减约三分之一，同面积存储密度可提升30%至50%；三星已做出4F²工程芯片但量产目标在2028年前后，SK海力士预计更晚。
10 月 19 日消息，SK 海力士今日宣布与商业银行共同出资 2 万亿韩元（约合 99.86 亿元人民币），扶持韩国半导体材料、零部件和设备供应商，旨在提升韩国本土半导体产业。参与机构包括 KB 国民银行、新韩银行、友利银行和韩亚银行，以及多家主要半导体材料、零部件及设备供应商；SK 海力士和参与银行将共同提供资金，K-SURE（韩国贸易保险公社）负责提供担保。此外，该项目部分资金将用于建设 Trinity Fab，以支持与半导体大规模量产相关的技术研发，该项目投资额为 8,700 亿韩元（约合 43.44 亿元人民币），目标是增强韩国本土材料、零部件及设备供应商的技术自主能力，并加快相关技术和产品的国产化进程。
英特尔首席执行官陈立武近日在接受《日经亚洲》采访时，被问及中国能否在未来5至10年内赶上美国的芯片能力，他回应称“现在我认为，差距并没有那么大”；他未说明所指的芯片类型、制造节点、良率或成本，也未给出量化指标，原文亦说明该表态不能解读为中国已在先进制程上追平美国。他表示美中企业各有优势与短板，并提到地缘政治限制带来的敏感问题，但未将其归结为某一项政策或技术突破。报道背景包括：ASML此前确认其EUV系统销售已受限制，荷兰政府对部分先进浸没式DUV设备实施出口许可制度；上海朗道科技展示了FlintNano LPP-OXXO低功率激光诱导等离子体EUV光源原型，公司公布的参数为驱动激光功率1000瓦、工作频率1至20千赫兹、转换效率超过2%、EUV输出功率超过15瓦、可连续运行100小时以上、国产化率约90%，但这些为企业公布指标，未经独立验证，朗道称商业化仍需数年。同场采访中陈立武称英特尔重组已完成约八成，重建有竞争力的晶圆代工业务还需要多年，并以台积电用了10至20年成为全球领先代工企业为例。
Hanul Semiconductor于10月19日披露，其目标募集约20亿韩元的新股公开发行认购额达到目标金额的5.24倍。在10月15日开始、为期两天的公募认购期间，公司共收到1,276,705股认购，按发行价计算价值10,481,750,000韩元（104.8175亿韩元）。公司表示，鉴于近期韩国股市大幅回调及投资者情绪走弱，强劲的认购需求具有意义。此次小规模增发旨在筹集营运资金，发行价为每股8,210韩元，缴款定于10月20日，新股份额预计于11月4日上市。Hanul Semiconductor供应多层陶瓷电容器（MLCC）检测设备。
显示贴合设备制造商Shindo Eng Lab于当地时间10月15日在旧金山SEMICON West 2026上公布了一种芯片封装架构，将图形处理器（GPU）与高带宽存储器（HBM）垂直堆叠，中间夹一层约200微米厚的玻璃陶瓷中介层。该架构中GPU位于中介层上方、HBM位于下方，两者通过中介层中的垂直导电通孔连接；液冷模块分别置于GPU上方和HBM下方以相反方向散热；电力由底部印刷电路板（PCB）经金属柱输送至中介层并分配给两颗芯片。原文指出，当前AI半导体封装采用将GPU与HBM并排放置在硅中介层上的2.5D架构，垂直堆叠会缩短芯片间距离，但带来热量集中和热胀冷缩导致翘曲等挑战；Shindo声称其可调整热膨胀特性的玻璃陶瓷中介层结合两侧冷却可缓解这些问题。形成垂直导电通孔的技术为透过玻璃陶瓷通孔（TGCV），公司于9月发布，该工艺在玻璃陶瓷基板上用光刻同时形成孔洞图案并以铜填充；Shindo最初将TGCV作为倒装芯片球栅阵列（FC-BGA）基板中有机核心的潜在替代品提出。Shindo主要为显示面板与盖板玻璃贴合提供层压和真空贴合设备，此前无半导体基板业务经验。该公司已为该架构提交专利申请，并正与约10家公司进行技术讨论，已向其中部分公司提供样品；尚未披露其打算直接制造并销售中介层还是供应设备。Shindo一位官员表示，最终目标是实现以TGCV为基础技术、垂直集成GPU与HBM的3D架构，并计划将该结构提交给委外封测（OSAT）公司讨论潜在应用。该架构尚属提案阶段，未见量产或商业化实现。
SK hynix于10月19日宣布，将与商业银行共同出资2万亿韩元，支持韩国半导体材料、零部件和设备供应商。SK hynix CEO郭鲁正出席了在京畿道龙仁集群展示中心举行的出口供应链强化保证协议签署仪式，出席者还包括产业通商资源部长官金正宽、韩国贸易保险公社(K-SURE)、四大商业银行(KB国民银行、新韩银行、友利银行、韩亚银行)的代表以及主要供应商。协议旨在扩大国内供应商的借款额度、提供优惠利率并降低贷款相关保证费用；SK hynix和参与银行出资，K-SURE提供保证。入选供应商已收到首批保证证书，受益方名单未披露。据SK hynix称，供应商因缺乏在实际半导体制造环境中测试的机会，难以将新开发的技术和产品商业化。与会者还参观了龙仁半导体集群首座晶圆厂工地及Trinity Fab设施；Trinity Fab是由中央政府、地方当局和SK hynix在首座龙仁晶圆厂内联合开发的先进半导体设施，项目价值8700亿韩元，旨在强化国内材料、零部件和设备供应商的技术独立性并加速本地化。
10月19日A股半导体方向领跌：中证半导（相关ETF：561980）以4.54%的跌幅居首，科创50（相关ETF：588450）跌2.17%，科创创业50（相关ETF：588300）跌1.79%，创业板人工智能（相关ETF：159243）跌0.42%；当日半导体指数跌1.39%，板块内39家上涨、148家下跌，存储与设备链调整最为明显。海外情绪是主要源头：上周五费城半导体指数收跌3.83%、连续第8个交易日下跌，创2008年金融危机以来最长连跌，8个交易日板块市值蒸发近2万亿美元，AI算力服务商CoreWeave信用风险发酵，市场对AI资本开支回报的担忧传导至亚太，SK海力士、三星电子'存储双雄'大跌，韩国KOSPI早盘一度跌超3%。国内方面，长鑫科技三季报预告前三季度归母净利润1310亿至1325亿元、同比扭亏为盈，但三季度单季环比增速降至1%至3.9%，较一二季度的246%、113%明显放缓，市场按环比重新定价，该股早盘一度跌近9%，拖累科创50盘中跌超2%。
ACM Research（美国半导体设备制造商）正将业务扩展至中国以外，其面板级封装设备正在台湾推进客户评估，同时该公司投资于韩国和俄勒冈州。公司预计海外业务的增长速度将快于其中国收入，但原文说明技术采用、封装尺寸标准以及美中紧张关系可能影响其计划。该扩张为计划/预期状态，客户评估仍在进行，尚未表述为已完成。
德国设备制造商Von Ardenne进入半导体行业，推出面向面板级封装的涂覆技术。该细分市场中竞争面板尺寸的选择仍未解决。其基于托盘的系统无需新平台即可处理不同基板尺寸，可能在全球制造商与客户权衡先进封装及玻璃基工艺标准之际降低设备风险。
中国第三季度国内生产总值（GDP）同比增长4.5%，高于第二季度的4.3%，但低于第一季度的5%，结束了此前的回落趋势，但仍处于中国设定的2026年全年4.5%至5%经济增长目标区间的下限。文章指出，在全球人工智能数据中心建设带动下，芯片、服务器、计算设备及相关电子产品需求增长，为中国制造业出口提供新动力；中国海关数据显示，2026年9月中国出口额同比增长36.3%，半导体、数据处理设备等科技产品出口增长支撑贸易顺差扩大，全年贸易顺差有望超过2025年创下的约1.2万亿美元纪录。同时，国内消费需求不足、房地产市场持续低迷、民间投资承压仍是主要挑战；中国政府已于9月公布降低部分企业融资成本、向符合条件的购房者提供补贴等支持措施，政策效果仍待观察。
10月19日，国家统计局新闻发言人、国民经济综合统计司负责人王冠华在国新办新闻发布会上表示，前三季度“人工智能+”行动有力带动了新兴领域的投资和出口，原文将此归因于人工智能的应用拓展及“两新”政策支持。前三季度电子电路制造业、集成电路制造业、信息服务业投资分别增长了58.7%、14.2%和20.2%；在“两新”政策支持下，企业加快智能化改造，带动设备购置投资增长9.7%。出口方面，前三季度我国电子元件、电线电缆等产品的出口分别增长70%和25.3%。
韩国半导体设备制造商Hanmi Semiconductor在SEDEX 2026展会上展示了其高带宽内存（HBM）和AI芯片封装设备，包括用于HBM4生产的TC Bonder 4，以及计划于2027年推出的Wide TC Bonder（原文仅表述为计划，未说明已实现）。公司还推出了五款2.5D封装系统，旨在适应日益增大的AI芯片封装。
巴克莱最新报告预测，全球（不含中国）数据中心新增容量的同比增速将从2026年逾100%大幅回落至2027年的约35%，2028年可能趋于平稳（此为预测，非已实现数据）。报告预计2027年全球（不含中国）新增投运容量约25GW，其中超大规模云服务商占比超过60%；建模时保守假设非超大规模项目管道的实际转化率仅约40%，理由是土地、电力接入及供应链等物理瓶颈。报告同时警告债务成本上升与融资环境收紧对开发商构成额外压力，并提及CoreWeave正在进行的投资者融资讨论为佐证；CoreWeave计划在2030年前新增5GW数据中心容量，其融资进展受市场关注。巴克莱认为2027年后增速放缓的核心逻辑是物理约束与资本约束共同作用，并建议超配半导体、低压电气及冷却设备，对电力设备及中压电气持相对谨慎态度。
SEMI最新的12英寸晶圆厂展望预测,2026年至2029年期间设备支出将实现两位数的年度增长,且该预测较上一版报告有所上调。SEMI市场情报高级总监Clark Tseng表示,涉及资金、电力和政治的外部约束正成为潜在的下行风险,并补充称这可能会防止AI驱动的扩张过热。
36氪获悉，中金指出，当前的投资预期还不至于给全球科技行业的景气度构成全面压力。中金表示，在不同竞争格局下，供给扩张对ROE和景气度的影响将有所差异：未来两年供给环境相对有利、资本回报和景气度相对受益的主要是中国半导体设备和电网设备；面临较大考验的是全球数字芯片设计。中国光模块、美国光模块和PCB可能阶段性受益；美国有色金属则可能阶段性承压。
华泰证券发布A股策略观点称，宽基ETF放量为低位指数提供托底，但历史上此类放量更可能是左侧信号，建议防守为主，并在三季报中寻找盈利环比加速的板块。该策略指出上周A股先跌后稳、整体缩量，AI硬件领跌；AI链回调是全球现象，AI业绩弹性与融资可持续性受质疑；避险情绪仍强，食饮、银行逆势收涨；三季报披露尚早，但市场对单季盈利环比加速的个股定价偏积极，可作为短期交易线索。配置上，建议保持低波红利等防御底仓；AI链关注PCB环节及光器件、半导体设备中的个股，AI链外关注通用及专用设备、风电与电网设备、航运、玻纤化纤、医疗服务等板块。本条为券商策略观点，非价格变动或供给事件。
本文为中金公司2026年10月19日发布的研报《AI高景气能否经住供给考验？》。报告以标准化未预期盈利（SUE大于1）定义高景气行业，测算显示美股电气设备、半导体及设备、电子、软件以及A股电子等板块景气度较高；认为景气上行源于需求打开增长空间、供给约束放大回报弹性。报告从相对投资强度（RI）和新增融资两个维度衡量供给扩张：2026年RI较高的行业包括全球半导体存储、全球半导体代工、美国建材、美国PCB、美国光模块等；新增融资超过50%分位数的仅有全球半导体代工和美国半导体设备（两者处于历史68%分位数），投资强度大且融资强度也大的行业只有全球半导体代工。报告引入行业收入集中度（HHI）并以1997~2025年数据实证：中低集中度组中相对投资强度与下一期ROE及SUE变化呈负相关，高集中度组则转为正相关；历史案例显示美国半导体设备1998年RI达0.535（历史89.7%分位），至2001年ROE累计下降28.0个百分点，美国PCB 2000年RI达0.324（89.7%分位），一年后ROE下降63.2个百分点，而2001年全球半导体代工HHI达4289、RI为0.250（82.8%分位），一年后ROE反而提高7.5个百分点。基于2026年和2027年市场一致预期的测算，报告结论为：当前投资预期尚不至于对全球科技行业景气构成全面压力；未来两年供给环境相对有利、资本回报和景气度相对受益的主要是中国半导体设备和电网设备，面临较大考验的是全球数字芯片设计；中国光模块、美国光模块和PCB可能阶段性受益，美国有色金属可能阶段性承压。
原文为Critical Manufacturing联合创始人兼CEO Francisco Almada Lobo的访谈。公司2009年成立于葡萄牙波尔图，核心产品为以制造执行系统(MES)为核心的工业运营平台；自2018年起成为ASMPT的一部分。其最强应用领域为半导体后段与先进封装，且该领域需求增长最快。公司提到新产能正在美国、欧洲、印度和东南亚建设，并指出先进封装将前端复杂性带入后段。这是背景性访谈内容，原文未涉及任何元件价格变动、产能关停或政策事件。
据上海超导公众号，10月18日（年份未注明），正值公司成立十五周年之际，其二代高温超导带材及总部基地项目主体建筑全面封顶，标志着这一全球超导领域规划产能最大的项目正式从建设阶段转入产线组装与设备调试阶段。该项目为2025年上海市重大工程，于2025年6月29日开工，选址上海市康桥工业区东区，占地92.62亩，设计年产能1.5万公里；建成达产后，上海超导总产能将提升至2万公里/年，位居全球第二代高温超导带材细分领域第一。目前上海超导年产能已达4000公里/年（12mm），是全球唯二实际年出货量超1000公里的超导带材企业之一。三期基地将投产全球首创的三公里大长度高温超导带材产线，计划于2027年一季度产出产品；标题将该投产表述为“明年”，与正文所载计划时间（2027年一季度）在原文中并存，均为计划状态，实际产出尚未实现。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |