NuAxi Stream - 实时半导体情报

10月24日周六

7 条

20:35影响评分 55
美光公布下一代AI内存路线图：vHBM垂直堆叠DRAM直连处理器，首代目标2TB/s带宽，计划2028年量产
快科技10月24日报道，美光在近期技术研讨会上公布了下一代AI内存路线图，核心是名为vHBM的垂直高带宽内存架构。与传统HBM通过中介层将内存与处理器并排摆放不同，vHBM直接将DRAM堆叠在运算芯片上方，用无凸块混合铜键合技术取代中介层。美光总裁兼CTO Scott DeBoer表示，AI工作负载对每token带宽和功耗的要求急剧攀升，vHBM的目标是消除互连瓶颈。首代vHBM设计目标为2TB/s带宽、每比特能耗低于1皮焦耳，计划2028年启动量产，2030年前推出三代产品，其中vHBM3锁定2030年。散热被视为物理层面的硬伤：法国分析师Karl Ackerman指出内存堆叠在处理器上方会挡住处理器散热路径，判断vHBM未来将与标准HBM并行使用而非全面取代现有架构；美光为此准备了集成式烟囱散热器，但散热工程难度依然极高。同步推进的还有vEIM垂直边缘推理内存，将低功耗LPDDR堆叠在边缘设备逻辑芯片之上，同样瞄准2TB/s带宽和低于1皮焦耳每比特能效，计划2028年量产。美光短期增长引擎仍是HBM、服务器DRAM和企业级SSD，供应链紧张预计至少持续两年。vHBM目前仍处于技术蓝图/计划阶段，能否大规模商用取决于散热和制造成本。
vHBM vEIM HBM美光
18:20影响评分 55
美光研究4F² DRAM逾20年仍未采用，称密度优势近乎神话、电容间距决定位密度；CXMT（10月10日）与三星（CTO，10月14日）仍在推进，美光计划2H27量产1δ
据TrendForce转发的消息，美光已研究4F² DRAM超过20年，但至今仍未采用，其理由是4F²的密度优势近乎神话，电容间距（capacitor pitch）才是决定位密度的因素。与之相对，CXMT（10月10日）和三星（CTO，10月14日）仍在推进4F² DRAM；美光则计划于2H27量产（ramp）1δ。上述均为原转述内容，量产计划为计划性质，尚未实现。
4F² DRAM 1δ DRAMMicron、CXMT 等 3 家
18:01影响评分 45
存算一体AI芯片公司亿铸科技宣布完成超10亿元新一轮融资，基于3D DRAM的全数字通用存算一体AI芯片已完成流片
36氪获悉，存算一体AI芯片公司亿铸科技宣布完成超10亿元新一轮融资。公司基于3D DRAM的全数字通用存算一体AI芯片已完成流片，商用芯片测试结果基本达到预设设计指标。公司表示本轮融资将用于研发投入、产品迭代及产业化推进。该事件为融资公告，芯片测试结果为达到预设指标，未涉及价格或产量变化。
存算一体AI芯片亿铸科技并购合作
17:00影响评分 98
亚马逊CEO：AI业务年化收入超250亿美元，增速是AWS初期的数百倍，砸2200亿美元仍无法满足需求
亚马逊CEO安迪·贾西透露，AI业务年化收入超250亿美元，增速是AWS初期的数百倍；即便今年砸下2200亿美元资本开支，仍有大量需求未被满足，AI算力到2028年都已基本售罄；Graviton处理器性价比比其他x86高出40%，Trainium AI加速器性价比高出30-40%。
Graviton处理器 Trainium AI加速器 AI算力亚马逊价格波动
09:44影响评分 45
英伟达否认近期存储器过剩担忧，对与长鑫存储（CXMT）合作保持开放态度
英伟达CEO黄仁勋在GTC柏林会议上表示（由CNBC报道），公司预计未来几年存储器供应不会超过需求，并对与中国长鑫存储（CXMT）合作保持开放态度。这些表态发表之际，存储器制造商市值下跌以及中国新的动态随机存取存储器（DRAM）进展加剧了市场对供应过剩的担忧。原文未说明其他原因。
memory (DRAM)Nvidia、ChangXin Memory Technologies (CXMT)
08:14影响评分 97
存储芯片涨价推高手机成本，IDC统计第三季度全球智能手机出货量跌至2.553亿台，同比降两位数
快科技10月24日报道，存储芯片价格持续走高正直接推高手机整机生产成本。IDC、Counterpoint、Omdia三家机构发布的第三季度全球智能手机市场报告均显示，第三季度全球智能手机总出货量同比出现两位数下滑，同比降幅分别达到22%、20%和20%；其中IDC数据显示今年第三季度全球智能手机总出货量跌至2.553亿台，比去年同期减少近7000万台，创有公开统计数据以来最大单季度同比跌幅。原因方面，原文指出随着全球AI数据中心建设提速，面向AI场景的高带宽内存HBM、服务器端DRAM需求爆发式增长，头部存储芯片厂商调整产线产能分配，留给消费级手机端的内存和闪存产能同步缩水，引发消费级存储供应紧张和终端价格持续上涨。供应链人士称手机用运行内存和内置闪存芯片近两年累计涨幅至少数倍；不少机型涨价1000元后整机毛利仍无法覆盖存储上涨新增成本。分析师指出存储产能向AI服务器倾斜的趋势至少还会持续两到三年，消费者换机周期可能进一步拉长。
存储芯片运行内存内置闪存芯片IDC、Counterpoint 等 3 家价格波动
00:00影响评分 30
台达在Energy Taiwan 2026展出基于固态变压器(SST)的预制化直流电源系统，面向AI数据中心，SST能效最高达98.5%
Delta在Energy Taiwan 2026（10月14日至16日，台北南港展览馆1馆4楼，摊位M0319a）展出面向AI工厂、高性能计算（HPC）数据中心和智能制造的微电网解决方案。其基于固态变压器（SST）的预制化直流电源系统采用容器化架构，集成SST、DC/DC转换器和控制设备，减少功率转换级数，SST能效最高达98.5%；据Delta称，该方案可将AI数据中心的电网到芯片能效提升4–5%。系统可配置高倍率电池以应对AI负载快速变化，提供毫秒级电力支撑，其模块化预制设计最多可缩短50%的部署时间，架构支持未来随算力需求增长的容量扩展。Delta还展出可用于分布式发电的固体氧化物燃料电池（SOFC）技术，热回收后系统总效率最高可达85%；Delta计划在2026年底前开始SOFC方案的试产。展会还包括由Delta ESG咨询办公室开发、基于ISO 50001能源管理方法的EnergiQ数字能源管理平台，以及来自台湾工业技术研究院、台湾经济研究院和Delta智慧能源与微电网团队的专家演讲。
solid-state transformers (SSTs)DC/DC converters solid oxide fuel cell (SOFC) technologyDelta

10月23日周五

13 条

23:16影响评分 30
每周热读：xMCU、NVHBM基础裸片、高通全球裁员
本篇为网站过去一周最受欢迎文章的汇总榜单。第5位：Google与Synaptics推出xMCU，一种结合异构AI原生计算与加速、并集成可扩展至数百MB高带宽定制DRAM的MCU，Astra SR200系列面向AI可穿戴和电池供电传感设备，可在设备端运行更大AI模型。第4位：据Data Centers Processor Market Monitor 2026年第三季度报告，代理式AI正在复苏数据中心CPU需求，CPU营收增长35%，高于AI ASIC（+23%）和GPU（+13%），GPU与AI ASIC设计商因DRAM价格急剧上涨而缩减路线图。第3位：伦敦 neocloud 初创公司Nscale的IPO计划再遇挫折，微软退出其埃塞克斯郡Loughton数据中心的锚定租户协议，双方均未说明退出原因，但UK Power Networks已告知Nscale，在2030年代早中期之前无法为该站点供应足够电力。第2位：据Seoul Economic Daily报道，Nvidia要求三星、海力士和美光为其名为NVHBM的定制HBM使用台积电3nm节点制造的基础裸片（base die），基础裸片包含HBM堆栈底部处理内存控制器和接口的逻辑层；Nvidia提出该要求的理由原文未展开说明。第1位：据路透社看到的高通CEO Cristiano Amon致员工的备忘录，高通将在全球范围裁员，通知将于下月开始，涉及人数未知；公司2025年9月拥有5.2万名员工，备忘录将此次裁员描述为“年度评审后以绩效为重点的精简”。
xMCU NVHBM base die HBMGoogle、Synaptics 等 10 家
23:00影响评分 55
XP Power推出UCH750系列750W对流冷却AC-DC医疗电源
XP Power推出UCH750系列750W对流冷却AC-DC电源，面向需要低噪音、高效率与可靠性能的医疗及工业设备。该系列采用底盘安装、无风扇设计，降低声学噪音并消除易磨损机械部件，适用于医疗影像、患者监护、诊断仪器、治疗设备及家用医疗器件等噪音敏感应用，亦覆盖医院设备、工厂自动化、半导体制造、测试测量系统与电信基础设施。转换效率最高达96%，单机尺寸203.2 × 127.0 × 40.0 mm。系列支持BF（人体浮动）应用部分分类，提供2 × MOPP输入输出隔离，在264 VAC、60 Hz条件下最大患者漏电流为100 µA；报告符合IEC 60601-1，并已获UL和TÜV安全认证，另有IEC 62368-1安全认证，满足EN 55032 Class B传导与辐射发射限值；提供Class I与Class II版本。五个型号在90–264 VAC通用输入下提供12 V、24 V、36 V、48 V、54 V标称DC输出，100 VAC输入且环境温度最高+50°C时可输出全功率750 W；具备远程开关控制、5 VDC/2 A待机输出及过载、短路、过压、过温保护。产品通过Avnet Abacus、DigiKey、element14、Farnell、Mouser、RS、TME、授权区域分销商及XP Power直销供应，附带三年保修。此为产品发布信息，不构成产能或价格变化的确认事实。
UCH750 series 750W convection-cooled AC-DC power suppliesXP Power
21:30影响评分 10
中国无EUV也能造先进芯片，但DUV多重曝光带来更大裸片、更低良率、更长制造时间与更高成本
一篇2023年10月23日发布的分析文章（注：原文刊载日期为2026年10月23日）指出，出口管制使ASML最先进的EUV光刻机无法进入中国，中国芯片业转而依赖DUV光刻并通过多重曝光生产先进芯片，但代价是更大裸片、更多缺陷、更低良率、更长制造时间和更高成本。Fractilia联合创始人兼CTO Chris Mack称，业内惯常认为193nm浸没式工具三次曝光成本约等于EUV一次曝光，一旦达到四层掩模，EUV就更划算。2023年华为Mate 60 Pro拆解发现其Kirin 9000S由SMIC以无EUV的第二代7nm级工艺制造；对华为Kirin 9030的分析显示SMIC将其基于DUV的工艺进一步逼近5nm级密度，但仍落后于TSMC和三星的领先工艺。摩根士丹利6月报告估计，中国DRAM厂商CXMT每片晶圆产出的比特数仅为西方竞争对手约三分之一，其中旧工艺节点仅占差距约三分之一，光刻设备获取被视作中国存储发展的“硬天花板”。美光1-alpha代芯片在无EUV下开发，被视为DUV可拉伸的例证；其更新的1-gamma DRAM工艺采用EUV，美光称较前代1-beta每片晶圆比特密度提升超过30%。摩根士丹利假设CXMT无EUV将停留在1-alpha工艺，但靠新建产能将其全球DRAM比特供应份额从2026年的14%提升至2028年的16%，并预计中国AI芯片自给率从2025年的42%升至2030年的70%。Mack认为无EUV的3nm或2nm节点在经济上不可行。
DUV lithography EUV lithography DRAMASML、SMIC 等 7 家
21:27影响评分 45
长鑫科技：对全球和中国 DRAM 产业中长期前景保持坚定信心
据《科创板日报》10月23日报道，长鑫科技表示，从中长期看AI对数据吞吐的需求仍在迅速增长，DRAM作为战略性基础设施的地位将会更加强化，公司对全球和中国DRAM产业的中长期前景保持坚定信心。长鑫科技10月16日发布2026年前三季度（2026年1月～2026年9月）业绩预告（为预告，非实际业绩）：营业总收入2650亿元～2700亿元，同比预增725.96%~741.54%；归母净利润1310亿元～1325亿元，同比扭亏为盈。公司此前在公告中表示，2025年下半年以来AI算力需求快速增长，全球DRAM行业景气度大幅提升，产品供不应求、价格大幅上涨，公司稳步推进产能建设，单位晶圆产出和产能利用率持续提高。背景方面：长鑫科技于2025年10月宣布量产LPDDR5X产品，芯片形态覆盖12GB、16GB、24GB等多个容量点，LPCAMM模组容量为16GB和32GB；今年9月，长鑫存储官宣自主研发的LPDDR6芯片已实现量产商用，首发搭载于小米18 Fold折叠旗舰手机。
DRAM长鑫科技、长鑫存储
21:00影响评分 20
FinFET与垂直GaN功率应用综述：ADI以15亿美元收购Empower于2026年7月完成，onsemi推出GaN-on-GaN垂直架构vGaN
本文为技术综述（背景类），讨论FinFET结构与垂直GaN在高功率电子（工业、电动车、AI数据中心）功率应用中的角色，未涉及价格或供需变化。要点：FinFET自逻辑转向功率路径，GlobalFoundries等代工厂提供FinFET工艺；Empower Semiconductor（现属Analog Devices）基于超快FinFET功率晶体管开发FinFast平台；Claros（现属Navitas）宣布将在三星美国14nm FinFET工艺上制造其集成稳压器（IVR）。据Empower，其Crescendo IVR瞬态响应较传统方案快约20倍；通过并联最多50个IVR（每个约60A）可向负载供应超过3,000A，电压跌落降低2倍，公司称可使典型AI工作负载的xPU功耗额外降低15%。2026年5月，Analog Devices宣布以15亿美元现金收购Empower Semiconductor的最终协议，交易于2026年7月完成。垂直GaN方面：2024年Power Integrations收购Odyssey Semiconductor资产以开发650V与1,200V垂直导通GaN FET；onsemi推出专有GaN-on-GaN垂直架构（vGaN），称能耗降低近50%，该技术在位于纽约Syracuse的晶圆厂（2024年底从NexGen Power Systems收购）生产；2025年10月，MIT衍生公司Vertical Semiconductor筹集由Playground Global领投的1,100万美元种子轮，基于8英寸晶圆展示100V至1.2kV垂直GaN工艺，并希望年底前推出 fully integrated 产品。原文未说明价格影响或市场供需原因。
FinFET-based power transistors (IVRs)vertical GaN power transistors integrated voltage regulators (IVRs)Analog Devices、Empower Semiconductor 等 10 家
19:22影响评分 65
Trendforce最新预测：2027年PC市场内存供应将收缩，消费端DRAM更贵且更难买到
快科技10月23日消息，根据Trendforce最新DRAM市场报告预测，2027年面向PC市场的内存供应将出现收缩，消费端DRAM不仅更贵，也更难买到。报告指出2026年的内存涨价主要由需求端驱动，AI数据中心凭借资金大量采购闪存和DRAM，三星、美光和SK海力士的产品价高者得，虽然三大厂产能拉满，但价格仍在飙升。Trendforce分析指出，2027年可能供应端也恶化，2029年新一波晶圆厂建成投产前产能增幅有限；分析师明确预测PC市场DRAM供应量将下降。DDR市场内部竞争加剧，所有厂商的AI工作站产品线使用与消费级显卡相同的GDDR芯片，用量却是三倍，且随AI模型规模增长继续扩大；NVIDIA DGX/RTX Spark和AMD Strix Halo的内存容量相当于八台普通消费笔记本，消耗同样的LPDDR。Trendforce此前预测内存年底涨幅15%至20%，但高价对需求的抑制效应可能成为回旋镖，2026年延迟的购买需求将在2027或2028年集中释放，届时供应不足以承接。以上供应收缩与需求释放均为预测，尚未成为已实现事实。
DRAM GDDR LPDDR三星、美光等 6 家产能变化
18:57影响评分 0
中国集成电路用正性光刻胶市场深度分析：产品细分、应用需求与主要企业竞争格局
QYResearch发布的报告显示，中国集成电路用正性光刻胶市场2026-2032年预计年复合增长率为5.6%，主要厂商包括Merck KGaA、Tokyo Ohka Kogyo、JSR Corporation、Shin-Etsu Chemical、Fujifilm、Niopik、DuPont、Chimei、Sumitomo Chemical、荣大感光科技、彤程新材、艾森半导体材料，产品类型包括紫外光刻胶、深紫外光刻胶、极紫外光刻胶、电子束光刻胶、其他。
紫外光刻胶深紫外光刻胶极紫外光刻胶Merck KGaA、Tokyo Ohka Kogyo 等 12 家
18:29影响评分 85
佰维存储：2026年以来DRAM等主要存储产品价格显著上涨看好AI产业发展带来的中长期市场机遇
佰维存储表示，2026年以来DRAM等主要存储产品价格显著上涨。该公司同时表示看好AI产业发展带来的中长期市场机遇。原文未提供具体涨幅数字、产品明细及价格变动原因。
DRAM佰维存储价格波动
16:57影响评分 60
长江存储据称正研发9600 MT/s LPDDR5X内存，计划在第三座晶圆厂推进量产（仍属研发与规划，未证实已量产）
据Counterpoint Research近期披露，中国闪存芯片制造商长江存储（YMTC）正将技术布局从NAND闪存扩展至DRAM领域，正在开发数据传输速率达9600 MT/s的LPDDR5X低功耗内存产品，并计划在武汉第三座晶圆厂推进量产。新方案计划采用垂直沟道晶体管（VCT）和4F²存储单元架构（传统DRAM通常为6F²布局），以缩小存储单元占用面积、提升集成密度。此前，长江存储自2025年10月起已在第二座晶圆厂开展第二代16Gb LPDDR5内存的研发和测试，目标速率为7500 MT/s，相关产线月产能约为5000片晶圆，该项目仍处于研发与测试阶段，未进入大规模商业生产。报道明确指出，现有资料描述的是研发目标和未来生产规划，并未证实9600 MT/s产品已完成验证或正式进入量产，且目前没有明确的量产时间表、产量数据或制造良率信息，产品还需通过终端厂商验证才能进入设备供应链。另据报告，长鑫存储（CXMT）也在探索4F²架构，并计划在2026年底前推出基于该架构的DDR5注册双列直插内存模块，同样面临技术验证和量产可行性不确定性；美光科技此前曾公开质疑4F²结构在进一步微缩中存在根本性问题。Counterpoint认为，长江存储9600 MT/s产品的研发进度、客户验证情况和第三座晶圆厂量产执行情况是后续重点观察指标。原文未说明原因方面的明确单一动因，仅提及AI数据中心扩张带动高带宽内存、服务器DRAM和固态硬盘需求增长的行业供需背景。
LPDDR5X LPDDR5 DRAM长江存储（YMTC）、长鑫存储（CXMT）等 5 家产能变化
15:17影响评分 60
YMTC准备量产9,600 MT/s LPDDR5X，此前自2025年10月起在Fab 2月产约5,000片7,500 MT/s的16 Gb LPDDR5X晶圆
据Counterpoint Research，主打NAND Flash的长江存储(YMTC)自2025年10月起在其Fab 2以每月约5,000片晶圆的规模生产运行速度为7,500 MT/s的16 Gb LPDDR5X DRAM。该公司目前正筹备在其Fab 3开始量产速度达9,600 MT/s的LPDDR5X存储器，采用垂直沟道晶体管(VCT) 4F²单元结构技术。量产尚处于筹备阶段，属于计划中事项。
LPDDR5X DRAM 16 Gb LPDDR5X DRAMYMTC产能变化
13:16影响评分 60
SI：2026年电子产品生产增长加速，美国8月三个月均值同比增8.1%，台湾2026年产量翻倍以上（受Nvidia AI模块需求驱动）
Semiconductor Intelligence指出，2026年电子产品生产增长正在加速。美国电子产品生产三个月均值同比在2026年8月为8.1%，自2025年10月以来持续加速；日本从2026年1月的下降1.5%转为2026年8月增长17.6%；欧盟27国从2026年1月的下降10.5%转为2026年7月增长16.9%。台湾2026年多数月份三个月均值同比超过100%，电子产品产量2026年翻倍以上，主要由Nvidia AI模块需求驱动，TSMC制造IC，其他台湾公司将IC及其他组件组装成模块。2026年8月三个月均值同比：泰国71%、越南40%、马来西亚22%、韩国18%、中国17%；印度2026年7月增长14%。尽管电子制造强劲，IDC数据显示2026年第三季度PC出货量同比下降20%，智能手机出货量下降22%；IDC预计2026年全年PC出货量将下降11.3%，智能手机将下降13.9%。下降主要由于内存短缺和价格上涨：AI应用推升DRAM与闪存需求及价格，IDC称2026年第三季度内存成本同比上涨350%。原文说明AI繁荣是电子产品与半导体高增长的主因，但AI需求导致其他电子市场下滑。
electronics production DRAM flash memoryTSMC、Nvidia 等 4 家
11:27影响评分 45
亿铸科技完成10亿+元融资，资金将用于研发投入、产品迭代及产业化推进
近日，国内首家通用存算一体架构（GP-IMC®）AI大算力芯片公司亿铸科技完成10亿+元融资。原文未说明原因，仅表示此次融资将为亿铸科技后续研发投入、产品迭代及产业化推进提供进一步支持。据透露，亿铸科技正式运营于2022年，持续聚焦通用存算一体技术研发，坚持“通用存算一体+超异构”技术路线，并围绕3D DRAM存算一体等技术方向持续布局。
AI大算力芯片亿铸科技并购合作
11:21影响评分 50
黄仁勋回应与长鑫存储合作：持开放态度没有哪个国家在制造业比中国更强
快科技10月23日报道，当地时间10月22日，英伟达CEO黄仁勋在德国柏林举办的英伟达GPU技术大会期间接受采访，被问及是否考虑与中国长鑫存储合作时回应称对此持开放态度，并表示中国公司在供应链各环节被广泛合作，在底层基础设施技术和制造业方面非常出色。针对市场担忧的内存供给过剩问题，他认为到2029年不太会出现内存供应过剩的局面，并称AI算力持续扩张会不断拉动HBM、DDR等各类存储需求上涨，此为个人观点性表述。此前当地时间10月19日，黄仁勋在与德国总理默茨交流时称中国是当今唯一一个制造业和计算机产业两手抓的国家。报道还提到，长鑫存储是国内DRAM赛道龙头、全球第四大DRAM原厂，是少数拥有DRAM完整研发、制造、封测一体化能力的厂商；据Counterpoint Research追踪数据，长鑫存储在2026年第二季度按营收计拿下全球DRAM市场10%的份额，比一年前多150%。双方合作仅为开放态度，未达成任何正式协议。
DRAM HBM DDR英伟达、长鑫存储等 5 家并购合作

Analog	$0.68	−5.9%
连接器	$0.75	+0.2%
CPU	$386.74	−21.3%
DDR4	$88.40	−0.2%
DDR52026-W13	$14.89	−11.2%
GPU	$478.20	+8.2%
MCU	$0.68	−61.7%异常波动
MLCC	$0.01	+54.0%异常波动
MOSFET	$0.12	−82.8%异常波动
PMIC2026-W13	$0.44	−12.5%
SSD/HDD	$288.43	暂无

NuAxi Stream - 实时半导体情报

10月24日周六

美光公布下一代AI内存路线图：vHBM垂直堆叠DRAM直连处理器，首代目标2TB/s带宽，计划2028年量产

美光研究4F² DRAM逾20年仍未采用，称密度优势近乎神话、电容间距决定位密度；CXMT（10月10日）与三星（CTO，10月14日）仍在推进，美光计划2H27量产1δ

存算一体AI芯片公司亿铸科技宣布完成超10亿元新一轮融资，基于3D DRAM的全数字通用存算一体AI芯片已完成流片

亚马逊CEO：AI业务年化收入超250亿美元，增速是AWS初期的数百倍，砸2200亿美元仍无法满足需求

英伟达否认近期存储器过剩担忧，对与长鑫存储（CXMT）合作保持开放态度

存储芯片涨价推高手机成本，IDC统计第三季度全球智能手机出货量跌至2.553亿台，同比降两位数

台达在Energy Taiwan 2026展出基于固态变压器(SST)的预制化直流电源系统，面向AI数据中心，SST能效最高达98.5%

10月23日周五

每周热读：xMCU、NVHBM基础裸片、高通全球裁员

XP Power推出UCH750系列750W对流冷却AC-DC医疗电源

中国无EUV也能造先进芯片，但DUV多重曝光带来更大裸片、更低良率、更长制造时间与更高成本

长鑫科技：对全球和中国 DRAM 产业中长期前景保持坚定信心

FinFET与垂直GaN功率应用综述：ADI以15亿美元收购Empower于2026年7月完成，onsemi推出GaN-on-GaN垂直架构vGaN

Trendforce最新预测：2027年PC市场内存供应将收缩，消费端DRAM更贵且更难买到

中国集成电路用正性光刻胶市场深度分析：产品细分、应用需求与主要企业竞争格局

佰维存储：2026年以来DRAM等主要存储产品价格显著上涨看好AI产业发展带来的中长期市场机遇

长江存储据称正研发9600 MT/s LPDDR5X内存，计划在第三座晶圆厂推进量产（仍属研发与规划，未证实已量产）

YMTC准备量产9,600 MT/s LPDDR5X，此前自2025年10月起在Fab 2月产约5,000片7,500 MT/s的16 Gb LPDDR5X晶圆

SI：2026年电子产品生产增长加速，美国8月三个月均值同比增8.1%，台湾2026年产量翻倍以上（受Nvidia AI模块需求驱动）

亿铸科技完成10亿+元融资，资金将用于研发投入、产品迭代及产业化推进

黄仁勋回应与长鑫存储合作：持开放态度没有哪个国家在制造业比中国更强

芯片拆解室已拆 1 台

器件价格指数NPI，较上期

热门器件

NuAxi Stream - 实时半导体情报

10月24日 周六

10月23日 周五

芯片拆解室已拆 1 台

器件价格指数NPI，较上期

热门器件

10月24日周六

10月23日周五