Lumentum演示1060nm VCSEL光互联
Lumentum、Astera Labs和Corning在OCP峰会演示1060nm VCSEL光互联技术，专为AI机架级架构设计。该技术结合了Astera Labs的智能交换机和Corning的多模光纤。
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新光互连技术验证将推动未来AI服务器对高速光模块的需求。
- 相关厂商
- Lumentum Holdings Inc、Astera Labs Inc、Corning Inc
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Lumentum、Astera Labs和Corning在OCP峰会演示1060nm VCSEL光互联技术，专为AI机架级架构设计。该技术结合了Astera Labs的智能交换机和Corning的多模光纤。
新光互连技术验证将推动未来AI服务器对高速光模块的需求。
JEDEC发布首个硅光可靠性标准JESD264，规范调制器与波导测试。该标准填补光学测试空白，解决多芯片模块的热应力与对准问题。
（技术标准化推动行业应用，短期供需无显著变化）。
Heraeus展示射频厚膜金电路激光蚀刻技术，探讨铜导电油墨替代银的可行性。该技术演示旨在优化制造工艺并评估材料替代方案。
目前尚未对现货价格或供应产生实质性影响。
FutureBit推出HashFly浏览器版比特币矿机，利用Google模拟果蝇大脑进行概念验证。该技术宣称若扩展至真实有机神经元，效率可达硅基3nm ASIC的10倍，但目前仅为低难度模拟。
目前仅为概念验证，对实际半导体供应链无直接影响。
ASML坚持使用激光产生等离子体(LPP)技术，计划将EUV光源功率提升至1000W。尽管马斯克支持的FEL技术被看好，但ASML认为现有激光技术已足够。
EUV光刻机长期产能规划，短期现货价格影响中性。
神经形态芯片因融合存储与计算架构而面临侧信道攻击等安全挑战。与传统处理器不同，这种脑机架构使硅片和时序电路暴露于新型网络威胁之下。对当前交易决策无直接影响。
iQ Sense开发出基于光子集成电路的动物健康连续体内生化监测平台。该技术通过异构集成、无电池设计和AI实现，旨在将实验室分析能力缩小至毫米级芯片。
该技术利用成熟技术趋势，但尚未对现有供应链产生直接价格影响。
CXMT在AMD平台实现DDR5-8800超频，逼近SK海力士顶尖水平。尽管CXMT首颗DDR5 IC于2025年11月才发布，但已获Colorful等品牌采用。
技术突破显示国产存储竞争力提升，但短期对现货价格影响有限。
Si2联合Nvidia、Cadence及Synopsys等机构在DAC 2026设立LLM芯片设计基准测试标准。此举旨在建立统一、可复现的AI评估格式及报告标准，以改善EDA工具中的AI部署质量与速度。
此举虽推动AI在EDA领域的长期应用，但短期内对现货价格及供需无直接影响。
CPO技术需从器件设计转向全电光路径实现，封装PDK成为关键缺失环节。随着AI基础设施对带宽和功耗要求提升，单纯提升光器件性能已不足以支撑系统级集成。
CPO产业链设计工具与封装工艺的协同演进。
Photon Design在ISLC 2026展示量子点激光器与PCSEL模拟工具。该软件旨在加速新型激光器的设计验证。
仅提升研发效率，暂无现货价影响。
文章提出AI光子学需关注电光实现走廊(EORC)概念。单一器件性能不足以支撑AI基础设施，需整合热学、力学及材料约束。
该框架将推动硅光子及共封装光学技术向系统级集成发展。
Fraunhofer IZM展示了基于SiC MOSFET和AMB芯片嵌入技术的500 kW/l逆变器模块。该技术通过PCB嵌入和铜顶层金属化降低寄生电感，提升功率密度和热性能。
SiC功率器件封装技术，但当前对现货价格影响中性，属于研发里程碑。
TrendForce指出TSMC COUPE虽已就绪，但面临亚微米对准与多级验证等测试瓶颈。在Broadcom Tomahawk 6与NVIDIA Spectrum-X Photonics等高速CPO交换机普及前，测试环节必须先行突破。
CPO测试设备与供应链产能，若测试无法跟上，将制约CPO大规模量产进度。
Keysight与GlobalFoundries合作，将GF硅光子工艺PDK集成至ADS设计软件。此举旨在简化光子集成电路设计流程，提升仿真与测量的相关性。
利好硅光子设计生态，但短期对现货供应无直接影响。
韩国研究人员开发超快激光技术解决玻璃基板TGV互联瓶颈，助力CPO应用。该技术预计将缓解光电共封装领域的制造难题。
关注未来供应链技术突破。
原子量子计算架构具备可重构性优势，能实现非相邻量子比特交互。相比超导技术（IBM/谷歌），该架构可减少错误率。
未来技术演进潜力。
文章探讨AI对模拟设计的影响，目前主要用于辅助运算放大器等组件选择。研究显示AI可帮助优化设计流程，如加州大学戴维斯分校利用计算重构缩小光谱仪尺寸。
技术趋势，暂无实质性供需数据。
Zeus在其华城研究中心建成临时键合与解键合工艺测试平台，为内存客户提供设备与材料测试环境。该设施基于2022年启动的政府项目，旨在支持HBM制造工艺研发。
此为长期研发基础设施投入，对当前元件供应、价格及交易决策无直接影响。
中国国防科技大学与中科院金属所团队利用液态金/钨双金属薄膜CVD法，实现了亚毫米级单层WSi₂N₄薄膜的晶圆级生长，生长速率较文献提升约1000倍。针对后摩尔时代传统硅基芯片面临的短沟道效应与功耗墙挑战，该技术有望解决现有2D材料中高性能p型材料稀缺的瓶颈。
该技术为下一代芯片材料提供了关键支持，但需长期产业化验证。