TetraMem计划2026年量产多级ReRAM芯片
Synopsys在DAC 2026展示TetraMem与ANAFLASH的内存计算技术,TetraMem计划2026年量产多级ReRAM芯片。两家公司通过在非易失性内存内直接计算,旨在解决数据中心HBM功耗与带宽瓶颈。
关注
边缘AI领域技术路线变革,短期对现有存储芯片供需无实质影响。
- 相关厂商
- Synopsys、TetraMem、ANAFLASH
- 料号
- MLX200
- 影响评分
- 5 / 100,低影响
Synopsys在DAC 2026展示TetraMem与ANAFLASH的内存计算技术,TetraMem计划2026年量产多级ReRAM芯片。两家公司通过在非易失性内存内直接计算,旨在解决数据中心HBM功耗与带宽瓶颈。
边缘AI领域技术路线变革,短期对现有存储芯片供需无实质影响。
神经形态芯片因融合存储与计算架构而面临侧信道攻击等安全挑战。与传统处理器不同,这种脑机架构使硅片和时序电路暴露于新型网络威胁之下。对当前交易决策无直接影响。
SK集团会长崔泰源预测,因AI对HBM需求旺盛且基础晶圆供应缺口超20%,内存短缺将持续4-5年。短缺局面预计将延续至2030年。
HBM及上游晶圆供应将持续紧张,支撑价格。
三星电子与SK海力士正推进PIM、CXL、MRAM及ReRAM等下一代内存技术研发,以解决AI数据瓶颈。此为技术趋势报告,未涉及具体产能、良率或价格变动。
相关技术处于研发阶段,对当前现货市场供需及价格无直接影响。
Weebit Nano的ReRAM技术被选入韩国政府资助的存内计算项目,目标能效约200 TOPS/W。该联盟由DB HiTek负责制造,旨在开发面向AI应用的大规模硅验证模块。
此为长期研发里程碑,对当前元器件供应、价格及交易决策无直接影响。
2025年NVM调查显示嵌入式Flash认知度超80%,FRAM/MRAM/ReRAM认知度均超25%。超八成受访者正在使用或评估NVM技术,近三成计划在未来一年选择NVM IP。
MRAM/ReRAM等替代技术,但嵌入式Flash仍为主流,市场处于观望状态。
已经到底了