毫米波频段向30GHz以上迁移
行业正向30GHz以上的毫米波频段及波导技术转移以克服信号损耗。传统互连技术在高频下失效,工程师需重新设计信号路径。
GaN 与 GaAs 在射频领域的替代趋势。
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行业正向30GHz以上的毫米波频段及波导技术转移以克服信号损耗。传统互连技术在高频下失效,工程师需重新设计信号路径。
GaN 与 GaAs 在射频领域的替代趋势。
英国半导体加速器重组并聚焦AI硬件、RF及SST等关键技术。该中心旨在通过支持先进封装、光子学和量子技术,增强主权能力和供应链韧性。
(中性影响)。
Hexseed Technology筹集60万英镑资金,旨在扩大用于GaN设备的低温钻石涂层技术。该技术通过在芯片上生长涂层来提升热效率并降低数据中心能耗。
GaN散热技术长期发展,但短期内对现货价格无直接影响。
MIT研究人员将GaN晶体管嵌入单晶钻石层以解决热瓶颈。该技术发表于IEEE IMS 2026,通过异构集成消除寄生电容,提升6G及卫星通信系统可靠性。
这是长期技术突破,目前无明确的供需或价格影响。
村田推出新型MLCC大包装方案,包装材料用量减少99%。该技术针对汽车ADAS和电源线应用,旨在提升物流效率并降低环境影响。
/利多/关注: 此为生产工艺优化,对MLCC的供应、需求及现货价格无直接、即时影响。
日本设备商Rix计划最早于2026年量产面向2.5D/3D封装(如CoWoS)的先进清洗设备。该技术旨在解决AI芯片封装中微米级间隙的清洗难题,公司已获得部分订单。
此为针对特定工艺环节的长期产能规划,对当前芯片供应及价格无直接影响。
比利时研究机构imec实验证实,在EUV曝光后烘烤步骤中将氧气浓度从21%提升至50%,可使金属氧化物光刻胶(MOR)的光敏速度提升15-20%。该发现源于其专用研究工具BEFORCE,旨在优化EUV光刻工艺成本与产能。
此为实验室阶段工艺改进,对当前半导体元件供应、价格及交易决策无直接影响。
一家未具名公司称其产品可支撑500-700层MLCC量产,且正获海外头部客户验证,并实现折叠屏与VR用OCA光学胶国产替代。此为互动平台上的企业单方面技术宣介,缺乏具体客户、量产时间及市场数据。
/利多/关注:中性,此为研发里程碑信息,对当前MLCC或OCA胶的供需与价格无直接影响。
莱斯大学团队开发出可规模化制造的金刚石散热层技术,使芯片核心温度降低23°C。该技术采用微波等离子体CVD工艺,兼容硅与氮化镓基底,目标应用于AI及5G高功率器件。
此为远期研发进展,对当前电子元件供应、价格及采购决策无直接影响。
斯迪克MLCC离型膜已覆盖全部国内客户,海外头部客户处于验证阶段。该产品可稳定支撑500-700层MLCC量产,并正研发超高层材料。
此为供应链长期国产化进展,对MLCC当前价格及供应无直接影响。
MACOM将包括专注于GaN技术的杰出技术院士在内的两名高管晋升为高级副总裁。此举旨在强化管理团队,执行公司战略以服务客户并发展先进技术。
此为内部人事变动,属于长期技术布局,对GaN射频组件的短期供应、价格及交易无直接影响。
Mission Microwave公司获得合同,将为Telesat Lightspeed地面站设计交付固态功率上变频器。该合同属于特定卫星通信基础设施项目的非大规模采购。
此为小众、低采购量的应用合同,对广大半导体供应链、需求及交易价格无直接影响。
MACOM获得HRL实验室40nm T3L GaN-on-SiC工艺技术的独家制造授权。该协议使MACOM能够使用这一专用于高性能射频芯片的先进制造工艺。
此为长期技术布局,对当前元件供应、价格及库存无直接影响。
Epirus公司成功演示其基于GaN晶体管的Leonidas高功率微波系统,现场击落61架无人机。该演示旨在验证GaN技术在定向能反无人机群防御系统中的应用潜力。
此次演示仅为技术里程碑,未宣布量产或军方采购订单,对商用GaN器件供应链及现货价格无直接冲击。
韩国ETRI与Wavice公司合作,首次基于晶圆厂技术实现了军用雷达及SAR卫星TR模块用GaN MMIC的国产化。此举旨在提升韩国在国防核心部件领域的自主可控能力。
此为长期研发成果,对当前商用GaN元件的供应、价格及交易库存无直接影响。
比利时imec与根特大学成功演示单片集成的微波光子处理芯片,整合了高速调制器、滤波器及探测器。该技术旨在取代5G/6G、卫星通信中笨重高功耗的组件。
此为远期研发里程碑,对当前电子元件供应链、价格及库存无直接影响。
Altum RF将其悉尼设计中心纳入ISO 9001:2015质量管理体系认证范围。此举旨在强化其射频、微波及毫米波半导体产品的设计开发流程。
该质量认证属内部管理流程完善,对芯片供应、价格及现货交易无直接影响。
美国专利商标局已对AmpliTech公司基于其专有低噪声技术的MMIC低噪声放大器设计专利发出许可通知。该专利证书预计将于2025年第一和第二季度正式颁发。
此事件为研发里程碑,巩固了公司的知识产权,但对相关射频组件的短期供应、需求或价格无直接影响。
印度国防研究机构DRDO下属实验室宣布开发出4英寸SiC晶圆及150W GaN HEMT、40W MMIC的国产工艺,工作频率达X波段。此举为政府主导的研发项目,旨在实现国防与战略领域的技术自主。
/利多/关注: 中性。该实验室级成果短期内不会影响全球商用SiC/GaN元件的供应链、需求或交易价格。
MACOM获选主导美国国防部CHIPS法案资助的GaN-on-SiC射频工艺技术开发项目。该项目旨在为国防及商业应用建立毫米波高效MMIC的国内制造能力。
此为长期研发里程碑,对当前射频元件供应、价格及库存决策无直接影响。
爆款新品里,到底装了谁的芯片?拆开,一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |