NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分：8/100
印度国防实验室研发4英寸SiC晶圆及150W GaN器件
印度国防研究机构DRDO下属实验室宣布开发出4英寸SiC晶圆及150W GaN HEMT、40W MMIC的国产工艺，工作频率达X波段。此举为政府主导的研发项目，旨在实现国防与战略领域的技术自主。利空/利多/关注: 中性。该实验室级成果短期内不会影响全球商用SiC/GaN元件的供应链、需求或交易价格。
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来源：Semiconductor Today · 2024/11/13 · 查看原始来源
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