imec优化EUV光刻工艺，光敏速度提升20%

比利时研究机构imec实验证实，在EUV曝光后烘烤步骤中将氧气浓度从21%提升至50%，可使金属氧化物光刻胶（MOR）的光敏速度提升15-20%。该发现源于其专用研究工具BEFORCE，旨在优化EUV光刻工艺成本与产能。中性：此为实验室阶段工艺改进，对当前半导体元件供应、价格及交易决策无直接影响。

来源：Electronics Weekly · 2026/2/25 · 查看原始来源