北大团队实现2D半导体2英寸单晶生长
北大与中科院团队利用同族金属元素修饰蓝宝石表面,成功实现2英寸单晶WS2或MoS2生长。该技术针对商用C/M级蓝宝石,解决了2D半导体外延生长的挑战。
虽为重大技术突破,但尚未影响现货市场供需。
- 相关厂商
- Peking University、Chinese Academy of Sciences
- 影响评分
- 10 / 100,低影响
北大与中科院团队利用同族金属元素修饰蓝宝石表面,成功实现2英寸单晶WS2或MoS2生长。该技术针对商用C/M级蓝宝石,解决了2D半导体外延生长的挑战。
虽为重大技术突破,但尚未影响现货市场供需。
台积电与阳明交大团队开发出0.42纳米氧化铝界面,用于单层二硫化钼晶体管。该技术解决了二维半导体栅极介电层成核难题,实现了强电场控制与低漏电。
该技术属于基础研发突破,目前对现货价格及供需无直接影响。
北京大学团队开发出首个全碳纳米管CFET数字逻辑电路,峰值电压增益达164。该成果采用无掺杂CMOS技术解决了驱动能力失配问题,展示了高稳定性与低功耗特性。
标志着碳纳米管作为后硅时代通道材料的重大技术进展,但短期内无商业量产影响。
imec、ASML 与台积电在 300mm 晶圆上实现 50nm 接触栅极间距的二维互补晶体管集成。该成果采用单次 EUV 光刻与反向薄膜晶体管结构,验证了二维材料在先进逻辑工艺中的可行性。
关注:该技术路线图将二维半导体推向后硅时代,但预计 2041 年前难以量产。
东京大学团队在《Science》发表论文,利用BN纳米管作为模板合成了1纳米MoS₂纳米管。该成果验证了理论预测并展示了结构控制潜力,但距离实际应用还很远。
关注:技术突破为未来超小型半导体通道提供新路径,但距离量产应用尚远。
三家固态变压器初创公司融资2.8亿美元,多家巨头加码该技术。该技术利用SiC/GaN等宽禁带半导体,旨在替代传统变压器以实现800V DC数据中心配电。
长期功率半导体需求增长,但当前现货价格无直接影响。
纳米材料公司TRUNNANO宣布战略扩展业务至先进陶瓷的研发与生产,聚焦碳化硅、氮化硅等材料。此举旨在响应半导体及新能源领域对高性能材料的需求,并利用其纳米技术积累。
此为长期技术布局,未提供具体产能、产量或价格数据,对当前交易无直接影响。
IEDM 2025会议聚焦钌金属互连与二维沟道材料研发,三星实验显示超细钌线电阻降低46%,imec展示了16nm间距下的高良率互连结构。背景是铜互连在先进制程面临电阻飙升问题,二维材料旨在解决晶体管漏电。
均为远期技术探索,对当前供应链、库存及现货价格无直接影响。
德国亚琛工业大学与于利希研究中心成功将低压纳米二硫化钼忆阻器集成至CMOS芯片。该研究旨在利用二维材料的优异电性能推动神经形态计算等先进电子应用发展。
此为远期研发里程碑,对当前半导体供应链、现货价格及交易决策无直接影响。
已经到底了
爆款新品里,到底装了谁的芯片?拆开,一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |