Lumentum演示1060nm VCSEL光互联
Lumentum、Astera Labs和Corning在OCP峰会演示1060nm VCSEL光互联技术,专为AI机架级架构设计。该技术结合了Astera Labs的智能交换机和Corning的多模光纤。
新光互连技术验证将推动未来AI服务器对高速光模块的需求。
- 相关厂商
- Lumentum Holdings Inc、Astera Labs Inc、Corning Inc
- 影响评分
- 10 / 100,低影响
Lumentum、Astera Labs和Corning在OCP峰会演示1060nm VCSEL光互联技术,专为AI机架级架构设计。该技术结合了Astera Labs的智能交换机和Corning的多模光纤。
新光互连技术验证将推动未来AI服务器对高速光模块的需求。
行业正向30GHz以上的毫米波频段及波导技术转移以克服信号损耗。传统互连技术在高频下失效,工程师需重新设计信号路径。
GaN 与 GaAs 在射频领域的替代趋势。
Sivers与SemiNex联合推出340万美元InP光源研发项目,旨在提升光功率与波长数量以适应数据中心向共封装光学(CPO)架构的演进。
InP光电子技术发展,但短期现货市场供需无直接影响。
英特尔CEO陈立武指出先进封装是瓶颈,将重点投资氮化镓、碳化硅等新材料。这是解决摩尔定律放缓的关键战略方向。
关注相关材料厂商的长期研发与扩产预期。
Vector Photonics使用其PCSEL激光器在500米距离上以50 Mbps速率完成了首次户外自由空间光通信演示。该测试由弗劳恩霍夫英国中心设计系统,将技术就绪度从TRL 4/5提升至6/7。
此为远期研发进展,对当前半导体供应链、价格及交易无直接影响。
Polar Light获110万欧元资助,启动为期18个月的双色Micro LED微显原型开发项目,并完成超500万欧元新一轮融资。该公司计划在2026年Q4启动单色绿光显示试产线。
此为远期技术路线图进展,对当前供应链、库存及现货价格无直接影响。
行业预测称AI数据中心互连将在5年内全面转向光互连,磷化铟激光器和硅光技术将与CMOS并列成为关键。此为长期技术路线图分析,未提供影响当前供应链的具体数据。
此为远期技术趋势判断,对当前组件交易无直接价格影响。
OpenLight宣布其与Tower合作开发的PH18DA磷化铟硅光平台获得首批量产订单。该平台基于800G/1.6T激光集成光子集成电路方案,面向AI与数据中心网络。
此为长期技术研发里程碑,对现有元器件供应、价格及交易决策无直接影响。
欧洲TNO、埃因霍温理工大学与SMART Photonics等机构联合投资超1.5亿欧元,在荷兰埃因霍温开建全球首个6英寸InP光子芯片工业产线,计划2028年全面投产,年产能达1万片晶圆。该项目获《欧洲芯片法案》支持,且中国2026年政府工作报告将6G列为未来产业,强化了InP的长期战略预期。
此为长期研发与产能布局,对当前元件供应、价格及交易决策无直接影响。
光子集成公司Photon Bridge指定加拿大光子制造中心CPFC为其磷化铟激光器代工合作伙伴,目标实现每波长超30mW的光功率输出。此举旨在验证其厚硅平台的可制造性,并为AI基础设施和传感系统开发可扩展的多波长光源。
此为长期技术合作与路线图验证,对当前组件供应、价格及产能无直接影响。
FAMES中试线启动2026年开放申请,提供四款新工艺设计套件,涵盖7-15GHz声波射频滤波器、相变材料射频开关、硅基磁性集成及FD-SOI 10nm路径探索。此举旨在通过共享研发设施提升欧盟技术主权。
此为长期研发合作项目,对当前组件供需及价格无直接影响。
荷兰埃因霍温动工建设一座6英寸磷化铟光子芯片工业级中试线。此举旨在加速InP芯片从研发到商业化的流程,但Coherent公司已于2024年宣布具备6英寸InP晶圆制造能力。
/利多/关注: 中性。此为长期技术研发进展,对现有电子元件供应、价格及短期交易无直接影响。
Move2Thz项目旨在开发可持续的磷化铟硅基平台并扩大欧洲生态系统,以支持未来大众市场亚太赫兹应用。该项目针对现有磷化铟技术短板,旨在为更高频段应用构建商业化平台。
此为长期研发里程碑,对当前组件供应、价格及交易决策无直接影响。
瑞士Eulitha向多家亚洲VCSEL代工厂交付多套6英寸DUV光刻系统。此举旨在支持用于激光雷达、3D传感和数据通信的VCSEL快速增长的需求。
此为特定细分市场的产能扩充,对主流半导体交易市场的短期供需与价格无直接影响。
TriEye与光宝科技宣布合作开发VCSEL驱动的短波红外传感成像方案。此举旨在整合TriEye的CMOS-SWIR技术与光宝的光电制造能力。
此为远期研发合作,对当前组件供应、价格及库存无直接影响。
荷兰TNO研究所将于年底在埃因霍温开建一条6英寸InP光子芯片试产线,旨在实现规模化生产。该项目是与PITC及多所大学合作的研发设施,旨在提升光子集成技术能力。
此为长期研发里程碑,对现有商用半导体供应链、库存及价格无直接影响。
冲电气工业与NTT创新器件公司宣布,利用其专有晶体薄膜键合技术,建立了用于高功率太赫兹器件的量产技术。该技术将磷化铟基UTC-PD光电二极管键合到碳化硅衬底上,旨在提升散热性能和键合良率。
此为远期研发进展,对当前电子元件的供应、需求及现货价格无直接影响。
弗劳恩霍夫ISE与III/V-Reclaim联合开发出150mm的InP-on-GaAs衬底,可替代传统InP晶圆。该技术通过特殊表面处理提供外延就绪晶圆,为III-V族器件制造提供了可扩展的低成本路径。
该技术突破提供了低成本替代方案,若实现量产,可能增加有效供应,对高端InP晶圆的长期价格构成压力。
Keysight与Coherent在OFC 2025首次展示200G/通道多模VCSEL技术,旨在提升数据中心AI/ML服务带宽。该演示属于远期研发里程碑,针对下一代短距光互连方案。
此为技术预研,对当前可交易组件的供需与价格无直接影响。
爱思强将向诺基亚供应G10-AsP MOCVD系统,用于生产6英寸磷化铟晶圆。此举标志着光子集成电路制造技术的一个研发里程碑。
此为单笔设备销售,支持客户研发,对当前半导体供应链、需求及价格无直接广泛影响。
爆款新品里,到底装了谁的芯片?拆开,一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |