Hexseed筹集60万英镑开发GaN散热涂层
Hexseed Technology筹集60万英镑资金,旨在扩大用于GaN设备的低温钻石涂层技术。该技术通过在芯片上生长涂层来提升热效率并降低数据中心能耗。
GaN散热技术长期发展,但短期内对现货价格无直接影响。
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Hexseed Technology筹集60万英镑资金,旨在扩大用于GaN设备的低温钻石涂层技术。该技术通过在芯片上生长涂层来提升热效率并降低数据中心能耗。
GaN散热技术长期发展,但短期内对现货价格无直接影响。
台积电与阳明交大团队开发出0.42纳米氧化铝界面,用于单层二硫化钼晶体管。该技术解决了二维半导体栅极介电层成核难题,实现了强电场控制与低漏电。
该技术属于基础研发突破,目前对现货价格及供需无直接影响。
CVD Equipment Corp在Stony Brook大学支持下,成功在PVT系统上生长单晶SiC晶锭。该成果旨在支持宽禁带材料研究中心的研发,验证了设备在SiC制造中的应用潜力。
此技术验证对短期供需无直接影响,但有助于长期SiC产能扩张预期。
中国国防科技大学与中科院金属所团队利用液态金/钨双金属薄膜CVD法,实现了亚毫米级单层WSi₂N₄薄膜的晶圆级生长,生长速率较文献提升约1000倍。针对后摩尔时代传统硅基芯片面临的短沟道效应与功耗墙挑战,该技术有望解决现有2D材料中高性能p型材料稀缺的瓶颈。
该技术为下一代芯片材料提供了关键支持,但需长期产业化验证。
莱斯大学团队开发出可规模化制造的金刚石散热层技术,使芯片核心温度降低23°C。该技术采用微波等离子体CVD工艺,兼容硅与氮化镓基底,目标应用于AI及5G高功率器件。
此为远期研发进展,对当前电子元件供应、价格及采购决策无直接影响。
CVD Equipment获Stony Brook大学两套PVT150系统订单,用于onsemi碳化硅晶体生长中心。该订单旨在支持大学层面的SiC晶体研发项目。
此为长期研发合作,对当前SiC元件供需及价格无直接影响。
Element Six在Photonics West 2025发布用于AI和HPC芯片散热的铜-金刚石复合材料。该产品旨在解决先进半导体器件的热管理挑战。
此为远期技术研发进展,对当前半导体组件供需及价格无直接影响。
Diamfab与HiQuTe Diamond宣布建立战略技术合作,覆盖从衬底生产到电子元件制造的钻石半导体价值链。该合作旨在推进合成金刚石在功率电子领域的应用。
此为长期研发进展,对主流电子元件的短期交易无直接影响。
Element Six与日本Orbray宣布战略合作,共同开发高品质晶圆级单晶合成金刚石。该合作旨在结合双方在CVD材料与精密制造领域的专长,面向高端应用市场。
此为先进材料的长期研发进展,对当前电子元件的供应、价格及交易决策无直接影响。
Vishay选定爱思强G10-SiC CVD外延平台,用于其南威尔士Newport工厂的碳化硅功率器件生产。该设备采用9x150mm或6x200mm的双晶圆尺寸配置,旨在建立内部外延产能。
此为针对特定工艺的长期产能建设,对当前分立器件市场的供应、价格及库存无直接影响。
CVD Equipment公司获得九台用于生产碳化硅晶体的物理气相传输系统订单。该订单表明客户正在为未来的SiC衬底产能进行投资。
此为远期产能的资本设备订单,对当前元器件供应、价格及库存无直接影响。
已经到底了
爆款新品里,到底装了谁的芯片?拆开,一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |