AMD驱动新增GDDR7支持，带宽达48Gbps
AMD在Linux驱动中添加GDDR7支持，为RDNA 5显卡做准备。GDDR7速度可达36-48 Gb/s，远超当前GDDR6的20 Gb/s，旨在提升带宽和能效。
利多
GDDR7长期需求，但当前现货市场影响中性，需关注后续产能规划。
- 相关厂商
- AMD、JEDEC
- 影响评分
- 10 / 100，低影响
AMD在Linux驱动中添加GDDR7支持，为RDNA 5显卡做准备。GDDR7速度可达36-48 Gb/s，远超当前GDDR6的20 Gb/s，旨在提升带宽和能效。
GDDR7长期需求，但当前现货市场影响中性，需关注后续产能规划。
HBM4将接口翻倍至2048，带宽目标2.8TB/s。文章对比HBM与DDR5，指出AI算力受限于内存墙，HBM通过堆叠提升性能。
HBM技术迭代加速，但制造成本和散热挑战增加。
SK海力士任命副总裁Yunik Son领导其整合设备、工艺与设计技术的DTS部门，旨在强化AI内存竞争力。此举为公司内部组织调整，旨在应对快速变化的AI时代，但未提及具体产能、产量或价格变动。
/利多/关注: 中性，此为背景性技术战略与人事信息，对短期交易无直接影响。
三星电子计划在下一代HBM4E芯片的基础裸片中评估采用2nm制程工艺，以结合其内存制造与晶圆代工能力。从HBM4开始，基础裸片需承担部分计算任务，逻辑功能重要性提升。
/利多/关注：此为远期技术路线图，未提及产能、价格或供应变化，对当前交易无直接影响。
三星高管表示其2nm制程良率爬坡进展好于预期，泰勒晶圆厂预计2026年底完成首批流片。公司重申2026年HBM销售额较2025年增长三倍、市占超30%的目标。
此为长期技术路线与产能规划，对当前组件供应及价格无直接影响。
业界拟将HBM高度限制放宽至800µm以容纳20层堆叠。此举旨在降低晶圆减薄风险，但混合键合导入恐延后。
混合键合延后或影响下一代HBM密度量产节奏。
JEDEC成员正讨论将下一代HBM封装厚度标准放宽至825-900μm，高于当前HBM4的775μm标准。此举源于20层堆叠的减薄技术挑战以及TSMC SoIC封装带来的厚度增加。
此为远期技术规格讨论，对当前元件供应、价格及生产无直接影响。
SK海力士在IEEE论文中提出H³混合内存架构，将HBM与HBF集成于同一中介层以应对LLM推理中的KV缓存容量瓶颈。该技术旨在解决Llama 4等模型高达5.4TB的缓存需求，其容量为HBM的16倍但延迟与耐用性不及HBM。
此为远期研发概念，对当前HBM/HBF现货供应及价格无直接影响。
付费报告详述了HBM技术路线图，包括采用定制基板的HBM4及供应链影响。HBM因AI加速器需求强劲，在DRAM市场中占据高价值地位。
报告为技术背景分析，未提供影响短期交易的产能、价格或短缺具体数据。
已经到底了
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |