NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分：15/100
业界拟放宽HBM高度限制至800µm，混合键合延后
业界拟将HBM高度限制放宽至800µm以容纳20层堆叠。此举旨在降低晶圆减薄风险，但混合键合导入恐延后。关注: 混合键合延后或影响下一代HBM密度量产节奏。
HBMDRAM
HBMhybrid-bondingstackingadvanced-packaging
来源：IT Home · 2026/3/8 · 查看原始来源
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