Frore Systems 液冷冷板降温 22°C
Frore Systems 推出 LiquidJet Diamond 液冷冷板，宣称可将 GPU 温度降低 22°C 并处理高达 770 W/cm² 的热点。该技术专为 Nvidia Rubin 系列等高性能处理器设计，旨在解决 AI 加速器日益集中的热量问题。
利多
液冷散热组件需求，但对 GPU 芯片现货价格影响中性。
- 相关厂商
- Frore Systems、Nvidia
- 影响评分
- 20 / 100，低影响
Frore Systems 推出 LiquidJet Diamond 液冷冷板，宣称可将 GPU 温度降低 22°C 并处理高达 770 W/cm² 的热点。该技术专为 Nvidia Rubin 系列等高性能处理器设计，旨在解决 AI 加速器日益集中的热量问题。
液冷散热组件需求，但对 GPU 芯片现货价格影响中性。
Toshiba推出3300V高压SiC MOSFET模块，额定电流达800A。Vishay新增50-150A 650V超结MOSFET模块，工作温度范围宽达-55至+150℃。
新功率模块发布通常预示着产能扩充或技术迭代，短期对现货价格影响中性，但利好相关产业链。
东芝推出IX800FXF2YMS4 3300V/800A SiC MOSFET模块，采用第三代技术及银烧结工艺。该产品主要面向轨道交通、UPS等高功率应用场景。
新产品发布，暂无供需或价格变动信号。
YAGEO推出用于碳化硅和氮化镓栅极驱动的LLC变压器及多层压电致动器。此举旨在拓展其在高功率电子与精密运动控制领域的应用版图。
该新品对相关细分市场需求的结构性拉动。
东芝推出IX800FXF2YMS4，一款用于工业设备的第三代3300V SiC MOSFET模块。该产品针对铁路车辆和可再生能源系统进行了优化。
该产品展示了东芝在高压SiC领域的持续技术升级。
STMicroelectronics推出SLLIMM Compact系列，首款20A模块STGI15C60S体积缩小30%。该模块专为空调、热泵等家电的低中功率电机驱动设计。
新产品发布，但短期内对现货价格无直接影响。
Alkaidsemi推出全球首款1200V SiC超结MOSFET。该产品率先完成验证，瞄准AI服务器电源及高压直流数据中心架构。
验证成功有助于抢占AI服务器电源市场，利好SiC功率芯片需求预期。
Taisic Materials于9月2日推出p型SiC衬底，用于超高压电网及铁路系统。该产品隶属于Kenmec集团，旨在满足高功率电气系统的需求。
该新产品对SiC衬底市场的潜在需求拉动。
三星V10 BV-NAND获FMS 2026创新奖，比特密度较上一代提升58%。该产品采用超过400字线架构，旨在满足AI时代对高容量、高性能及低功耗存储的需求。
新产品发布，缺乏具体价格或供应数据。
英特尔在Hot Chips大会上披露，Xeon 7 Diamond Rapids推迟至2027年上市。该平台取消超线程技术，取消8通道SP产品，聚焦HPC高端市场。
英特尔推迟高端Xeon 7上市，对当前通用服务器市场供应无直接影响。
Coherent启动300mm高导热SiC衬底客户送样，散热性能较现有方案提升25%。此举旨在满足AI及HPC领域日益严苛的散热需求。
标志着公司SiC材料技术从研发向商业化评估过渡，未来有望增强先进封装散热材料供应能力。
Aratas America LLC推出G3VH高压SiC MOSFET继电器，支持1800V和3300V负载电压。该继电器利用SiC技术实现高电压耐受能力和低导通电阻，适用于半导体测试设备等场景。
信号。
Coherent Corp开始向AI半导体合作伙伴送样300mm高导热碳化硅衬底。此举旨在推进其可扩展材料平台，以满足AI和高性能计算系统日益增长的散热需求。
该产品发布预示着AI散热材料需求增长，可能推动相关SiC衬底供应链的长期需求。
NoMIS Power演示了首款6.5kV大尺寸SiC MOSFET，阻断电压超8kV，导通电阻90mΩ，目前处于样品阶段。该产品计划于2026年第四季度量产，并扩展至10kV及以上的高压SiC器件路线图。
高压SiC器件路线图延伸，但量产时间较晚，对当前供需无直接影响。
英特尔Xeon 7 'Diamond Rapids'旗舰SKU将拥有高达256个P核，功耗可能超过800W。该设计基于Intel 18A-P节点，相比标准18A节点提供9%的性能提升或18%的功耗降低，但更高的核心数和功耗要求新的散热解决方案。
高功耗和核心数增加暗示了对高端散热解决方案和服务器组件的强劲需求，可能会推高相关组件的价格。
英特尔计划推出256核顶级SKU的Diamond Rapids “Xeon 7”服务器处理器。该平台取消了512核E-Core变体，专注于纯P-Core架构，并支持16通道DDR5-9000和PCIe 6.0。
尽管规格提升，但2027年的发布时间表和18A工艺延迟对英特尔的市场竞争力构成挑战。
Power Integrations宣布其PowiGaN技术电压等级提升至2200V，预计2028年底量产。该技术打破了此前1700V的电压上限，将应用于数据中心和电动汽车等高功率场景。
高压GaN市场前景明确，将推动相关产品未来价格上涨。
Power Integrations宣布推出业界首款2.2kV横向GaN开关，采用Cascode配置。该技术演示瞄准数据中心和电动汽车辅助电源等高电压应用。
这一里程碑表明GaN技术正向更高电压演进，将影响未来的功率密度和供应链规划。
英伟达发布Vera CPU，搭载88个Armv9.2核心及1.5TB LPDDR5X内存，Meta、字节跳动等云厂商已预订。该芯片采用台积电3nm工艺，旨在作为AI节点及AI代理主机。
台积电3nm产能及LPDDR5X需求，预计将推动相关供应链订单增长。
横河电机发布WT1500精密功率分析仪，支持高达2000V DC输入。该设备专为电动汽车和可再生能源设备的开发与性能评估而设计。
有助于提升高压系统测试效率，但属于测试仪器新品，对半导体芯片供需无直接影响。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |