NuAxi半导体贸易情报
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三星V10 BV-NAND获FMS奖，比特密度提升58%
三星V10 BV-NAND获FMS 2026创新奖，比特密度较上一代提升58%。该产品采用超过400字线架构，旨在满足AI时代对高容量、高性能及低功耗存储的需求。中性：新产品发布，缺乏具体价格或供应数据。
3D NANDNAND Flash
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来源：Samsung Semiconductor Newsroom · 2026/8/31 · 查看原始来源
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实时定价、供应信号与 AI 分析，为半导体贸易商而生