Vishay推出XFD11KxxCA系列TVS，峰值电流207.1A
Vishay推出XFD11KxxCA系列双向TVS器件，峰值脉冲电流达207.1A。该器件采用DO-218AC封装，具备低箝位电压特性，覆盖33V至85V的汽车电气架构。
利多
目前样品及量产供货，交期12周，将增强汽车及工业领域的过压保护能力。
- 相关厂商
- Vishay Intertechnology
- 料号
- XFD11KxxCA
- 影响评分
- 25 / 100，低影响
Vishay推出XFD11KxxCA系列双向TVS器件，峰值脉冲电流达207.1A。该器件采用DO-218AC封装，具备低箝位电压特性，覆盖33V至85V的汽车电气架构。
目前样品及量产供货，交期12周，将增强汽车及工业领域的过压保护能力。
FSP发布Mega GM 1200W电源，定价229美元，美国缺货。该产品采用自研平台与日系电容，性能超越Gold认证。
日系电容需求增加；关注：美国市场供应紧张。
EPC宣布EPC2370 GaN FET量产，单价2.52美元。该器件专为AI服务器800V/6V架构设计，替代25V MOSFET。
满足AI算力高密度电源需求，现货供应增加。
NoMIS Power演示了首款6.5kV大尺寸SiC MOSFET，阻断电压超8kV，导通电阻90mΩ，目前处于样品阶段。该产品计划于2026年第四季度量产，并扩展至10kV及以上的高压SiC器件路线图。
高压SiC器件路线图延伸，但量产时间较晚，对当前供需无直接影响。
Power Integrations宣布其PowiGaN技术电压等级提升至2200V，预计2028年底量产。该技术打破了此前1700V的电压上限，将应用于数据中心和电动汽车等高功率场景。
高压GaN市场前景明确，将推动相关产品未来价格上涨。
Exxelia推出1200V航空电容及磁元件，HEICO通过收购CalRamic扩充高压陶瓷电容组合。此次扩容旨在满足800V航空平台对高电压元件日益增长的需求。
HEICO收购CalRamic将改变高压电容供应链格局，但短期内对现货价格影响中性。
AOS推出AOPL66801 80V MOSFET，采用DFN6x5 AmpStack封装，通过垂直堆叠和Clip设计提升功率密度并降低寄生电感。该产品主要面向电动工具及AI工厂等高密度应用，属于新产品发布，暂无明确的供需或价格影响。
AOS发布采用新封装技术的MOSFET产品。该技术旨在提升功率密度以适应各类电源转换应用。
新产品对现有供应链的潜在影响。
Diodes推出DML1012ALDSQ智能负载开关，起价0.17美元。该器件专为汽车ADAS等应用设计，具备8mΩ低导通电阻及6A持续电流能力。
新器件进入市场，可能提升Diodes在汽车电源管理领域的份额。
英飞凌推出首款针对AI数据中心HV DC总线的24kW SiC BBU参考设计。该设计采用650V和1200V SiC技术，功率密度达450W/in3，效率超99%。
此设计有望加速数据中心向高压直流架构转型，利好英飞凌SiC产品需求。
英飞凌扩充CoolSiC JFET常关型产品组合，新增封装选项。此举旨在满足AI数据中心及工业应用对高性能功率分配与保护系统的需求。
新产品发布通常不直接改变现货价格，但有助于满足特定高需求场景。
罗姆半导体推出TSC3PAK顶部冷却封装，尺寸为14.00 × 18.58 × 3.50 mm。该封装旨在结合自动贴装与接近TO-247-4L的热耗散，适用于电动汽车和工业系统。
其能否解决SiC封装瓶颈或提升自动化效率。
Nexperia推出1200V SiC MOSFET QDPAK封装。该封装专为高功率密度和热需求应用优化，扩展了其宽禁带产品组合。
新封装有助于提升SiC器件在高功率场景下的散热性能与市场竞争力。
Wolfspeed发布第五代SiC MOSFET技术，针对1200V和750V汽车及工业应用。该技术展示了显著的效率提升，旨在满足下一代功率器件需求。
新世代产品发布通常预示未来需求增长，但短期内对现货价格影响有限。
Bourns推出MH3261-T系列高电流铁氧体磁珠，额定电流最高达11A，尺寸为3.2x1.6mm，专为高密度电源应用设计。该系列具备低直流电阻和宽阻抗范围，有助于在紧凑型系统中实现高效的电磁干扰抑制。对当前价格影响中性，但预示被动元件产能扩张。
英飞凌推出业界首款基于CoolSiC Gen2技术的750V碳化硅双向开关，目前已开始提供样品。该器件采用双裸片共漏极架构，主要面向车载充电器及AI数据中心高压电源等应用。
该产品尚处样品阶段，对当前SiC功率器件现货市场的供需与价格暂无直接影响。
英飞凌推出IGK048B041S和IGK120B041S两款CoolGaN BDS开关，PCB面积减82%。新器件针对便携式电源系统，具备更低导通电阻和漏电流。
推动英飞凌GaN产品线扩展及300mm晶圆制造产能落地。
东芝开始出货1200V SiC MOSFET TW007D120E样品，RDS(on)较现有产品降低58%。该器件专为AI数据中心和可再生能源设计，采用QDPAK封装以提升散热性能。
预计2026年量产，将提升数据中心电源转换效率。
Stackpole推出RVCU系列高电压芯片电阻，VCR降至25-50ppm。该产品专为精密分压器和测量应用设计，旨在提升稳定性。
（中性）：新产品发布，对现有市场供需及价格影响有限。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |