Toshiba推出3300V高压SiC MOSFET模块
Toshiba推出3300V高压SiC MOSFET模块,额定电流达800A。Vishay新增50-150A 650V超结MOSFET模块,工作温度范围宽达-55至+150℃。
新功率模块发布通常预示着产能扩充或技术迭代,短期对现货价格影响中性,但利好相关产业链。
- 相关厂商
- Toshiba、Vishay、Skyworks
- 料号
- Si829x3300V SiC MOSFET Module
- 影响评分
- 25 / 100,低影响
Toshiba推出3300V高压SiC MOSFET模块,额定电流达800A。Vishay新增50-150A 650V超结MOSFET模块,工作温度范围宽达-55至+150℃。
新功率模块发布通常预示着产能扩充或技术迭代,短期对现货价格影响中性,但利好相关产业链。
英飞凌扩充CoolSiC JFET常关型产品组合,新增封装选项。此举旨在满足AI数据中心及工业应用对高性能功率分配与保护系统的需求。
新产品发布通常不直接改变现货价格,但有助于满足特定高需求场景。
Bourns推出MH3261-T系列高电流铁氧体磁珠,额定电流最高达11A,尺寸为3.2x1.6mm,专为高密度电源应用设计。该系列具备低直流电阻和宽阻抗范围,有助于在紧凑型系统中实现高效的电磁干扰抑制。对当前价格影响中性,但预示被动元件产能扩张。
英飞凌推出业界首款基于CoolSiC Gen2技术的750V碳化硅双向开关,目前已开始提供样品。该器件采用双裸片共漏极架构,主要面向车载充电器及AI数据中心高压电源等应用。
该产品尚处样品阶段,对当前SiC功率器件现货市场的供需与价格暂无直接影响。
英飞凌加入Nvidia MGX生态系统,提供800 VDC至<10 V的电源管理解决方案。该合作利用GaN和SiC技术提升AI服务器功率密度与能效。
预计将提振GaN和SiC功率器件在AI基础设施中的需求。
英飞凌扩充XHP 2功率模块范围,新增2300V CoolSiC MOSFET变体。该产品支持高达1500V的直流链路电压,旨在满足可再生能源基础设施对更高系统电压的需求。
新产品发布通常预示产能扩充,短期内对现货价格影响中性,但长期利好高电压能源系统供应链。
罗姆推出两款新型通用运算放大器系列TLRx728和BD728x,输入失调电压分别为150µV和1.6mV,适用于汽车、工业和消费领域。此举属于常规产品线更新,旨在提供更广泛的封装和通道数选择,未提及产能、价格或供应变化。
/利多/关注: 中性,新品发布不构成对现有市场供需或价格的直接影响。
英飞凌CoolSiC功率MOSFET获丰田新款bZ4X车载充电器和DC/DC转换器采用。该设计中标巩固了英飞凌在汽车碳化硅市场的地位,反映了该技术路线在电动车中的持续渗透。
此为具体产品采用案例,确认了长期需求趋势,但对现货市场供需及短期价格无直接影响。
英飞凌为其750V第二代CoolSiC MOSFET技术新增Q-DPAK和D2PAK等封装选项,典型RDS(on)值最高达60mΩ。此举旨在满足汽车和工业电源应用对更高效率与功率密度的需求。
新品发布属于常规产品线更新,未对现有碳化硅MOSFET的供需或价格产生直接影响。
英飞凌推出1400V CoolSiC G2 MOSFET新品。该器件支持更高直流电压并提升热性能。
技术升级有望提升SiC功率器件需求。
英飞凌为其CoolSiC MOSFET产品线新增了400V和440V器件,提供TOLT、TOLL及TO-247等多种封装选项。此举旨在满足服务器电源和太阳能逆变器等应用对高效功率半导体的需求。
此次新品发布属于常规产品迭代,未对现有元件的供应、需求或价格产生直接影响。
英飞凌推出75mΩ工业级650V G2 CoolSiC MOSFET,扩展其产品组合以满足中等功率应用的高功率密度需求。此举旨在响应市场对更紧凑、高效电源系统的需求,属于常规产品线更新。
新品发布未改变现有元件供需或价格,对交易无直接影响。
英飞凌推出第二代1200V CoolSiC MOSFET,采用顶部散热Q-DPAK封装,针对电动汽车充电桩和太阳能逆变器。此举是其现有碳化硅产品组合的常规更新与扩展。
此次新品发布未改变现有元件的供应、需求或价格预期,属于标准的产品线迭代。
英飞凌推出新型CoolSiC JFET产品系列,扩展其碳化硅功率器件组合。此举旨在为下一代固态配电系统提供技术支持。
此为常规新品发布,未提及产能、价格或供应变化,对现有组件交易无直接影响。
英飞凌发布第二代750V CoolSiC MOSFET技术,典型RDS(on)值最高达60mΩ。该技术旨在提升汽车和工业电源应用的系统效率与功率密度。
/利多/关注: 中性,此为常规产品迭代,未直接影响现有SiC MOSFET的供应、需求或现货价格。
英飞凌推出2000V CoolSiC肖特基二极管G5系列,号称首款2000V击穿电压的独立SiC二极管。此举旨在满足工业应用向更高直流母线电压发展的趋势。
此为新产品发布,对现有元件的供应、需求及价格无直接即时影响。
英飞凌为其650V第二代CoolSiC MOSFET产品线新增Q-DPAK和TOLL两种封装。此举旨在满足工业应用对更紧凑、高效功率系统的需求。
新品发布属于常规产品线更新,未提及产能、短缺或价格变动,对现有元件交易无直接影响。
英飞凌1200V CoolSiC汽车MOSFET获佛瑞亚海拉选用,用于其800V DC-DC充电方案。这是英飞凌在高压汽车碳化硅市场取得的一个设计订单。
此为常规产品采用公告,对现货市场的供应、需求或价格无直接、可量化的即时影响。
英飞凌推出首款2000V耐压的CoolSiC肖特基二极管G5,电流范围10A至80A。该产品专为太阳能和电动汽车充电等高直流链路电压应用设计,旨在降低功率损耗。
新高压SiC器件上市,有望提升下游应用能效。
日本大亨公司选用英飞凌2000V CoolSiC模块,用于其电网储能功率调节器。此举旨在提升产品功率密度,是英飞凌高压碳化硅技术的一次设计导入。
此为特定产品应用案例,对碳化硅市场的整体供应、需求及现货价格暂无直接影响。
爆款新品里,到底装了谁的芯片?拆开,一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |