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英飞凌推出750V CoolSiC MOSFET G2新品
英飞凌发布第二代750V CoolSiC MOSFET技术，典型RDS(on)值最高达60mΩ。该技术旨在提升汽车和工业电源应用的系统效率与功率密度。利空/利多/关注: 中性，此为常规产品迭代，未直接影响现有SiC MOSFET的供应、需求或现货价格。
SiC MOSFET
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来源：Semiconductor Today · 2025/4/29 · 查看原始来源
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