三星展示业界首个400层以上V-NAND：高密度堆叠 功耗降低25%
三星在2026年GMIF创新峰会（深圳）上展示了业界首个400层以上V-NAND（V10 BV-NAND），相比V9位密度提升58%、I/O速度提升33%、功耗降低25%。快科技10月19日消息。
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三星在2026年GMIF创新峰会（深圳）上展示了业界首个400层以上V-NAND（V10 BV-NAND），相比V9位密度提升58%、I/O速度提升33%、功耗降低25%。快科技10月19日消息。
SK Hynix正在强化其量测与检测（MI）能力，因为向3D DRAM架构的过渡以及日益复杂的NAND堆叠给传统半导体检测技术带来了新的挑战。原文未说明原因以外的具体措施、时间表或对产能与价格的影响。
摩根士丹利发布报告《追踪AI 1.6万亿美元资金流向》，首次绘制2027年AI资本支出流向图：超大规模云服务商2027年支出达1.58万亿美元，在S&P 500从AI资本支出吸收的约1.03万亿美元收入中，67%（约6900亿-7000亿美元）流向英伟达一家，其余499家S&P成分股合计仅分得约3400亿（3390亿）美元，另有约5500亿美元流向指数之外的韩国存储、台湾ODM及私有企业；剔除英伟达后，AI资本支出对S&P 500销售额的贡献仅为1.6%。报告预计AI资本支出将直接驱动S&P 500约25%的销售增长，AI相关企业贡献2027年标普78%的盈利增长。风险方面：超大规模云服务商已披露逾1.1万亿美元尚未启动的租约承诺（截至2026年第二季度达1.118万亿美元，仅两个季度翻逾一倍，微软3290亿、甲骨文2880亿、Meta 2790亿美元），被定性为变相债务；计入租约后2027年资本支出由1.39万亿美元（现金口径）升至1.58万亿美元（同比增速约60%），2028年由1.57万亿美元升至1.81万亿美元，租约分别新增1950亿和2460亿美元；信用策略师预计2027年将是超大规模云服务商自由现金流缺口最大的一年；超大规模云服务商今年迄今已发行约2550亿美元无担保债券（约占2026年预估资本支出的30%），综合收益率年初以来上升100至180个基点。摩根士丹利预计AI资本支出增速将从2027年的约60%放缓至2028年的约14%；其电力模型显示美国本土2028年前面临32GW净缺口、2029年前扩大至约72GW。报告并警告，当前买家存在"担心错过采购"心理，一旦供给追上需求该逻辑将逆转，援引2022年NAND周期（出货量仅下滑约5%但价格跌幅达20%至30%）为例，认为市场低估了量价同时下行的风险。以上均为预测与风险提示，并非已实现结果。
美光正在为物理AI应用开发边缘推理内存（EIM），该内存通过将低功耗DRAM堆叠在逻辑芯片上以提高数据处理效率，预计将在2028年下半年实现量产。
Kulicke & Soffa 财政第三季度 2026 年净收入为 3.304 亿美元，同比增长 123%，毛利率 47.8%，非GAAP每股收益 1.20 美元，超出预期。公司预计财政 2026 年第四季度收入约为 3.75 亿美元，截至 2026 年 10 月 3 日，因半导体、存储、汽车和工业市场需求增强。
硬件爆料者KeplerL2近日在NeoGAF论坛称，索尼下一代PlayStation主机的RAM与NAND闪存成本合计已超过680美元；该数字仅来自论坛发言，没有公开成本拆分、供应商报价或计算方法，索尼也尚未公布PS6的硬件规格、售价或上市时间，属于未经证实的估算。此前流传的配置包括GDDR7统一内存、160位总线、30GB容量（传闻容量上限可能达40GB，较可能为30GB），数据传输速率可能达每引脚32Gb/s、对应理论带宽约640GB/s，均未获索尼确认。报道未给出NAND闪存容量，也未说明680美元中RAM与存储各自占比。TechPowerUp此前引用KeplerL2的另一估算称，PS6整机物料成本可能从今年3月的约760美元升至7月的约960美元，该整体成本同样没有公开明细；现阶段关于PS6最终售价超过1000美元的说法也只是市场推测。文中将成本压力归因于DRAM与NAND市场供应紧张，以及人工智能数据中心对内存和存储的需求挤压其他产品供应；若内存成本持续高企，索尼可能需要调整容量、硬件配置、补贴策略或上市节奏。
SK海力士的模拟结果显示，NAND可用于运行AI运算：其3D FeNAND将电荷捕获层替换为铁电层以实现模拟存内计算（A-CiM），模拟中吞吐量约为10–20倍，能效约为4,000–5,000倍。此结果为模拟数据，来源未说明任何生产或商用计划，也未说明相关日期。
据Counterpoint Technology Market Research，在AI驱动的NAND需求进入超级周期的背景下，长江存储(YMTC)预计将成为增长最快的存储供应商：其2026年营收预计增速比整个行业及其同行快六倍，因为公司正积极扩张服务器相关业务。该内容为市场研究机构的预测，并非已实现业绩；文中未说明具体原因以外的细节。标题显示YMTC押注高端eSSD以与三星竞争。
中国半导体与计算硬件企业在2026年前九个月报告或预测了强劲的盈利增长，其驱动因素为AI基础设施投资、对国产处理器和光互连的需求以及芯片市场复苏。但季度业绩出现分化，凸显出AI驱动的增长与传统存储器定价周期之间日益扩大的差距，其中DRAM和NAND的价格涨幅正在减弱。原文未说明DRAM、NAND价格涨幅减弱的具体原因，亦未披露具体公司或具体数字。
中信证券研报指出，近期全球存储芯片股价波动加剧，10月份以来表现显著弱于其他板块；除宏观因素扰动（原油价格波动上涨，通胀与利率预期重新抬头）外，产业界对长鑫科技4F²技术进展的关注度上升。研报称，市场担心中国本土晶圆厂在高毛利的服务器DDR5市场形成有效技术破局，动摇海外巨头通过垄断产能维持超高议价权的叙事逻辑。从产业进展看，目前DRAM技术仍以6F²单元结构为主，4F²技术落地需看三星电子和长鑫科技的进展；4F²技术目前仍处于早期验证阶段，后续需观察良率、产量、毛利率、下游客户认证情况等指标，对中短期存储产业影响相对较小。中信证券建议关注HDD、DRAM、NAND赛道中公司的投资机会。
中信证券发布研报，建议关注HDD、DRAM、NAND赛道中公司的投资机会。研报称近期全球存储芯片股价波动加剧，10月份以来表现显著弱于其他板块，并提及宏观相关因素（原文标题此处被截断，完整原因不明）。该内容为券商投资建议，属于背景信息；除标题所述外，正文未提供具体数据、个股或原因细节。
SK海力士参加了2026年10月12日至15日在加州圣何塞举行的OCP全球峰会，展示了下一代内存解决方案并提出以内存为中心的AI时代服务器系统方向。展会现场，SK海力士公开了第二代CMM-DDR5（256GB，基于CXL 3.2），称与上一代相比带宽提高一倍以上（80GB/s）、能效提升约30%；并演示了CXL池化内存在AI代理服务、KV缓存共享等场景的效果。原文说明的背景是：随着AI处理的数据量爆炸式增长，数据瓶颈成为新的挑战。SK海力士还展示了HBM4/HBM4E/HBM3、HBF、服务器DDR5 RDIMM（256GB/128GB/96GB/64GB）及eSSD产品组合。文中另提及去年9月SK海力士与NAVER Cloud签署业务协议，以及PS1110 E3.S与PS1101 E3.S目前处于按序开发中。
中国的杨江存储技术（YMTC）正在开发下一代 4F² DRAM 设计，目标数据传输速率为 9,600 MT/s，扩展 beyond NAND flash，并追求约 330 亿元人民币（约 49.3 亿美元）上海首次公开发行。
据ZDNet报道，SK hynix发布了超轻量级事务处理单元(H-TPU)架构，用于SSD数据面控制与事务处理，将存储控制任务分布在数十个紧凑的H-TPU集群上。据副总裁Koo In-jae（负责SoC设计）介绍，H-TPU取消超标量与乱序执行等复杂CPU特性，采用简化的四段流水线，使处理器面积降至传统CPU核心的约4%、功耗降至约2.5%，且仅激活所需模块。SK hynix还计划基于H-TPU引入硬件自动化(HWA)，将指令处理、数据地址查找、临时缓冲区复制等重复性存储控制任务交给专用硬件电路。SK hynix预期基于H-TPU的控制器架构可与面向AI工作负载的高带宽闪存(HBF)互补；AI推理高度读密集，读写比可达约30万比1，AI编译器与运行时可提前告知HBF SoC数据处理需求以预取数据。另据韩联社报道，三星已于2026年7月开始量产基于PCIe 6.0的企业级SSD PM1763，采用新开发的4nm控制器与第九代V-NAND，性能为前代的两倍以上、能效超过1.8倍。
存储芯片模组厂商江波龙周三发布业绩预告：预计2026年前三季度归母净利润达140亿至149亿元，同比增长1864.55%至1990.84%；营业收入380亿至400亿元，较上年同期167.34亿元近乎翻倍有余。第三季度单季扣非净利润区间为37.53亿至47.53亿元，同比增幅高达740.33%至964.26%；前三季度扣非净利润同比增幅约为2782%至2991%，第三季度单季增幅已回落至740%至964%区间。公司同时披露第三季度经营性现金流量净额已实现转正，期末资产负债率降至50%以下。公司在公告中示警，受前期较高价格基数影响，DRAM和NAND Flash价格涨幅较前期明显收窄，存储价格上涨对公司盈利的边际贡献显著趋缓，存储行业正在从消费类价格周期转向AI驱动技术周期。公司称盈利韧性来自客户与产品结构优化，UFS 4.1、mSSD、ePOP5x等高端新品已在多家大客户实现规模化商业应用，端侧AI技术合作拓展至AMD、高通、紫光展锐等企业。该预告数据为财务部门初步核算结果，尚未经审计机构审计，具体数据将于2026年三季度报告中正式披露。
2026年10月15日，SK hynix disaggregating SSD controller cores，开发H‑TPUs（Hynix‑Tensor Processing Units）以离载主控制器CPU的低级读写命令处理、元数据管理和缓冲区控制，计划在其下一代企业级SSD及Storage Next SSD控制器中部署H‑TPU。
埃隆·马斯克在X平台发文，批评存储厂商在常规DRAM与高带宽内存（HBM）均处于前所未有的短缺之际进行他所称的'敲诈性'定价，同时称赞美光在内存未来价格方面'合理'、是在为长期客户忠诚度做出'聪明的举动'。原文指出，马斯克未点名所批评的公司，也未提供具体定价细节或不同供应商的条款（这些条款通常保密），因此无法确定三星电子和SK海力士对可比产品的要价是否实质高于美光；其言论被认为指向这两家韩国存储厂商。文章补充称，美光自身盈利能力极高：2026财年第四季度营收542.3亿美元，GAAP毛利率81%，高于一年前的40%；云内存业务营收162.83亿美元，非GAAP毛利率83%；核心数据中心存储业务销售180.02亿美元，毛利率90%；汽车与嵌入式业务营收合计68.24亿美元，毛利率达84%；移动与客户端业务营收131.14亿美元，非GAAP毛利率90%。美光已签署26份战略客户协议，覆盖其到2030年预期营收的35%以上，合同包含320亿美元的客户财务承诺（大部分为现金预付款），且公司承认新协议反映了当前更高的内存价格、并非以折扣出售内存。另据报道，三星已锁定覆盖其2027年计划内存产出75%–80%的长期合同，SK海力士也在争取类似安排。市场内部人士与分析师预计内存供应短缺将持续到至少2028年。文章还称，存储厂商此次在没有相应扩大产能的情况下将内存价格提高了数倍，供给仍落后于需求。
SK hynix 披露其于 10 月 14 日在新闻室发布的研究，开发出使用铁电三维 NAND（3D FeNAND）的模拟计算内存（A-CiM）技术，能够在 NAND 闪存内直接执行人工智能计算。该技术通过调整编程脉冲数量区分电流状态，在非电路层通过引入气隙降低字线电阻，在页面层采用页面内流水线（IPP）优化数据放置和计算序列。仿真表明，基于 3D FeNAND 的 A-CiM 相比传统非易失性内存可实现最高 20 倍的吞吐量提升和 5,000 倍的能效提升。
根据标题所述，依据Counterpoint Research存储市场追踪与预测，2026年第二季度长江存储按NAND出货量排名升至全球第三。原文正文仅重复该标题核心信息，未提供其他细节（如具体份额数据、其他厂商排名或原因），原文未说明原因。
2026年第三季度全球智能手机出货量同比下降20%，为2012年以来最低的三季度水平。原文明确说明原因是持续的DRAM和NAND短缺推高了生产成本、限制了供应并削弱了需求。三星以23%的市场份额领先，苹果则创下22%的历史最高三季度份额，显示高端与价格敏感细分市场之间的差距进一步扩大。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |