三星展示业界首个400层以上V-NAND：高密度堆叠 功耗降低25%

三星在2026年GMIF创新峰会（深圳）上展示了业界首个400层以上V-NAND（V10 BV-NAND），相比V9位密度提升58%、I/O速度提升33%、功耗降低25%。快科技10月19日消息。

来源：快科技 · 2026/10/19 · 查看原始来源