NuAxi半导体贸易情报
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SK海力士模拟显示:3D FeNAND通过铁电层实现模拟存内计算,可运行AI运算,吞吐量约10–20倍、能效约4,000–5,000倍(模拟结果)
SK海力士的模拟结果显示,NAND可用于运行AI运算:其3D FeNAND将电荷捕获层替换为铁电层以实现模拟存内计算(A-CiM),模拟中吞吐量约为10–20倍,能效约为4,000–5,000倍。此结果为模拟数据,来源未说明任何生产或商用计划,也未说明相关日期。
NAND
NANDAI3D FeNANDA-CiMsimulation
来源:TrendForce Official (Market Data) · 2026/10/16 · 查看原始来源
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