据 TrendForce 转发的 RT NEWS 消息，亚马逊表示 AWS 大规模算力容量 2026 年已被全部订满，2027 年大部分已售罄，2028 年相当大的份额已被客户承诺预订。同时，CEO 安迪·贾西表示他并不预计内存和电力短缺会在 2027 年结束。原文未说明容量被订满及短缺持续的具体原因；该信息为产能/需求预订状况的陈述，不涉及已发生的价格变动或减产事实。
美光在本周的一次活动中宣布，其下一代3D NAND（G11）计划于2027年下半年进入量产，据称将带来三大优势：存储密度翻倍（约达G9的2倍，3D TLC从21 Gb/mm²提升至42 Gb/mm²）、I/O性能较公司现款NAND提升最高50%（接口速度从3,600 MT/s提升至5,400 MT/s）、每bit数据传输能耗降低超过25%。G11将采用晶圆级键合（wafer-on-wafer bonding）技术，将NAND阵列（新3D NAND节点）与外围电路及I/O（逻辑工艺）分别制造后键合在一起，并过渡到超过400层的NAND；美光未披露G11的具体有效字线层数与堆叠数。美光高管Scott DeBoer称G11是世界上最先进的NAND，将于明年下半年开始爬坡。美光还计划在2027年披露更多G11技术细节，并在G11之后开发高迁移率新材料、更致密的单元架构等以延续XYZ方向扩展；G11之后的世代的具体架构细节、密度目标或量产时间表尚未披露。以上为厂商公布的计划与预期，量产尚未实现。
SK海力士于2026年10月23日早间宣布,决定放弃其美国企业级SSD子公司Solidigm的潜在首次公开募股(IPO)计划,理由是股市环境不利及半导体股价走势不佳;同时确认计划在美国为Solidigm新建一座晶圆厂,以应对企业级SSD日益增长的需求。SK海力士称尽管IPO本可为美国新厂提供融资,但子公司扩张仍是优先事项;公司已终止对pre-IPO融资和IPO的评估,并将继续评估其他融资机制。原文说明,新厂产能、投资规模及建设时间表尚未披露。Solidigm专注于基于浮栅3D QLC NAND的大容量数据中心SSD,其现有产能仅勉强满足预计需求。
快科技10月23日消息，根据Trendforce最新DRAM市场报告预测，2027年面向PC市场的内存供应将出现收缩，消费端DRAM不仅更贵，也更难买到。报告指出2026年的内存涨价主要由需求端驱动，AI数据中心凭借资金大量采购闪存和DRAM，三星、美光和SK海力士的产品价高者得，虽然三大厂产能拉满，但价格仍在飙升。Trendforce分析指出，2027年可能供应端也恶化，2029年新一波晶圆厂建成投产前产能增幅有限；分析师明确预测PC市场DRAM供应量将下降。DDR市场内部竞争加剧，所有厂商的AI工作站产品线使用与消费级显卡相同的GDDR芯片，用量却是三倍，且随AI模型规模增长继续扩大；NVIDIA DGX/RTX Spark和AMD Strix Halo的内存容量相当于八台普通消费笔记本，消耗同样的LPDDR。Trendforce此前预测内存年底涨幅15%至20%，但高价对需求的抑制效应可能成为回旋镖，2026年延迟的购买需求将在2027或2028年集中释放，届时供应不足以承接。以上供应收缩与需求释放均为预测，尚未成为已实现事实。
据Counterpoint Research近期披露，中国闪存芯片制造商长江存储（YMTC）正将技术布局从NAND闪存扩展至DRAM领域，正在开发数据传输速率达9600 MT/s的LPDDR5X低功耗内存产品，并计划在武汉第三座晶圆厂推进量产。新方案计划采用垂直沟道晶体管（VCT）和4F²存储单元架构（传统DRAM通常为6F²布局），以缩小存储单元占用面积、提升集成密度。此前，长江存储自2025年10月起已在第二座晶圆厂开展第二代16Gb LPDDR5内存的研发和测试，目标速率为7500 MT/s，相关产线月产能约为5000片晶圆，该项目仍处于研发与测试阶段，未进入大规模商业生产。报道明确指出，现有资料描述的是研发目标和未来生产规划，并未证实9600 MT/s产品已完成验证或正式进入量产，且目前没有明确的量产时间表、产量数据或制造良率信息，产品还需通过终端厂商验证才能进入设备供应链。另据报告，长鑫存储（CXMT）也在探索4F²架构，并计划在2026年底前推出基于该架构的DDR5注册双列直插内存模块，同样面临技术验证和量产可行性不确定性；美光科技此前曾公开质疑4F²结构在进一步微缩中存在根本性问题。Counterpoint认为，长江存储9600 MT/s产品的研发进度、客户验证情况和第三座晶圆厂量产执行情况是后续重点观察指标。原文未说明原因方面的明确单一动因，仅提及AI数据中心扩张带动高带宽内存、服务器DRAM和固态硬盘需求增长的行业供需背景。
SEMI（国际半导体产业协会）当地时间10月21日发布年度硅晶圆出货量预测报告：预测2026年全球半导体硅晶圆出货将同比增长11.8%，达到144.2亿平方英寸（相当于1.275亿片12英寸晶圆），为历史次高。该预测属于前瞻性预测而非已实现数据。报告并预计2027~2029年全球硅晶圆出货有望超越2022年的前期高点、持续创下新高，到期末达到170.34亿平方英寸（相当于1.5061亿片12英寸晶圆）。关于原因，报告称全球半导体硅晶圆需求在今年经历了AI推动的全方位增长：先进逻辑工艺需求外延晶圆、先进存储工艺需求抛光晶圆，成熟制程产业利用率也出现了回升。
据Counterpoint Research，主打NAND Flash的长江存储(YMTC)自2025年10月起在其Fab 2以每月约5,000片晶圆的规模生产运行速度为7,500 MT/s的16 Gb LPDDR5X DRAM。该公司目前正筹备在其Fab 3开始量产速度达9,600 MT/s的LPDDR5X存储器，采用垂直沟道晶体管(VCT) 4F²单元结构技术。量产尚处于筹备阶段，属于计划中事项。
联讯仪器公告称，公司面向800G、1.6T高速光模块测试的采样示波器、误码分析仪、时钟恢复单元等核心测试仪器为公司2026年交付的主力产品，市场需求旺盛，生产扩充正按业务需求推进，相关生产建设按既定安排实施，整体进展符合预期。公司称系全球第二家推出1.6T光模块全部核心测试仪器的厂商，亦为国内极少数能够量产供货400G、800G、1.6T高速光模块核心测试仪器的企业之一。面向下一代速率，公司新一代采样示波器及配套时钟恢复单元可满足2.4T/3.2T眼图测试需求，支撑该性能的自研采样保持芯片已成功流片，按计划将于2026年下半年向行业头部用户送样验证。公司在功率器件测试、集成电路电性能测试、存储芯片测试领域的产品研发与客户拓展工作正常开展。原文未说明其他原因。
10月23日，据报道，三星电子计划利用印度政府新推出的手机制造计划，提高在印度生产的手机出口量；该计划将为新增出口提供更高补贴。三星正考虑扩大印度产能，包括追加投资。此外，如果全球手机市场因存储芯片成本高企而持续收缩，公司也可能将部分产能从越南等国家转移至印度。上述产能扩张与转移均为计划或考虑中的事项，尚未实施。
德国默克计划将二氧化钼二氯（MoO₂Cl₂）前驱体的应用从NAND闪存扩展至DRAM和逻辑半导体。默克电子薄膜材料业务高级副总裁Bing Han在10月21日于江南Sono Felice Samsung举行的记者会上表示，随着器件结构微缩，铜和钨的导电性问题将推动钼的更多采用。默克已在忠清北道阴城建成了钼前驱体生产设施，该设施将与其在安山的材料输送系统（CHEMKEEPER Vapor 200）整合，以交钥匙方案形式提供。该扩建使用2023年收购的M Chemicals现有工厂附近的土地，此前该场地生产铪基高介电常数前驱体；建设于2024年开始，设施在两年内具备运营条件。Han表示规划中的产能足以满足韩国客户的全部需求，但公司未披露具体产能或投资数字，并计划最终将支持范围扩展到亚洲各地客户。背景方面：三星电子已于2024年在其200层NAND中采用钼，SK海力士也在其300层NAND中用钼替换了部分字线材料；Lam Research、东京电子和应用材料是钼沉积设备供应商。Hein表示正与客户评估产能，以应对半导体材料消耗量未来五年内可能翻倍的情况。
英特尔表示，位于美国亚利桑那州钱德勒市奥科蒂洛园区的Fab 62已进入设备安装阶段，厂房建设和生产设备进场正同步进行，公司预计该厂在2028年底前开始运营；英特尔代工部门首席技术与运营官纳迦·钱德拉塞卡兰称这是公司在奥科蒂洛园区的第六座高产能制造厂。Fab 62的具体制程尚未公布，英特尔尚未确认任何方案，也未公布该厂产能和客户安排；作为参照，相邻的Fab 52已采用18A制程生产，18A采用RibbonFET全环绕栅极晶体管与PowerVia背面供电技术，英特尔称其已于2025年进入高产量生产。美国扩产计划还在其他地区推进：俄亥俄州新奥尔巴尼的Ohio One园区已为首座晶圆厂安装第一根大型结构桁架，加州圣克拉拉的新光罩制造设施已举行奠基。另据CNBC报道，英特尔正与SK海力士洽谈，可能将俄亥俄州未完工厂区的一部分出租用于在美国生产存储芯片，双方均未证实这项谈判，具体租赁范围和计划也尚未公布。
据韩国《每日经济新闻》10月22日援引业内消息人士报道，特斯拉与英伟达承诺向三星电机合计投入约3.7万亿韩元，支持其扩大高端倒装芯片球栅阵列（FC-BGA）封装基板产能，提前锁定下一代AI芯片所需的关键供应资源；原因是随着AI推理需求增长，高端封装基板成为AI供应链扩张的重要环节。相关投资将纳入三星电机今年9月披露的4.27万亿韩元世宗工厂投资计划，新产线预计2027年底完工，2028年上半年完成设备安装与试生产，下半年进入量产，面向特斯拉的首批出货预计2029年启动。三星电机已与特斯拉签署2029年至2033年为期五年的FC-BGA基板长期供应协议，特斯拉将出资约1.1万亿韩元获得世宗工厂专属生产线优先供货，基板用于特斯拉自动驾驶汽车AI芯片及人形机器人Optimus。英伟达同步支持其他供应商：与日本Ibiden签署产能预付协议，承诺投入数十亿美元将其小野工厂产能扩大至原来的三倍，新增产能预计2028年第一季度开始释放；据《每日经济新闻》估算英伟达对三星电机的投资承诺约2.6万亿韩元（官方声明未披露具体金额）；在中国台湾地区通过产能预留协议支持欣兴电子扩充KF基板产能，新增产量预计2027年第二季度开始释放、2028年年中满产；目标是在未来三年内将IC基板总产能提升至现有水平的2.5倍。据业内估算，Ibiden在高端FC-BGA基板市场份额超过70%。此外，三星电机10月19日宣布与一家未具名全球客户签订价值3605亿韩元的存储半导体封装基板供应合同，供货期覆盖2027年全年。上述均为计划或承诺，尚未实现产能落地。
快科技10月22日报道，AMD高级副总裁兼锐龙业务总经理David McAfee在接受采访时透露，锐龙7 5800X3D十周年纪念版的复产是苏姿丰亲自推动的艰难决定。复产的最大技术障碍来自台积电工艺断供：初代5800X3D采用台积电早期SoIC混合键合工艺将3D V-Cache缓存裸片堆叠在CPU计算裸片上，但台积电向第二代3D堆叠技术迁移后初代SoIC产线已关停，AMD必须将芯片适配到新工艺，重新设计封装部分结构、重新验证制造流程并通过大量测试。据McAfee说法，复活的直接原因是DDR5内存价格持续高企，大量玩家仍停留在AM4平台，而AM4主板保有量巨大、DDR4内存价格相对可控，5800X3D凭借100MB超大缓存至今仍是AM4平台最强的游戏处理器；在玩家强烈呼声中苏姿丰最终拍板推动复产计划。十周年纪念版在实际游戏性能上与四年前的原版完全一致。
TrendForce指出，美光计划于2027年开始量产其1-delta（1δ）nm工艺，该工艺将接替其当前主流的1-gamma（1γ）nm工艺。在此转型之外，美光打算继续扩展其6F²架构，然后直接转向3D DRAM，跳过中间的4F²架构；相比之下，韩国和中国的DRAM制造商仍计划采用4F²架构，凸显主要供应商在工艺技术路线图上的分歧日益扩大。美光还在开发针对AI解决方案优化的内存方案，包括vHBM和vEIM，以与SK海力士的3D HBM和三星的zHBM竞争。在NAND闪存方面，美光正准备于2027年下半年（2H27）爬坡量产其G11世代；通过采用晶圆键合并堆叠超过400层，G11预计可提供两倍于G9的位元密度，并目标实现1.5倍的I/O速度提升。TrendForce认为这些进展将使美光缩小与铠侠（Kioxia）和长江存储（YMTC）的技术差距——这两者是混合键合架构的早期采用者——并在NAND性能对AI驱动的市场日益关键的背景下增强其竞争地位。上述均为计划或预期，尚未量产实现。
Nvidia与三星电机（Samsung Electro-Mechanics）将在韩国共同投资设立专用的ABF载板（封装基板）生产线，根据一项多年期协议，三星电机将成为Nvidia AI处理器与网络交换机所用封装基板的供应商。新生产线将设在三星电机位于世宗（Sejong）和釜山（Busan）的工厂，交付预计于2026年开始。两家公司均未披露投资金额或成本分担方式。协议涵盖Nvidia计算芯片组以及数据中心内连接芯片的高速网络交换机所用基板。三星电机预计其向Nvidia的供货量将以两位数年率增长；到2028年，Nvidia预计将占其年度封装基板总产能的重要部分。三星电机称该合作将为Nvidia的AI芯片量产提供稳定基板供应并缓解AI基础设施市场的供应链瓶颈，对三星电机而言则是进入技术壁垒极高的高端AI基板市场。协议发布于三星电机与一家未具名全球客户签署价值3605亿韩元的存储半导体封装基板供货协议之后不久。该扩产为计划状态，尚未投产。
10月22日消息，美光（Micron）当地时间昨日举行2026年度技术网络研讨会，对DRAM、泛HBM、NAND与SSD进行展望，本篇关注闪存类别。美光预告了预计2027H2产能爬坡的G11 NAND闪存，且似乎跳过G10世代。G11 NAND堆叠超过400层，应用晶圆对晶圆键合技术，按面积计算的存储密度约为现有276层G9 NAND的2倍，同时能实现至高1.5倍的I/O速率，数据传输能耗可减少25%以上。美光还表示在G11后计划在NAND中导入突破性的高迁移率材料，实现超密集单元架构、强化节能属性；并介绍了2种AI-class数据中心级NAND设计，分别是基于SLC的GPU直连IOPS优化产品、类似HBF定义的带宽优化产品。上述均为美光的规划/预告，尚未实现量产。
据每经（Maeil Business Newspaper）援引业内消息报道，三星电机（Samsung Electro-Mechanics）预计将获得特斯拉与英伟达合计3.7万亿韩元的投资，以扩大先进芯片基板产能；该报道属于媒体报道，投资为据报道的承诺。该公司已与特斯拉签署长期倒装芯片球栅阵列（FC-BGA）基板供货协议，并在其世宗（Sejong）工厂扩建专用产线。基板预计用于特斯拉自动驾驶电动车和Optimus人形机器人的AI芯片，协议为期五年，自2029年至2033年。特斯拉将出资约1.1万亿韩元以换取基板供应保障；该资金是三星电机9月公布的4.27万亿韩元世宗投资计划的一部分。世宗工厂新FC-BGA基板生产设施建设预计于2027年底完工，2028年上半年进行设备安装和试运行，下半年量产，2029年开始向特斯拉交付。据TechNews报道，英伟达还通过与供应商的合作扩大全球基板产能，目标是在未来三年内将总IC基板产能提升至当前水平的2.5倍：在日本，英伟达已向Ibiden支付数十亿美元的产能预留预付款，Ibiden小野（Ono）工厂目标将产能提升至三倍，新增产出预计2028年第一季度开始爬坡；在韩国，三星电机正扩建世宗和釜山设施，到2028年英伟达预计占其年封装基板产能的显著份额，英伟达未披露投资金额，但每经报道称该承诺据信价值约2.6万亿韩元；英伟达还通过产能预留协议支持台湾欣兴（Unimicron）扩大KF基板产能，新增产出预计2027年第二季度开始，2028年年中达到满产能。此外，三星电机于10月19日披露一项3605亿韩元合同，在2027年全年向一家未披露的全球客户供应存储半导体封装基板，因商业保密未透露客户身份（据Chosun Biz）。此轮扩产背景是高端FC-BGA产能集中在少数供应商手中，包括三星电机、日本Ibiden和台湾欣兴；每经援引的行业估计称Ibiden市场份额超过70%，三星电机正努力缩小差距。
埃隆·马斯克于10月20日在X平台上SpaceX 2026年第三季度财报电话会议的直播中表示，ASML及其他关键半导体设备供应商已加快向Terafab半导体制造设施（特斯拉与SpaceX的联合巨型项目）发货，以支持其激进的时间表。他说公司目标是到2028年第三或第四季度在位于得克萨斯州Gibbons Creek的主要工厂实现芯片量产，并强调该时间表'高度理想化'且带有'很大误差'；SpaceX计划于2027年第二季度前后在得州奥斯汀的研发制造工厂生产首个实验性测试芯片。Terafab将采用基于英特尔14A制程节点的传统极紫外（EUV）光刻系统；英特尔于2026年4月正式加入Terafab项目以共同开发和重构硅制造技术。据非官方消息，Terafab首台EUV设备原定于2027年年中交付，目前尚不清楚这是否就是马斯克在广播中所指的加快交付的时间表。其他主要供应商包括美国设备制造商应用材料、泛林研究和科磊（KLA）以及日本的东京电子；特斯拉和SpaceX还在与约10家韩国设备制造商洽谈，包括以先进封装设备著称的Hanmi Semiconductor和高压氢退火设备制造商HPSP。马斯克还概述了其AI公司的算力目标：预计到2026年底有25-30亿瓦（GW）算力投入使用，到2027年底总计达到13 GW，并计划到2027年第二季度末使一个44万GPU的英伟达'Vera Rubin'训练集群上线。该事件属于计划/目标状态，尚未实现量产。
日本富士胶片正在扩大极紫外(EUV)光刻胶产能，以深化与三星电子的合作。公司在美国子公司总裁Brian O'Donnelly表示，富士胶片正在平泽生产EUV光刻胶，尽管尚未进入全面量产，但部分EUV光刻胶产品已通过主要客户的认证测试。富士胶片在静冈（日本，先进光刻胶开发与生产主基地）和平泽（韩国，邻近三星，用于最先进产品）两地扩建了EUV光刻胶生产设施，两地EUV光刻胶生产与检测设备于2025年10月开始运行。原文未明确说明平泽工厂何时进入全面量产。公司称人工智能（AI）正在推动2纳米及以下工艺材料需求，先进制程扩张增加了ArF和EUV光刻胶需求，此为扩张的原因。此外，富士胶片还在三星天安园区附近扩建CMP抛光液产能，计划增产约30%，新增设施定于2027年上半年开始运行，该公司在铜互连CMP抛光液领域持有全球最大市场份额。富士胶片还计划在美国得克萨斯州卡罗尔顿（邻近三星Taylor厂）等地布局，并考虑在韩国进一步扩充制造布局的多种方案。
据路透社援引知情人士的媒体爆料，三星电子和SK海力士正推进在华工厂的技术升级，目标是生产更先进制程的芯片，该消息为知情人士披露的升级计划。其中，三星正在推进其中国工厂的技术升级，以期实现286层NAND闪存芯片的生产，这一层数代表当前NAND存储技术的前沿水平，若落地将标志三星在华产能的显著技术跃升；SK海力士同样被指正在对其中国生产设施实施升级，升级方向与三星相近，旨在提升中国工厂的芯片技术规格。SK海力士在中国无锡拥有DRAM芯片工厂，并持有原英特尔大连NAND工厂的部分资产。同时，中国本土制造商长江存储也在技术层面取得新进展，路透社报道称其追赶步伐未因外部压力明显放缓，进展将进一步加剧全球NAND市场竞争。原文未说明两家公司升级计划的具体时间表。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |