Polar与imec合作8英寸GaN制造
Polar与imec的IC-Link合作，宣布为AI数据中心、汽车及国防等领域提供8英寸e-mode GaN器件制造服务。该合作旨在利用8英寸晶圆工艺提升功率器件产能，满足关键市场对高性能半导体的需求。
利空
产能扩张预期将增加GaN供应，可能对现货价格形成压制。
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Polar与imec的IC-Link合作，宣布为AI数据中心、汽车及国防等领域提供8英寸e-mode GaN器件制造服务。该合作旨在利用8英寸晶圆工艺提升功率器件产能，满足关键市场对高性能半导体的需求。
产能扩张预期将增加GaN供应，可能对现货价格形成压制。
Episil于10月7日举行法说会，表示碳化硅（SiC）产能利用率已从低点的30%快速回升至目前接近90%（原文未说明原因）。公司提出有条件的扩产计划：如果2027年6英寸订单需求持续上升，将通过8英寸生产增加产能。该计划为条件性规划，尚未实施。此前有观点质疑行业是否正进入新的晶圆尺寸转换、6英寸晶圆是否被淘汰。
ITEN推出1,500 μAh固态电池并达成年产3千万颗产能目标。该法国试点工厂投资1400万欧元，采用陶瓷电极技术。
/中性：产能扩张预示未来供应增加，对现有库存价格构成潜在下行压力。
DB HiTek完成8英寸1200V SiC MOSFET工艺可靠性认证。此举标志着其向8英寸SiC代工市场扩张的重要一步，并计划于2027年加速量产准备。
未来产能释放对SiC供应链格局的影响。
博世获得2.25亿美元美国芯片法案资金，将投入20亿美元改造加州Roseville工厂生产碳化硅。该工厂原为硅基ASIC代工厂，现转型为汽车及工业级SiC芯片生产测试基地。
政府资金支持下的产能扩张计划，可能缓解SiC供应紧张，需观察后续扩产进度。
罗姆半导体集结技术人员，计划2027年实现GaN内部制造以克服TSMC撤退逆风。此举旨在提升供应链自主性。
GaN供应前景。
ROHM半导体与Aixtron合作，在浜松工厂导入G10-GaN MOCVD系统量产8英寸GaN外延片。此举旨在建立自有的GaN外延产线，覆盖650V和100V功率器件平台。
ROHM GaN功率器件供应链稳定性提升及长期产能释放对市场的影响。
晶盛机电将8.61亿元剩余募集资金转投半导体装备精密零部件及碳化硅零部件产业化新项目。公司同时缩减12英寸大硅片设备测试实验线项目投资，将战略重心向上游核心零部件转移。
此举将增加国产半导体及碳化硅零部件长期产能供给，短期对现货市场无直接影响。
铠侠计划2026至2028财年平均每年资本支出达4700亿日元，较2025财年大增66%，并考虑建设第三座北上山工厂。尽管当前产能利用率仅约50%，但受AI推理NAND需求86%复合年增长率驱动，公司预计供需紧张将持续至2027年。
NAND Flash价格走势，供应链中短期内将维持紧缩状态。
格力电器宣布碳化硅功率器件已实现家电领域规模化量产。产品应用于空调、电源及光伏储能，并推进车规级芯片验证。
产能扩张增加供应，预计将加剧SiC市场竞争。
普渡大学与台湾 GeChi Compound Semiconductor 合作，将碳化硅衬底产能扩大至 8 英寸和 12 英寸。该合作旨在解决下一代高性能计算和 6G 基础设施中关键的散热、功率瓶颈。
（供应增加预期）。
TI投600亿美元建七厂，目标2030年自产95%芯片。此举旨在应对数据中心和工业市场需求的强劲增长，其中数据中心营收同比激增90%。
垂直整合策略将强化供应链控制力，且旺盛需求预示着相关IC产品前景乐观。
博世推出第三代SiC芯片并宣布扩产计划，总投资额达50亿美元。该公司利用先进工艺和200mm晶圆技术，旨在满足电动汽车市场快速增长的需求。
巨额产能扩张可能在未来导致SiC芯片市场供需失衡，价格承压。
IVWorks获6亿韩元Pre-IPO融资，推进8英寸GaN-on-SiC量产。公司通过技术轨道上市申请，并已锁定12英寸设备以应对未来需求。
产能扩张计划虽利好长期供应，但短期对现货价格影响中性。
三星8英寸GaN产线已就绪，目标2026年第二季度量产，并计划今年晚些时候推出SiC代工线。此举是三星扩大在下一代功率半导体领域布局的一部分。
GaN与SiC产能的远期扩张计划，为相关功率芯片的长期供应增加压力。
三星首条8英寸GaN产线预计2026年Q2量产，初始营收预计低于1万亿韩元。公司已投资约1000-2000亿韩元购置设备，并计划年内启动SiC产线。
新增产能属远期供给，且已延迟、初期规模有限，对当前交易价格无直接影响。
iSABers完成5亿元融资，TBSTest完成12亿元Pre-IPO融资。资金将用于高端封装设备与ATE研发扩产，加速国产化进程。
国内半导体设备厂商，长期供应能力提升。
三星电子计划最早于第二季度开始其氮化镓功率半导体代工产线的量产，并准备在今年晚些时候生产碳化硅样品。此举标志着三星正式进入高增长的宽禁带功率半导体代工市场。
氮化镓及未来碳化硅代工产能的增加，可能对相关功率半导体中期价格构成下行压力。
三星电子将于第二季度启动8英寸GaN功率半导体代工产线量产，并已获得客户。此举标志着三星正式进入GaN代工领域，DB HiTek与SK Keyfoundry亦计划跟进。
GaN晶圆及代工供应增加，迎合电动车充电桩与AI数据中心需求增长，但初期营收贡献有限。
天成半导体成功开发出30毫米厚14英寸碳化硅单晶，标志着行业向14英寸时代迈进。这是继12英寸之后的重大技术突破，通常意味着未来产能扩张和良率提升潜力。
未来SiC晶圆供应增加可能带来的价格下行压力。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |