NuAxi半导体贸易情报
中影响影响力评分：60/100
GCCS与普渡扩产SiC衬底至8-12英寸
普渡大学与台湾 GeChi Compound Semiconductor 合作，将碳化硅衬底产能扩大至 8 英寸和 12 英寸。该合作旨在解决下一代高性能计算和 6G 基础设施中关键的散热、功率瓶颈。利空（供应增加预期）。
SiC Substrates
capacity_expansionSiC8-inch12-inch
来源：Semiconductor Today · 2026/5/28 · 查看原始来源
查看 NuAxi 完整情报 →
实时定价、供应信号与 AI 分析，为半导体贸易商而生