三星电子2024年资本支出与研发投资将超110万亿韩元，同比增22%，资金重点投向其半导体解决方案部门。此举旨在加速平泽P4/P5及美国泰勒工厂建设，以争夺AI内存与2nm代工市场主导权。利空: 大规模产能扩张预示长期供应增加，但对AI芯片的集中投资可能加剧先进制程结构性紧张。

三星电子将于第二季度启动8英寸GaN功率半导体代工产线量产，并已获得客户。此举标志着三星正式进入GaN代工领域，DB HiTek与SK Keyfoundry亦计划跟进。利多：GaN晶圆及代工供应增加，迎合电动车充电桩与AI数据中心需求增长，但初期营收贡献有限。

Lynas在马来西亚工厂首次生产出氧化钐，将其分离重稀土氧化物产品组合扩展至三种。此举巩固了其作为中国以外唯一商业化分离重稀土氧化物生产商的地位。利多：此举为高性能磁体供应链提供了替代来源，但新增产能有限，对短期价格影响中性，需关注后续产能爬坡进度。

三星聚焦1c DRAM与自研4nm逻辑晶圆，SK海力士拟转投台积电3nm制程。紧随HBM4交付英伟达之后，存储巨头加速布局下一代逻辑与DRAM产能。关注产能规划变动，短期现货价格影响有限。

特斯拉启动Terafab项目并招聘技术项目经理（TPM）。该职位要求10年以上项目管理经验及5年以上半导体制造经验，表明项目已进入规划阶段但距离建设尚远。利空：产能扩张计划可能增加未来芯片供应，对代工厂需求构成潜在压力。

ADI在泰国东部经济走廊开设新制造设施，增加晶圆级处理、芯片级封装及最终测试产能。此举旨在增强供应链韧性并实现制造网络多元化。利空，产能扩张通常对现货价格构成下行压力。

有研硅拟投资4亿元设立包头全资子公司，建设大尺寸半导体硅单晶基地，计划于2027年12月建成，形成年产1000吨以上集成电路及刻蚀设备用单晶硅产能。该项目资金来源于1.95亿元超募资金及2.05亿元自有资金。利空：此为上游硅材料的中长期产能扩张计划，预计将增加未来市场供应，对硅材料价格构成潜在下行压力。

美光正积极增加资本支出，但洁净室建设瓶颈限制了新存储器产能的扩张速度。AI需求持续超越产能的实际建设能力，行业正接近结构性供应极限。利多：供应增长受限叠加强劲需求，为存储器价格提供支撑。

Nexperia中国单元开始生产12英寸晶圆功率半导体，此举标志着与荷兰总部决裂，引发全球供应链重组。关注后续产能分配与供应稳定性。

Nexchip、Silan与华虹加速投资28nm级及模拟芯片产能。此举源于地缘压力与供应链碎片化，战略重心转向成熟与特色工艺。利空：成熟节点供应增加，可能对全球同业价格与利润率构成压力。

天成半导体成功研制出30mm有效厚度的14英寸碳化硅单晶，标志着中国大尺寸SiC材料从12英寸导入期迈向商业化第一步，全球大尺寸晶圆竞争加剧。关注：大尺寸晶圆量产将显著提升单晶产出并降低成本，长期可能改变SiC供应链格局。

英特尔马来西亚先进封装工厂完工99%，计划今年投产，总投资约70亿美元。该工厂将支持EMIB和Foveros技术，旨在满足Chiplet设计和更大封装尺寸需求。中性：此为长期产能扩张，对当前组件价格和供应无直接影响。

迈为股份签约钙钛矿叠层电池装备及半导体装备研发制造两个新项目，总投资50亿元。此为该公司未来10年战略规划的关键布局。中性：长期产能扩张计划对当前电子元器件供需及价格无直接影响。

胜宏科技计划2026年固定资产投资不超过180亿元，主要用于新厂房建设及设备购置。公司深度参与核心客户正交背板项目，攻克PCIe 6及800G/1.6T高速传输技术，且在手订单饱满。利多：订单能见度高及产能扩张计划显示需求强劲，但大规模资本开支可能对短期利润率构成压力。

GlobalFoundries在德累斯顿破土动工，投资11亿欧元扩建工厂，年产能将增加11万片晶圆。该项目旨在满足汽车、工业及连接应用需求，并强化欧洲供应链韧性。扩产计划通常预示供应增加，对当前价格构成利空。

Ventec计划于2026年Q2在泰国投产新工厂，预计到2028年将实现每月300万平方米预浸料和8万平方米粘结片产能。此举旨在响应“中国+1”供应链策略，并在同行聚焦AI/IC基板市场时，巩固其在高端可靠性PCB材料领域的供应地位。利空：此为针对特定细分市场的长期产能扩张计划，增加供给，但对短期价格无直接影响。

索尼长崎核心CMOS工厂良率问题长期化，影响其占智能手机传感器销量80%的产能，苹果供应链面临潜在风险。苹果正推动供应链多元化，与三星合作开发新技术。关注：索尼供应风险为短期利空，苹果引入三星作为第二供应商将长期利空索尼市场份额。