10月19日，A股存储器板块走势分化：国产DRAM（内存）龙头长鑫科技股价收跌7.77%，创下其上市以来单日第二大跌幅；而大普微、德明利、佰维存储等行业细分龙头股价回升，扭转此前普遍跌势。同日，多家行业上市公司发布回购计划。业内人士表示，当前资金对存储龙头溢价提出更苛刻的要求，板块定价逻辑从价格普涨预期转向业绩验证。（来源：证券时报）
近日披露的A股相关产业链上市公司三季报、业绩预告及快报显示，算力需求正加快转化为上市公司的经营增量和盈利弹性：服务器、计算与存储芯片销售增长，高端覆铜板、印制电路板等环节盈利改善，需求进一步向光通信及生产测试设备等多环节传导。中国人民大学重阳金融研究院研究员刘英表示，算力需求通过扩大服务器、芯片、光通信等产品采购，带动相关制造业生产增长，并进一步拉动研发、扩产及设备投入；工业投资向算力、半导体和高端装备等领域集聚。
据上海证券报报道，从目前已披露的三季报或前三季度业绩预告来看，半导体板块前三季度业绩大面积预增，显示高景气度持续。其中存储芯片公司显示出惊人的盈利能力，PCB则成为业绩最具确定性的板块。有市场人士表示，展望2027年，在AI需求推动下，全球半导体产业高景气度将延续。报道还称，随着本轮市场调整带动估值回落，科技板块拥挤度有所消化，这些景气度依然坚挺的板块以及盈利能力迎来修复的公司，有望重新获得市场和资金青睐。该报道为业绩预告汇总与市场观点，未涉及具体价格变动或产能事件，原文未说明原因之外的具体驱动细节。
据IT之家 10 月 20 日消息，游戏资讯账号 Nintendeal 分享了一封定向邮件，微软联合百思买面向持有闲置 Xbox Series X|S 主机的用户推出回收（以旧换新）活动，百思买为回收主机提供最高 375 美元（现汇率约合 2,510 元人民币）的礼品卡；一般来说，存储空间更大、搭载光驱的型号可拿到最高折价。该回收价远低于美国市场光驱版 Xbox Series X 800 美元（现汇率约合 5,354 元人民币）及以上的售价，与 GameStop 等竞争对手的报价处在同一水平；全球范围内主机售价往往更高，微软一直难以稳定生产这款主机。活动推出之际，不少市场正面临主机涨价与供货短缺问题，但该回收价本身并非官方售价调整。网友正在热议活动背后的策略，微软或许已与百思买谈妥合作方案，并可能希望借此充实门店二手 Xbox 主机库存。微软曾在 6 月宣布新一轮涨价时表示，正与零售合作伙伴推出以更低价格提供二手主机的新项目；CEO 阿莎·夏尔马透露微软将推出新一代系列设备，可能采用成本更低的原厂代工硬件并削减硬件规格，具体实现方式尚不明确。
2026年OCP全球峰会于10月12日至15日在加利福尼亚州圣何塞举行，峰会凸显行业焦点从开放服务器硬件转向开放AI基础设施；机架级标准化目前正扩展到AI工厂的系统级协同设计。原文未说明原因。
快科技10月19日消息，华为畅享100系列正在路上，预计推出畅享100、畅享100 Pro和畅享100 Pro Max三款机型，新机将全系搭载麒麟芯片，支持5A、Wi-Fi 7和星闪技术。据数码博主“看山叔”透露的规格：畅享100 Pro Max配备6.84英寸OLED屏幕，最高亮度8000尼特，512GB版本搭载麒麟8020芯片，128GB和256GB版本采用麒麟8020A芯片，配备5000万像素RYYB主摄、800万像素前置摄像头、8800mAh电池，支持40W有线快充；畅享100 Pro搭载麒麟8020A芯片，采用6.7英寸OLED屏幕，后置5000万像素RYYB摄像头，前置升级至3200万像素，内置6100mAh电池，支持40W快充；标准版畅享100采用麒麟8000S芯片，6.56英寸LCD屏幕，后置1300万像素、前置800万像素摄像头，电池容量同为6100mAh，支持40W快充。华为尚未公布具体发布时间及售价，相关配置仍有待官方确认，原文未说明原因。
2026年10月19日，半导体行业协会（SIA）赞扬GlobalFoundries在美国-日本战略投资initiative下的扩张计划。SIA宣布，GlobalFoundries被选中在纽约州马尔塔运营两座新半导体制造工厂，这是首批在美国-日本战略投资initiative下的半导体项目，美国和日本将共同拥有这些工厂。初始投资100亿美元将用于建设一座新晶圆厂，投产后每年可增加约90万片300mm晶圆的美国制造产能。另一项约100亿美元的投资将用于建设产能相似的第二座晶圆厂。两座工厂将完全由日本通过美国-日本战略投资initiative资助。GlobalFoundries计划在当年晚些时候动工建设第一座工厂。
General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
据西门子于2026年10月14日宣布，其与英伟达推进合作，将英伟达cuLitho库与西门子Calibre制造软件集成，旨在使复杂的光掩模优化在全芯片规模上切实可行。据西门子称，该集成可使全芯片光学校近校正（OPC）工作负载速度提升至多12倍；西门子另引用针对选定工作负载至少10倍至17倍的仿真加速。这些测量针对特定计算任务，并不等同于整个芯片制造流程的等效加速，也不保证对每个客户配置都有相同改进。开发动因是工程师设计的图形不会自动精确印到硅片上：在极小尺寸下，衍射等物理效应会扭曲投影图像，而计算光刻可预测这些效应并调整光掩模几何形状。西门子将转向高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）视为一大挑战。西门子还表示，加速可将漫长的周转时间从数周缩短至数天，并可能降低能耗和计算基础设施占用；其意义取决于在扩大有用优化规模的同时保持精度。
消息称三星 Galaxy S27 系列手机可能回归 1 月至 2 月的发布节奏（消息时间为 10 月 19 日），Pro/Ultra 机型有望升级至 LPDDR6 内存和 UFS 5 闪存；但由于内存市场行情升温超出三星预期，三星正在重新评估是否暂缓 Pro/Ultra 的内存与闪存升级。UFS 5 理论性能较 UFS 4.1 提升一倍，读取最高 10.8GB/s，写入最高 9.8GB/s，能效提升约 40%；LPDDR6 数据传输速率每引脚 10.6‑14.4Gbps，高于 LPDDR5X 的 8.5Gbps。
台积电在10月15日的投资者说明会上宣布，计划在台湾台南新建一座3nm晶圆厂，生产预计于2028年上半年开始。台积电董事长兼CEO魏哲家表示，公司预计未来数年对3nm芯片的需求强劲。该新厂加入已在南部科学园区建设中的另一座3nm厂，后者预计2027年上半年开始量产。海外方面，魏哲家称亚利桑那3nm厂进度超前，设备正在安装，生产定于2027年第三季度开始；日本熊本第二座晶圆厂也将采用3nm工艺，预计2028年开始量产。为支撑3nm需求，台积电正将部分5nm产能转为3nm，并据《自由时报》报道在7nm、5nm和3nm工艺间优化产能。据台南市政府新闻稿，台积电自进驻南部科学园区以来已在该市建成20座晶圆厂及封装测试设施，在台南投资超过1.86万亿新台币（约570亿美元），创造超过11,300个直接就业机会；台积电还已在安定区市有土地上开建一座2nm厂，这是该公司首次在地方政府所有的土地上建厂。台积电与市政府均未披露新3nm厂的投资规模或产能。
据公开报道，闻泰科技旗下安世中国通过与中国战略合作伙伴达成合作，已实现MOSFET、逻辑IC等产品在12英寸晶圆平台升级；在晶体管与保护器件方面，部分产品已成功实现12英寸晶圆工艺平台的研发和量产，为全球首家掌握该项核心技术与生产能力的企业，12英寸单片有效芯片产出较8英寸提升约2.2至2.4倍，车规器件交付周期由12至16周压缩至4至6周。文章并援引中国汽车工业协会数据称，传统燃油车单车所需芯片约600至700颗，电动车约1600颗，智能汽车提升至3000颗左右，新能源汽车功率半导体单车价值量约为传统燃油车的2至3倍；在功率半导体行业整体供需偏紧、价格上行的背景下，本土晶圆直供与东莞封测构成的供应链闭环使MOSFET、逻辑IC等产品的本土交付确定性显著增强。原文未说明原因。
海光信息于10月19日发布2026年第三季度（2026年7月至2026年9月）报告：营业总收入58.56亿元，同比增长45.46%；归母净利润10.48亿元，同比增长37.9%；扣非净利润9.53亿元，同比增长31.12%；基本及稀释每股收益均为0.45元，同比增长36.36%；加权平均净资产收益率4.05%。年初至报告期末累计营业收入14954710229.13，同比增长57.58；累计归母净利润2846508812.66，同比增长45.12。第三季度研发投入18.2亿元，同比增长48.68%，占营业收入比例31.08%，同比提升0.68个百分点。年初至报告期末经营活动现金流净额为-2442780168.86，同比减少208.35%，原文说明主要原因为公司匹配市场销售规划加大备货规模、原材料采购支出同比显著增多。原文将业绩增长归因于人工智能产业快速发展、国产替代进程由政策驱动全面转向市场驱动带动国内高端芯片需求持续攀升，以及公司持续加大研发投入。海光信息主营应用于服务器、工作站等设备的高端处理器，产品包括海光通用处理器（CPU）和海光协处理器（DCU）。
TrendForce集邦咨询表示，2026年第四季DRAM原厂持续将先进制程投入生产Server（服务器）应用的高性能产品，整体维持供不应求格局，但合约价涨势放缓，预计Conventional DRAM（一般型DRAM）合约价将季增10%-15%；NAND Flash整体合约价格预计季增15%-20%。群智咨询指出，第三季度进入DRAM厂商与终端厂商博弈时期，AI算力端需求虽有支撑，但消费终端采购需求受到抑制，市场博弈加剧，整体价格涨幅将大幅收敛。10月16日，长鑫科技发布2026年前三季度业绩预告：预计收入2650亿元至2700亿元，同比增加2329.16亿元至2379.16亿元；归母净利润1310亿元至1325亿元，同比增加1362.8亿元至1377.8亿元。2026年上半年收入1503.1亿元（同比增长873.64%）、净利润776.05亿元，由此计算第三季度收入约1146.9亿至1196.9亿元（环比增长约15.25%至20.3%）、净利润约533.95亿至548.95亿元（环比增长约1%至3.9%），相比2026年第一季度、第二季度净利润环比增速246.09%、113.4%明显放缓；江波龙也预告DRAM和NAND Flash价格涨幅受前期较高价格基数影响明显收窄。同日，长鑫科技公告称，董事长朱一明提议公司使用自有或自筹资金以集中竞价交易方式回购公司A股股份，回购总额不低于10亿元、不超过20亿元。产能方面，长鑫科技在合肥运营两座12英寸DRAM晶圆厂、在北京运营一座12英寸晶圆厂，单座工厂月晶圆产能可达10万片，并持续建设合肥肥西测试基地新产线、新建上海DRAM及HBM产线；北京晶圆厂运营主体长鑫集电（北京）存储技术有限公司近日注册资本由约508.5亿增至约601.8亿，增幅约18%。2026年7月长鑫科技上市，募资净额663.1亿元投向技改升级项目（非新建产能）；2026年上半年固定资产账面价值1815.63亿元，占期末资产总额38.79%，计提折旧145.10亿元，同比增加27.85%。文章分析称，若DRAM价格涨幅继续放缓，公司产能扩充收益率和业绩增速可能承压。
佰维存储公告，公司股份回购计划已实施完毕，累计回购股份122万股，占总股本0.26%，回购均价为204.87元/股，支付资金总额约2.5亿元。本次回购的股份将全部用于注销并减少注册资本，公司将于10月20日办理注销手续。原文未说明回购的原因。
谷歌的 TPU v9 涉及 MediaTek，可能面临延迟，出货可能滑至 1Q28；同时，ByteDance 可能从 MediaTek 采购数据中心芯片。源文未说明原因。
Sandisk于10月19日宣布，将成为Meta虚拟现实(VR)眼镜闪存的独家供应商，该VR眼镜计划于2027年春季推出。产品包括microSD Express存储卡和USB-C闪存盘。Sandisk近期与Meta建立合作伙伴关系，共同设计面向VR应用的闪存产品，相关产品已通过初步测试以满足Meta的质量标准。Sandisk将在Meta VR眼镜推出后开始销售相关存储产品。Sandisk消费产品副总裁Sujin Park表示，高性能microSD Express存储卡与Meta VR眼镜兼容，用户可即时扩展可用存储。原文未说明该合作对价格或供应的影响。
FADU宣布于10月19日实现第三季度收入1436亿韩元、营业利润363亿韩元，较上季度增长96%和124%；收入同比增长460%，营业利润转正。截至10月，公司基于监管披露获得约4563亿韩元新订单，是其2025年全年收入924亿韩元的四倍多，增长源于全球科技巨头和主要云服务提供商对用于AI基础设施的内存需求上升。FADU已完成下一代PCI Express Gen6固态硬盘（SSD）控制器的开发，计划年底开始全规模销售，同时开发面向2028年向客户交付样品的Gen7控制器。在2026年10月15日的开放计算项目（OCP）全球峰会上，FADU发布了文件语义SSD（FS-SSD）技术，使SSD能够理解数据结构的意义和上下文。公司还在扩展产品组合，超越功率管理集成电路（PMICs）和防掉电保护IC（PLP ICs），将半导体设计能力延伸至AI数据中心的数据信号恢复和高速信号解决方案。
显示贴合设备制造商Shindo Eng Lab于当地时间10月15日在旧金山SEMICON West 2026上公布了一种芯片封装架构，将图形处理器（GPU）与高带宽存储器（HBM）垂直堆叠，中间夹一层约200微米厚的玻璃陶瓷中介层。该架构中GPU位于中介层上方、HBM位于下方，两者通过中介层中的垂直导电通孔连接；液冷模块分别置于GPU上方和HBM下方以相反方向散热；电力由底部印刷电路板（PCB）经金属柱输送至中介层并分配给两颗芯片。原文指出，当前AI半导体封装采用将GPU与HBM并排放置在硅中介层上的2.5D架构，垂直堆叠会缩短芯片间距离，但带来热量集中和热胀冷缩导致翘曲等挑战；Shindo声称其可调整热膨胀特性的玻璃陶瓷中介层结合两侧冷却可缓解这些问题。形成垂直导电通孔的技术为透过玻璃陶瓷通孔（TGCV），公司于9月发布，该工艺在玻璃陶瓷基板上用光刻同时形成孔洞图案并以铜填充；Shindo最初将TGCV作为倒装芯片球栅阵列（FC-BGA）基板中有机核心的潜在替代品提出。Shindo主要为显示面板与盖板玻璃贴合提供层压和真空贴合设备，此前无半导体基板业务经验。该公司已为该架构提交专利申请，并正与约10家公司进行技术讨论，已向其中部分公司提供样品；尚未披露其打算直接制造并销售中介层还是供应设备。Shindo一位官员表示，最终目标是实现以TGCV为基础技术、垂直集成GPU与HBM的3D架构，并计划将该结构提交给委外封测（OSAT）公司讨论潜在应用。该架构尚属提案阶段，未见量产或商业化实现。
10月19日A股半导体方向领跌：中证半导（相关ETF：561980）以4.54%的跌幅居首，科创50（相关ETF：588450）跌2.17%，科创创业50（相关ETF：588300）跌1.79%，创业板人工智能（相关ETF：159243）跌0.42%；当日半导体指数跌1.39%，板块内39家上涨、148家下跌，存储与设备链调整最为明显。海外情绪是主要源头：上周五费城半导体指数收跌3.83%、连续第8个交易日下跌，创2008年金融危机以来最长连跌，8个交易日板块市值蒸发近2万亿美元，AI算力服务商CoreWeave信用风险发酵，市场对AI资本开支回报的担忧传导至亚太，SK海力士、三星电子'存储双雄'大跌，韩国KOSPI早盘一度跌超3%。国内方面，长鑫科技三季报预告前三季度归母净利润1310亿至1325亿元、同比扭亏为盈，但三季度单季环比增速降至1%至3.9%，较一二季度的246%、113%明显放缓，市场按环比重新定价，该股早盘一度跌近9%，拖累科创50盘中跌超2%。
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