Applied Materials推出EPIC中心以促进协同创新
2026年10月12日，应用材料公司总裁兼首席执行官Gary Dickerson在加利福尼亚州桑尼维尔的EPIC中心揭幕仪式上发表主题演讲，旨在通过早期合作伙伴参与和共同创新，推动半导体技术栈的创新。该中心旨在将应用材料与行业合作伙伴聚集在一起，共同开发下一代材料、工艺和设备。
- Related manufacturers
- Applied Materials
- Impact score
- 0 / 100, low impact
2026年10月12日，应用材料公司总裁兼首席执行官Gary Dickerson在加利福尼亚州桑尼维尔的EPIC中心揭幕仪式上发表主题演讲，旨在通过早期合作伙伴参与和共同创新，推动半导体技术栈的创新。该中心旨在将应用材料与行业合作伙伴聚集在一起，共同开发下一代材料、工艺和设备。
意法半导体（STMicroelectronics）扩展其MasterGaN集成晶体管/驱动器产品系列，新增MasterGaN7器件，内置650V增强型GaN晶体管，最大电流额定值为6A。新系列面向电源适配器、充电器、工业照明设备和太阳能微型逆变器等应用，帮助设计人员提升效率和功率密度。MasterGaN7以半桥配置连接两个650V GaN晶体管，并搭配高压高频栅极驱动器，采用与其他MasterGaN器件共享引脚和封装尺寸的QFN封装；其引入低压差（LDO）稳压器以稳定栅极驱动电压，并具备带超快速唤醒的引脚驱动关断模式以降低无负载功耗。新器件传播延迟为45ns，最短导通时间短，开关频率最高可达2MHz，仅需少量外部磁性和无源元件即可完成电路设计，有助于缩小电路面积、降低BOM成本并最大化功率密度，还集成自举二极管为高侧驱动器供电。所有MasterGaN器件支持有源钳位反激、不对称半桥、反向降压、谐振LLC、功率因数校正（PFC）变换器和DC-AC逆变器等多种拓扑，并集成防交叉导通互锁、欠压锁定（UVLO）和热关断等保护功能。原文未说明价格或供货时间。
美光于2026年10月22日宣布放弃未来的4F² DRAM架构，结束约二十年的研究。公司称该架构没有有意义的密度优势、会增加制造复杂性和成本，并存在根本性的扩展限制；美光CTO Scott DeBoer表示电容器间距而非晶体管标称面积决定DRAM位密度，并称4F²在超过某一点后没有可持续的扩展路径，最终将由3D DRAM取代。美光承认4F²技术上可行且已制造过基于该架构的实验性器件。4F²理论上较6F²减少约33%单元面积、可将每片晶圆的存储单元数量提高50%，但美光认为这些理论优势在实践中不一定转化为更高密度。美光计划继续扩展传统6F² DRAM，通过缩小电容器间距和工艺节点提升位密度，其1δ工艺计划于2027年下半年进入量产，位密度较前代提升mid-20%（20%中段），并计划在未来DRAM世代采用High-NA EUV光刻；公司同时在开发多代3D DRAM生产节点，但未披露何时进入商业生产。据TechInsights，三星和SK海力士仍在路线图中保留4F²存储单元。
Allegro MicroSystems宣布扩展其机器人产品组合，推出面向人形机器人的48V电源管理与精密位置传感解决方案，涵盖系统尺寸、重量、热管理、扭矩密度与功能安全等目标，并与Sarcomere Dynamics开展合作以支持更接近人类灵巧度的机器人开发。新推出的A81481电源管理IC将电源调节与安全监控集成在6 × 6毫米封装中，内置两个降压稳压器、五个低压差(LDO)输出及三看门狗架构的安全诊断，其ASIL-D级安全特性支持安全关键设计；据Allegro称，A81481可将整体系统占用面积和物料清单成本降低约50%。A17802和A17803电感式位置传感器为肩、髋、膝等机器人关节中高扭矩执行器提供转子位置反馈，其中A17803还提供超紧凑QFN封装。针对机器人手部与手指应用，Allegro提供CT310 XtremeSense TMR角度传感器（2 × 2毫米DFN封装、亚度级角度精度）和A33023霍尔效应角度传感器。Allegro的Robotics Building Blocks计划为上述五款器件提供样品与评估支持，并将在electronica 2026展会Hall C6、129号展位展示其机器人电源与传感解决方案。原文未说明原因（本条为产品发布，无价格或供需变动信息）。
QYResearch发布中国镓市场研究报告（2026-2032），统计镓年复合增长率为4.3%（2026-2032），历史数据覆盖2021至2025年，预测数据延伸至2032年。报告称全球砷化镓主要厂商包括Chinalco、Zhuhai Fangyuan、Jinjiang Group、Beijin Jiya、East Hope等，全球前五大厂商约占55%市场份额；日本为全球最大市场，约占35%份额，其次是中国和北美，二者合计接近50%。镓为伴生金属，主要从氧化铝生产流程和锌冶炼残渣中以副产形式回收，分为原镓和二次镓两类，高纯镓提纯构成技术门槛，下游应用包括半导体（砷化镓、氮化镓用于射频、功率和光电器件）、太阳能（铜铟镓硒薄膜电池）、磁性材料、石油工业催化剂、医疗器械等。报告并指出镓已被纳入出口管制等政策框架，2025年美国关税政策带来不确定性，可能影响镓及相关制品的进出口成本与供应链布局。该内容为市场研究背景信息，未报告价格变动、产能事件或具体交易数据。
英飞凌于10月21日表示，公司正在扩大与Nvidia在面向AI数据中心800伏直流供电架构方面的合作，重点聚焦中间总线转换器（IBC）中使用的氮化镓（GaN）芯片。该合作仍属计划/推进中的合作事项，原文未披露具体时间表、出货安排或原因。
Semiconductor Engineering发布的一篇背景性文章指出，芯片微缩正超越晶体管层面。文章提到在SEMICON West 2026上，先进封装、光子学、测试与AI日益交织，未来的讨论话题将会有很大不同。文章未说明任何具体厂商、产品、价格数据或事件原因。
据原文，GaN与SiC功率半导体公司Navitas Semiconductor Corp（美国加州Torrance）宣布推出面向先进能源与电网基础设施的超高压（UHV）SiC功率模块系列。原文未给出价格、产量、日期或相关组件价格变动等信息，仅为产品发布消息。
PSMC第三季度营收环比增长23%、同比增长80%至213亿新台币，净利润分别环比增长98%、同比增长338%至65亿新台币，毛利率提升20个百分点至48%，原因是存储器价格上涨和代工产能紧张。据Liberty Times，PSMC总裁Martin Chu预计第四季度营收将环比实现两位数增长，因平均售价持续上升；第三季度已完成的存储器晶圆ASP比同期投片晶圆低逾30%，说明近期涨价尚未完全反映在营收中，价格较高的晶圆预计在第四季度贡献更多。据TechNews，全球DRAM供应紧张（主要厂商将产能转向HBM并逐步退出特殊型DRAM）使PSMC特殊型DRAM代工价格保持高位；PSMC与Micron的1p DRAM合作正在推进，PDK将于2026年底交付，设备预计2027年一季度到达，试产计划2027年二季度开始。PSMC称MLC NAND供应紧张推动高容量SLC NAND需求，公司正将SLC代工平台转向24nm；AI服务器所需NOR Flash为传统服务器的三至五倍，PSMC是中国以外唯一的NOR Flash代工厂。据PSMC财报说明会，其8英寸和12英寸逻辑代工服务的投片晶圆ASP第三季度上涨8–10%；由于产能持续受限，公司计划在2027年进一步调涨价格10–20%，并正在谈判长期协议(LTA)以锁定价格和产量。55nm BCD产品已开始出货，客户寻求三年合约；2026年代工产能满载挤压智能手机PMIC生产，主要手机厂商寻求2027年产能；2027年MOSFET和IGBT产能的80%已由LTA覆盖；GaN产品已进入小批量晶圆生产，等待最终客户验证。IPD订单能见度延伸至2028年，8英寸和12英寸晶圆已量产；WoW混合键合技术小规模试产进行中，量产目标2027年上半年。Micron PWF项目按计划推进，中试线建设预计2026年底完工，量产计划2027年第四季度。
总部位于德国慕尼黑的英飞凌科技股份公司正在推进与英伟达（NVIDIA）在面向AI数据中心的800V直流（VDC）电力架构方面的合作。该公告的发布时间恰逢英伟达于10月20日至22日举行的GTC柏林开发者大会，公告聚焦于高压中间总线转换器（IBC）——AI数据中心供电链中最关键、要求最严苛的转换环节之一。原文未说明原因（未说明合作推进的具体原因）。该事件为公告性质，不等于合作成果已实现。
原文介绍了全球首款2,200伏PowiGaN技术，称该技术可实现更高功率密度、更高效率，以及更安全、更简单的系统架构，面向AI数据中心、电动汽车、光伏和HVDC基础设施等下一代高压电源系统。原文未说明原因，也未提及具体厂商、零件编号、日期、价格或供应数量。
Microchip推出面向太空电子的抗辐射GaN point-of-load转换器POL-05-20S-T，可连续输出最高20 A电流，用于为FPGA、MCU等数字负载供电；采用同步buck拓扑和电流模式控制，输入电压范围4.75 V至13.2 V，输出可在0.7 V至5 V范围内调节。电气参数已在最高50 krad(Si)辐照前后进行规定，单粒子效应(SEE)已表征至43 MeV·cm²/mg的线性能量转移(LET)，转换器可在−55°C至+100°C温度范围内满载工作，封装为1.51×1.51×0.45英寸表面贴装封装，现已可量产供货。原文未说明原因（非事件类报道）。
英特尔代工（Intel Foundry）的一篇评论文章称，引用美国半导体行业协会（Semiconductor Industry Association）数据，美国在全球半导体制造中的份额从1990年的37%降至2022年的10%。文章称，英特尔亚利桑那州Fab 62的建设和工具安装正在进行中，预计2028年底投入运营，同时其俄亥俄州项目达到了又一个结构里程碑；文章强调建设进展是为未来需求做准备的信号，但最终影响将取决于执行、客户采用和制造竞争力。文章还称，英特尔与49个州的4,500多家供应商合作，每年在美国国内的支出超过290亿美元。以上为评论文章内容与英特尔的表述，属计划中/进行中的建设，并非已实现的产能结果。
10月21日，英飞凌宣布深化与英伟达的合作，推进面向AI数据中心的800伏直流（800 VDC）供电架构，重点开发高压中间总线转换器（IBC）。英飞凌将利用氮化镓（GaN）功率半导体技术，提高电源转换效率和功率密度，降低能量损耗及散热需求。此次合作延续双方自2025年启动的800伏直流供电架构项目，涵盖中间总线转换及电源路径保护等环节，旨在支持更高功率密度的AI数据中心，并提升服务器机架带电插拔维护能力。
一位前台积电副总裁表示，随着AI计算需求增长，半导体行业正走向技术转折点，AI芯片的微缩正转向3D方向，每瓦性能成为新的基准。原文指出，晶体管微缩长期推动芯片密度、性能和能效提升，而推进的制程节点如今在器件架构、材料、工艺集成和设计方面带来更大复杂性，使创新超越单个芯片。此为观点性背景内容，不涉及具体价格、产能或商业事件。
这是SK hynix于2026年10月21日发布的AI生态系统系列第4篇技术评论文章，作者为OXMIQ Labs创始人兼CEO Raja Koduri（曾负责Apple、AMD和Intel的GPU与AI加速器架构开发），主题为半导体范式正转向存储器。文章观点认为：AI性能正从纯算力转向数据移动与放置，存储器带宽与层级主导成本；Transformer模型增长使缓存复用假设失效，系统反复从DRAM或HBM读取数据，低延迟小批量推理中存储带宽可能成为瓶颈。文中指出HBM通过TSV和中介层将多个DRAM裸片垂直堆叠，将计算与存储距离从厘米缩短到毫米；作者称2015年在AMD参与基于HBM的GPU开发，后在Intel主导开发集成47个chiplet和四个HBM2e堆叠的Ponte Vecchio。文章还介绍混合键合（铜对铜直接键合取代微凸点）以及PIM（存内处理）技术，称PIM在特定工作负载下可将能耗降低10到100倍，但同时面临热管理等挑战。文章为作者个人观点、属背景分析，不构成价格、产能、库存或供需的实际事件报道。
位于美国北卡罗来纳州格林斯伯勒的Guerrilla RF Inc (GRF)（为无线应用提供射频集成电路(RFIC)和单片微波集成电路(MMIC)）表示，其GRF0005和GRF0012氮化镓(GaN)功率晶体管的新型非线性仿真模型现已在Modelithics COMPLETE Library中提供；公司同时扩展GaN设计支持并开始送样新的高功率器件（据标题）。原文未说明原因，也未给出具体日期或数量。
这是一篇技术综述性文章（非市场事件），介绍以仿真为主的SiC和GaN功率变换器热建模方法。文章指出，宽禁带（WBG）器件开关速度更快、击穿电压更高、单位面积导通电阻更低，但热量集中在极小区域，局部热流密度可达每平方厘米数千瓦；若散热不当，可能导致热失控、栅氧化层退化、焊点开裂和灾难性器件失效。一篇发表于MDPI期刊Electronics的综述强调，WBG性能主要受器件内发热位置和封装散热有效性制约，而非仅取决于半导体本身的电气特性。文章说明4H-SiC在室温下热导率约为硅的3倍（约490 W/m·K 对 150 W/m·K），但工作时随温度按非线性规律显著下降；横向GaN HEMT的热量集中在栅极边缘附近微观区域，易形成局部热点，热建模需在栅漏区采用高空间分辨率。仿真工具链分三层：器件与封装级3D FEA/CFD仿真（如Ansys Icepak、Siemens Simcenter Flotherm）、降阶模型（Cauer/Foster RC网络ROM，Siemens的Embeddable BCI-ROM技术可在保护IP的前提下共享封装热模型），以及系统级电热协同仿真。文中举例Onsemi与Ansys开发了多保真热建模流程用于验证工业应用中的SiC MOSFET功率模块，并介绍了基于机器学习的快速结温估计方法。原文未涉及价格、产能、供需或任何市场变化。
总部位于美国加州El Segundo的Efficient Power Conversion Corp（EPC）表示，其EPC2361 100V eGaN FET已被用于Analog Devices Inc（ADI）的一款高性能降压-升压转换器参考设计，该设计支持4kW功率、高效率。EPC主营用于电源管理应用的增强型氮化镓硅（eGaN）功率场效应晶体管（FET）及集成电路。此为设计应用合作信息，原文未给出价格、供应或需求数据。
瑞萨电子近日发布了基于Gen 4+技术的650-V、20-mΩ d-mode GaN FET，采用8×8 mm双面散热（DSC）PQFN封装，型号为TP65H020G4PLSGBD，目前已向AI数据中心OEM和ODM送样，量产计划于2027年中。据瑞萨称，Gen 4+相较Gen 4通过单元设计和比导通电阻的渐进式改进，实现更低的RDS(on)、更小的尺寸、更低的栅极电容（CGS、CGD）和输出电容（Coss）；Gen 6预计要到2027年才提供样品。该器件为d-mode，与LV硅MOSFET配对使用。封装支持顶面、底面或双面散热，当前支持20-mΩ器件，未来10–15-mΩ器件或可单冷板散热。相比TOLT封装，DSC PQFN在x-y轴封装面积减少约57%至60%，高度约1 mm（对比TOLT的2.35 mm，表格中为2.3 mm），热阻抗低9%至10%（0.36 °C/W对比0.4 °C/W），四开关功率级PCB面积可减少约15%至25%。在6-kW、800 V转48 V、运行于650 kHz至1 MHz的IBC演示板风冷测试中，DSC全负载效率提升0.14%，相当于6-kW转换器中约10+ W的额外功率；测试未使用液冷，下一步将进行液冷测试。DSC 8×8（含650-V GaN）应用于初级侧，每个模块仅承受约400 V，两个模块串联以适应800 V总线。DSC封装技术的主要应用是初级侧800 V DC转换为48 V、12 V和6 V的中间总线转换器（IBC）。针对800 V转6 V输出电流超过3,000 A的情况，瑞萨正与EPC合作推进LV GaN的DSC封装选项。瑞萨在10月12日至15日于加州圣何塞举行的OCP全球峰会上展示了该器件，作为其800-V电源解决方案的一部分。
Whose chips are really inside the hottest new products? We open them up and show you, one part at a time.
All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |