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NuAxi Stream - Real-Time Semiconductor Intelligence

NuAxi Stream - Real-Time Semiconductor Intelligence

Sat, Aug 29

1 items

01:28Impact score 10
北大团队实现2D半导体2英寸单晶生长
北大与中科院团队利用同族金属元素修饰蓝宝石表面，成功实现2英寸单晶WS2或MoS2生长。该技术针对商用C/M级蓝宝石，解决了2D半导体外延生长的挑战。
关注
虽为重大技术突破，但尚未影响现货市场供需。
2D Semiconductors MoS2 WS2Peking University, Chinese Academy of SciencesTechnical

Fri, Aug 14

1 items

23:00Impact score 10
台积电攻克0.42纳米氧化铝界面技术
台积电与阳明交大团队开发出0.42纳米氧化铝界面，用于单层二硫化钼晶体管。该技术解决了二维半导体栅极介电层成核难题，实现了强电场控制与低漏电。
中性
该技术属于基础研发突破，目前对现货价格及供需无直接影响。
Monolayer MoS₂ Aluminum oxide Hafnium oxideTSMC, National Yang Ming Chiao Tung UniversityTechnical

Fri, Jun 19

2 items

23:42Impact score 5
imec台积电ASML实现50nm二维晶体管
imec、ASML 与台积电在 300mm 晶圆上实现 50nm 接触栅极间距的二维互补晶体管集成。该成果采用单次 EUV 光刻与反向薄膜晶体管结构，验证了二维材料在先进逻辑工艺中的可行性。
利多
关注：该技术路线图将二维半导体推向后硅时代，但预计 2041 年前难以量产。
imec, ASML and 3 totalTechnical
00:30Impact score 10
东京大学合成1纳米MoS₂纳米管
东京大学团队在《Science》发表论文，利用BN纳米管作为模板合成了1纳米MoS₂纳米管。该成果验证了理论预测并展示了结构控制潜力，但距离实际应用还很远。
利多
关注：技术突破为未来超小型半导体通道提供新路径，但距离量产应用尚远。
MoS₂ NanotubesThe University of TokyoTechnical

Mon, Mar 2

1 items

06:39Impact score 10
IEDM聚焦钌互连与二维材料研发突破
IEDM 2025会议聚焦钌金属互连与二维沟道材料研发，三星实验显示超细钌线电阻降低46%，imec展示了16nm间距下的高良率互连结构。背景是铜互连在先进制程面临电阻飙升问题，二维材料旨在解决晶体管漏电。
利空
均为远期技术探索，对当前供应链、库存及现货价格无直接影响。
Interconnect Materials Channel MaterialsSamsung Electronics, TSMC and 5 totalTechnical

Sat, Feb 21

1 items

01:44Impact score 10
德机构实现MoS2忆阻器与CMOS芯片集成
德国亚琛工业大学与于利希研究中心成功将低压纳米二硫化钼忆阻器集成至CMOS芯片。该研究旨在利用二维材料的优异电性能推动神经形态计算等先进电子应用发展。
中性
此为远期研发里程碑，对当前半导体供应链、现货价格及交易决策无直接影响。
Memristors Neuromorphic Computing ChipsRWTH Aachen, Forschungszentrum Jülich GmbHTechnical

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Chip Teardown Lab1 opened

Whose chips are really inside the hottest new products? We open them up and show you, one part at a time.

Component price indexNPI, vs. prior period

	$0.68	−5.9%
	$0.75	+0.2%
	$386.74	−21.3%
	$88.40	−0.2%
2026-W13	$14.89	−11.2%
	$478.20	+8.2%
	$0.68	−61.7%Unusual
	$0.01	+54.0%Unusual
	$0.12	−82.8%Unusual
2026-W13	$0.44	−12.5%
	$288.43	n/a

Period 2026-W18